公开(公告)号：CN116247095A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310211026.X

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提供了一种基于SiC衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底，包括分别形成于所述衬底第一区域与第二区域的p+掺杂区与n+掺杂区；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述衬底表面相对的两侧区域；肖特基势垒二极管，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述衬底上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。

公开(公告)号：CN115714134A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211255562.1

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法，在不对p‑GaN进行栅槽刻蚀的情况下即可实现p沟道增强型氮化镓晶体管，避免了栅刻蚀方法导致的沟道迁移率降低以及刻蚀表面形成的高密度陷阱态对p沟道增强型器件产生的负面影响，从而有效提高了增强型p沟道氮化镓晶体管的性能。

公开(公告)号：CN115579292A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211427963.0

申请日：2022-11-15

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 孙新 ,  钱乐雯 ,  汪大伟 ,  刘桃 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  徐敏 ,  吴春蕾 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种环栅晶体管的内侧墙的制作方法，包括：形成环栅晶体管结构，环栅晶体管结构包括衬底以及形成于衬底上沿第一方向排列的的若干鳍结构以及若干假栅堆叠件；若干假栅堆叠件横跨每个鳍结构，且沿第二方向排列；鳍结构包括：间隔堆叠的牺牲层与沟道层；刻蚀假栅堆叠件之间的鳍结构，以形成源漏空腔；刻蚀牺牲层的沿第一方向的两端，以形成内侧墙空腔；在内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅；刻蚀掉内侧墙空腔外的氧化硅和氮化硅，以在内侧墙空腔中形成内侧墙，其中，内侧墙的组成成分是氮氧硅。解决了环栅晶体管的内侧墙的材料介电常数较大，不利于减少寄生电容的问题，以及内侧墙的刻蚀工艺与其他工艺兼容性差的问题。

公开(公告)号：CN115224186A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210879939.4

申请日：2022-07-25

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 黄自强 ,  王晨 ,  徐敏 ,  徐赛生 ,  张卫

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结制备装置、方法及约瑟夫森结。该装置包括输送单元、第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元，通过第一沉积单元和第二沉积单元制备约瑟夫森结，通过光刻单元和刻蚀单元对约瑟夫森结进行图形化。本发明的约瑟夫森结制备装置通过真空通道对第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元进行连通，通过第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元分别设置于真空通道的不同侧面，通过输送单元对约瑟夫森结在四个加工单元内进行输送，能够极大的降低约瑟夫森结在制备和图形化过程中需要移动的距离，降低传递过程会对器件性能的影响，保证约瑟夫森结薄膜质量的一致性。

公开(公告)号：CN115212390A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210982239.8

申请日：2022-08-16

Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院(上海市青浦区中心医院)

Inventor： 范隆华 ,  王晨 ,  杨晓虎 ,  郭振宇 ,  朱广浪

IPC: A61M5/178 ,  A61M5/31 ,  A61M5/48

Abstract: 本发明涉及一种具有监测静脉压力的医疗液体注射装置，包括注射手柄、注射筒、注射针头以及压力监测器，所述的压力监测器的两端分别对应设置有连接柱，所述连接柱的内部都设置有槽孔，且所述的槽孔上设置有内螺纹；所述注射筒的头端以及注射针头的尾端均设置有一圈外螺纹，且所述的注射筒以及注射针头分别螺纹连接于所述压力监测器两端的连接柱；其优点表现在：本发明结构简单，操作方便，且制作成本较低，能够实时监测推注静脉压力，有效降低推注时压力过大导致的药物外泄或注射位置错误的发生，为患者的治疗提供了安全保障。

公开(公告)号：CN115206804A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210582243.5

申请日：2022-05-26

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 杨静雯 ,  陈鲲 ,  刘桃 ,  汪大伟 ,  孙新 ,  黄自强 ,  潘哲成 ,  徐敏 ,  张卫 ,  吴春蕾 ,  王晨 ,  徐赛生

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种GAA底部介质隔离的制备方法，用于对环栅场效应晶体管的衬底与鳍片之间进行隔离，以此抑制和消除沟道底部的寄生沟道泄漏电流以及寄生电容，该方法包括：S1：提供一衬底，并在衬底上形成鳍片；S2：在所述鳍片上淀积第一掩模层，所述第一掩模层包裹所述鳍片的顶面和侧面；S3：以所述第一掩模层为掩模，对所述衬底进行刻蚀，以在所述鳍片下方的衬底中形成一目标区域；S4：对所述目标区域进行热氧化处理，使得所述目标区域以及目标区域下方的部分衬底形成氧化隔离层。

公开(公告)号：CN113889413B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111070721.6

申请日：2021-09-13

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 陈鲲 ,  徐敏 ,  杨静雯 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。

公开(公告)号：CN114335189A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210001052.5

申请日：2022-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 晁鑫 ,  王晨 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法。该垂直栅极的存储器件结构包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在U形槽的侧壁和N阱区表面处形成有窗口；半浮栅，形成在所述U形槽中，覆盖所述第一栅氧化层，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层，形成在所述U形槽中，覆盖所述半浮栅并延伸覆盖部分所述第一栅氧化层；控制栅，覆盖所述控制栅介质层，并完全填充U形槽；源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧，所述N阱区中。

公开(公告)号：CN114224445A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111543572.0

申请日：2021-12-16

Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院

Inventor： 杨晓虎 ,  范隆华 ,  郭振宇 ,  王晨

IPC: A61B17/34

Abstract: 本发明涉及一种直视下建立血管隧道装置，所述的直视下建立血管隧道装置包括皮下隧道器、充气装置和电子显微镜；所述的皮下隧道器本体为圆柱形结构，前端为直径渐渐收缩结构；所述的皮下隧道器内部分别设有中空结构的气体通道和显微镜通道；所述的充气装置包括充气囊和充气管；所述的充气管直径小于气体通道的直径；所述的电子纤维镜包括显示屏和纤维管道；所述的纤维管道末端与显示屏连接，且所述纤维管道前端内部照明灯和摄像头；所述的纤维管道的直径小于显微镜管道的直径。其优点表现在：在皮下建立血管通道时，可直接血管隧道器在皮下推进的过程，避免血管、神经及肌肉损伤，同时便于调整推进方向，精确对准血管吻合口，避免临床并发症。

公开(公告)号：CN114220741A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111414300.0

申请日：2021-11-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 晁鑫 ,  王晨 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明公开一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法。该分栅结构的半浮栅晶体管包括衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在所述U型槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖所述第一栅氧化层并完全填充所述U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层、控制栅和掩膜层，控制栅介质层覆盖所述半浮栅，控制栅和掩膜层依次形成在所述控制栅介质层上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在所述控制栅和分离栅两侧，所述N阱区中。