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公开(公告)号：CN114695651A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011641740.5
申请日：2020-12-31
Abstract: 一种整流器及其使用方法。所述整流器包括铁电层和设置于所述铁电层之上分离设置的第一电极和第二电极。所述整流器用于在所述第一电极和所述第二电极被施加大于第一预设电压的交流信号时，在所述铁电层的第一畴部和第二畴部的畴壁间形成导电通道，以使得所述大于所述第一预设电压的交流信号通过所述导电通道被输出。其中，所述第一畴部为所述铁电层中位于所述第一电极和所述第二电极之间的区域，所述第二畴部为所述铁电层中除所述第一畴部之外的其他区域。
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公开(公告)号：CN110491943B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910706223.2
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , G11C11/22 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。
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公开(公告)号：CN107230676B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710362281.9
申请日：2017-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构；铁电材料的极化方向都分别垂直于电极；当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方向相反的足够大的写电压时，电极所对应区域的铁电畴自极化方向沿电场方向发生反转，电极间电畴极化方向与周边体电畴极化方向相反，在两电畴间形成畴壁，该畴壁通常是导电通道；读取信息时通过导电通道的读电流与导电畴壁周长成正比，导电畴壁周长越长，读电流越大。本发明的铁电存储器可以提高存储单元中的读出电流，有利于提高数据的读取速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN107481751B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710793719.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为铁电存储器集成电路设计及其制造方法。本发明的铁电存储器包括：交叉棒（Crossbar）结构和一个开关晶体管一个电阻式铁电存储单元（1T1R）结构的铁电存储器。铁电存储器单元由铁电层，以及置于铁电存储单元两侧的第一电极和第二电极、绝缘层和硅基读写电路组成。其中，铁电存储单元的电畴极化方向在第一电极和第二电极的连线方向上有分量。以上存储单元的读出电流具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，降低能耗，提高交叉棒集成的阵列规模和密度，简化电路设计，最终提高存储密度。
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公开(公告)号：CN110534573A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910706362.5
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11585
Abstract: 本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成。与现有技术相比，本发明从根本上解决了铁电体的高度集成化的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110429085A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910700991.7
申请日：2019-07-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509 , G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极中至少之一搭在所述铁电存储单元表面的长度大于零且小于铁电存储单元的宽度。与现有技术相比，本发明具有三位信息存储功能，能够提高存储单元的存储密度，具有制备简单、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN109791785A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201880003413.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
CPC classification number: G11C11/2273 , G11C11/2275 , H01L27/11502
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，本发明提供的铁电存储集成电路，包括：铁电存储器阵列，其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列；其中，所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单元阵列中的一个存储单元以及该存储单元电连接的形成于所述硅基读写电路的硅基上的一个晶体管形成。
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公开(公告)号：CN107481751A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710793719.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为铁电存储器集成电路设计及其制造方法。本发明的铁电存储器包括：交叉棒（Crossbar）结构和一个开关晶体管一个电阻式铁电存储单元（1T1R）结构的铁电存储器。铁电存储器单元由铁电层，以及置于铁电存储单元两侧的第一电极和第二电极、绝缘层和硅基读写电路组成。其中，铁电存储单元的电畴极化方向在第一电极和第二电极的连线方向上有分量。以上存储单元的读出电流具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，降低能耗，提高交叉棒集成的阵列规模和密度，简化电路设计，最终提高存储密度。
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公开(公告)号：CN104681093A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410827335.0
申请日：2014-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域，具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中：测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块；计算机用于安装控制软件以及存储数据；控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块，以及监控和处理数据；通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备，已有的相关电学测试设备测试功能单一，难以满足新型多样存储器件研发需求，同时本发明结构简单，方便实用，可快速扩展多种测试功能。
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公开(公告)号：CN102439724B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180001739.9
申请日：2011-01-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/8247 , G11C13/00
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0073 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L28/55 , H01L45/04 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 提供了一种铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法，属于存储器技术领域。该铁电阻变存储器包括上电极(101)、下电极(103)以及设置于该上电极(101)和下电极(103)之间的用作存储层的铁电半导体薄膜层(102)；其中，该铁电半导体薄膜层(102)可被操作地通过铁电电畴产生二极管导通特性、并可被操作地通过该电畴的变化调制该二极管导通特性；该铁电阻变存储器根据该二极管导通特性的调制变化存储信息。该铁电阻变存储器具有结构简单、制备方法简单、可非破坏性读取、且非易失性存储的特点。
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