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公开(公告)号：CN102263139A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110136633.1
申请日：2011-05-24
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分区域(102)。本发明将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域102都在区域103中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本发明与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN101533854B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910071882.X
申请日：2009-04-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管.包括源区(40)、体区(30)、漂移区(20)、漏区(50)、源电极(400)、漏电极(500)、栅电极(60)，埋置介质层(70)具有使SOI层与衬底半导体10相连接的渐变宽度的窗口(800、810和820)。本发明所述的具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管，可通过优化设计埋置介质层渐变宽度的窗口宽度，使得SOI层(有源区)与衬底半导体相连接，碰撞电离产生的空穴可由衬底流出。同时，可使器件区产生的焦耳热有效地流向衬底的热沉。不仅能减小自加热效应，还可抑制浮体效应。
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公开(公告)号：CN101697356B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910073105.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供了一种调制导通电阻UMOS晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、场氧化层(203)、多晶硅极板(204)、沟道区(205)、源电极(206)、栅氧化层(207)、栅电极(208)，多晶硅极板(204)与栅电极(208)连接。可以根据器件具体导通特性、击穿特性的要求来具体设定器件各区域尺寸。这种结构可在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN101819998A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010159170.6
申请日：2010-04-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种具有应变硅结构的高压低功耗SOI LDMOS晶体管。包括源区(9)、体区(8)、漏区(5)、超结结构中n柱(3)、超结结构中p柱(4)、源电极(10)、漏电极(12)、栅电极(11)、埋置介质层(6)，所述超结结构中p柱(4)为与硅材料晶格不匹配的单晶材料，所述单晶材料是如Ge或SiGe使硅能够生成应变的材料，所述超结结构中n柱(3)为在超结结构中p柱(4)基础上生成的n型平行于源漏电极的横向张应变硅。本发明在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规SOI LDMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN101005059A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710071667.0
申请日：2007-01-19
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。本发明大大改善了Cu抗电迁徙能力、阻挡层的性能、层间粘附性以及降低接触电阻等方面，而且制备工艺无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118014015A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410323998.2
申请日：2024-03-21
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: G06N3/0464 , G06N3/08 , G06N3/084 , G06N3/006 , G06F30/27 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及发电厂汽轮机运行技术领域，更具体的说是一种基于混合算法的燃气轮机故障诊断模型训练方法，基于传统反向传播算法的故障诊断模型在训练过程中存在陷入局部最优的问题，启发式算法在寻找模型最优解具有一定的优势但同样存在计算效率低的问题。为解决上述问题，本发明使反向传播算法和APSO建立了实质性的联系，而不是两个算法独立的求解自身的目标函数。该框架将传统反向传播算法与启发式算法有效地结合起来，在保证训练消耗的同时又获得了启发式算法在寻找全局最优解的优势。
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公开(公告)号：CN116255970A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310156712.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明属于光学陀螺领域，具体涉及一种基于单腔PT对称结构的高灵敏度光学陀螺仪及其设计方法。由激光器、环形腔、S型波导、耦合器、光电探测器构成。在环形腔内部耦合了一个有源S型波导和一个无源S型波导，通过调节有源/无源波导内的增益/损耗值和耦合器的耦合系数，可将系统调节至奇异点(EP)附近，处于EP的陀螺仪系统可对转速展现出极高的敏感性。环形腔工作在激光阈值以下，使用功率检测技术来测量陀螺仪的灵敏度，通过该技术可以精确测量陀螺仪的信噪比。此外，通过在同一光学谐振器中耦合两个反向传播模式，取代传统方案中双谐振器耦合两个耦合模式，不仅可将面积减少3/4，而且可以抑制一般PT对称陀螺仪因两个谐振腔受到不同扰动源影响而引起的非互异性误差。
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公开(公告)号：CN102938417B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210339050.3
申请日：2012-09-14
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。本发明中分裂栅沟槽功率MOS器件为沟槽包围台面结构，这样可以保证器件的有源区台面结构一致，优化器件内台面结构中的电场分布，从而整体上提高分裂栅型沟槽功率MOS器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN102903757B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210407235.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅氧化层（8）；一个位于栅氧化层（8）上的多晶硅栅极（9）；其特征是：体接触（11）引出端位于两个处在不同高度的底层半导体衬底（1）水平面之间。本发明提供一种能够将中性体区中多余的空穴导出，实现抗浮体效应，同时还防止自加热效应的产生的SOI MOSFET体接触结构；还提供一种简化制造流程，降低制作成本，提高器件可靠性的SOI MOSFET体接触结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN103995950A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410013070.0
申请日：2014-01-13
Applicant: 哈尔滨工程大学 , 云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院 , 云南电网公司技术分公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明属于工业信号处理领域，具体涉及一种基于空域相关修正阈值的变小波系数局部放电信号消噪方法。本发明包括：对含有白噪声的局部放电信号进行小波变换；提取小波系数初值和估计值；求取尺度相关系数；归一化后得到相关值；记录离散小波变换，得到去噪后的信号。在本发明中，对小波阈值选择方法进行了改进，引入空域相关优化局部重建权值矩阵，从而降低了噪声点对样本数据的影响，提高了算法收敛速度，提高了局部放电信号消噪速度和精度。
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