公开(公告)号：CN109728019A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201910007554.7

申请日：2019-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘层上硅的单晶体管主动像素传感器及制备方法，建立在绝缘层上硅的衬底上，具有低的衬底掺杂，无需传统MOSFET的阱注入掺杂；新型图像传感器的源漏区域具有一大块不被金属电极覆盖的区域以透光；通过施加背栅极脉冲，在衬底中形成深度耗尽，并以此耗尽区收集光生电子，聚集在氧化埋层/衬底界面上的光生电子将造成上硅层中MOSFET的阈值电压偏移和电流变化；正栅极用来进行图像传感阵列中的单元选通。本发明使用单个晶体管完成光电传感、电荷积分、缓冲放大和阵列选通的功能，无需转移电荷，也无需额外的晶体管辅助，具有高量子效率，低功耗和高速度等优点。

公开(公告)号：CN106711275B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201611212045.0

申请日：2016-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  邓嘉男 ,  邵金海 ,  陆冰睿 ,  陈宜方

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。

公开(公告)号：CN106711275A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611212045.0

申请日：2016-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  邓嘉男 ,  邵金海 ,  陆冰睿 ,  陈宜方

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1136 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。

公开(公告)号：CN101618852B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910056142.9

申请日：2009-08-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邓少任 ,  屈新萍 ,  陈韬 ,  刘书一 ,  万景 ,  陆冰睿

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。

公开(公告)号：CN101350364B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810042500.6

申请日：2008-09-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈韬 ,  屈新萍 ,  刘书一 ,  万景 ,  茹国平 ,  蒋玉龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/36

Abstract: 本专利属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。

公开(公告)号：CN101135842A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710047408.4

申请日：2007-10-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  屈新萍 ,  谢申奇 ,  陆冰睿 ,  疏珍 ,  刘冉 ,  陈宜方

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/08

Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。