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公开(公告)号：CN103311052B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310194314.5
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种直动式含永磁T型衔铁结构，包括：外壳，包括外壳侧壁和外壳下底；上轭铁，设置所述外壳的上底面处；线圈骨架，环型，与所述外壳底面固定连接；线圈，缠绕在所述线圈骨架上；下轭铁，与所述外壳侧壁固定连接，位于所述上轭铁与所述线圈骨架之间；永磁体，与所述下轭铁紧密连接；衔铁，包括固定连接的衔铁上底和衔铁柱体，所述衔铁上底与所述永磁体在水平方向上有重叠部分，所述衔铁柱体的外径小于所述线圈骨架的内径；所述衔铁在所述上轭铁和所述下轭铁所述的平面之间上下移动；以及连杆、弹簧，其中，所述外壳、上轭铁、下轭铁和衔铁均为导磁材料。
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公开(公告)号：CN105023810A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510474847.8
申请日：2015-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01H51/27 , H01H50/163
Abstract: 一种带永磁双稳态拍合式电磁继电器，属于继电器技术领域。为了减小继电器功耗，克服继电器静态保持力不够、抗振性差、触点弹跳严重的问题。它包括轭铁、线圈、铁芯、极面、永磁体和衔铁；轭铁为直角L型结构，衔铁为钝角L型结构，衔铁倒扣在轭铁的顶部，且衔铁以自身L型结构拐角处为支点绕轭铁的L型结构立板顶部转动，永磁体竖直固定在轭铁L型结构的立板与铁芯之间，永磁体与轭铁的L型结构的立板侧面平行且接触，永磁体下端的S极与轭铁的L型结构的底板相接触，轭铁的L型结构的立板上设有非导磁段，且非导磁段的上下边界位置位于永磁体的上下边界范围内，衔铁的L型结构的立板的下边界位于非导磁段的下边界的下方。它应用于自动控制领域。
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公开(公告)号：CN103149442B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310050544.4
申请日：2013-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/08
Abstract: 电触头材料接触电阻自动测试装置，涉及电触头材料接触电阻测试装置。它为解决目前没有可自动控制接触压力、支持多触头连续测量的电触头材料接触电阻测试装置。纵向和横向滑台均设置在机座的上表面上；纵向滑台通过横向与纵向滑台连接件与横向滑台相连；横向与纵向滑台连接件的上端固定设置有竖直滑台；竖直滑台上固定设置有压力传感器；压力传感器连接件的两端分别与弹性元件和压力传感器相连；探针通过探针夹具装设在探针夹具连接件上；多触头夹具体固定设置在纵向滑台的上表面上；待测电触头固定装设在多触头夹具体上；它实现了对触头接触力的自动控制和对多个触头的接触电阻的连续测量，具有测量准确、操作方便，效率高的优点。
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公开(公告)号：CN104157516A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410400301.3
申请日：2014-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01H50/58
Abstract: 一种适用于双磁钢差动式继电器的推动器组及该推动器组的使用方法，涉及一种推动器组。本发明是为了解决现有双磁钢差动式继电器推动器组只与簧片在一侧接触的问题。本发明所述的一种适用于双磁钢差动式继电器的推动器组，利用两边夹住动簧片边缘的方式，实现推动器与动簧片面接触，由动簧片自身返回形式变为衔铁驱动型返回形式，抑制双磁钢差动式继电器释放过程中动簧片与静合静簧片碰撞弹跳。本发明所述的一种适用于双磁钢差动式继电器的推动器组的使用方法，在释放位置下衔铁利用磁钢提供的保持力在动簧片上施加压力，提高了抗振性，降低吸合电压，利于吸合，提高电磁系统灵敏度，抑制吸合二步现象。
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公开(公告)号：CN104019266A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410283428.1
申请日：2014-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F16K31/06
CPC classification number: F16K31/082
Abstract: 双稳态直动式含永磁电磁阀，属于电磁阀领域。为了解决目前的传统的电磁阀具有响应速度慢和输出力低的问题。它的外壳为圆筒形，外壳内侧壁上从上到下依次设置有上部环形垫片、上部环形永磁体、线圈、下部环形永磁体和下部环形垫片，且对称设置，铁芯设置在上部环形垫片、上部环形永磁体、线圈、下部环形永磁体和下部环形垫片的环内，且所述环内表面均与铁芯外表面之间存在气隙；外壳上端口设置有上部轭铁，上部轭铁中心孔用于容纳上推杆上下运动，上推杆设置在铁芯的上端，外壳的下端口设置有下部轭铁，下部轭铁的中心孔用于容纳下推杆上下运动，下推杆设置在铁芯的下端；所述双稳态直动式含永磁电磁阀为中心轴对称结构。它用于控制工业设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103500688A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310449443.4
申请日：2013-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01H50/16
CPC classification number: H01H50/36 , H01F1/057 , H01F1/10 , H01F7/081 , H01F7/1615 , H01F2007/083 , H01H50/16 , H01H50/18 , H01H50/42 , H01H51/2209
Abstract: 本发明公开一种含永磁电磁结构，包括：外轭铁，为空心圆筒形；第一永磁体组，包括排列成圆形的多个永磁体，所述多个永磁体与所述外轭铁相连接，且每个永磁体的充磁方向为沿轴向方向充磁；内轭铁，包括内轭铁上底，内轭铁侧壁和内轭铁下底，所述内轭铁上底和所述内轭铁下底分别从所述内轭铁侧壁的上端和下端向外水平延伸形成圆环；衔铁，包括衔铁上底、衔铁下底和衔铁筒身；所述衔铁筒身从所述内轭铁侧壁中穿过，所述衔铁筒身的高度大于所述内轭铁的高度；所述衔铁上底和所述衔铁下底均为直径大于内轭铁侧壁内径的圆形；第二永磁体组，包括排列成圆形的多个永磁体，所述多个永磁体与所述外轭铁和所述内轭铁相连接，且每个永磁体的充磁方向为沿轴向方向充磁。
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公开(公告)号：CN103295843A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310194814.9
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01H50/16
Abstract: 本发明公开一种含永磁双C型轭铁结构，包括：外轭铁，为空心的圆柱体结构，包括外轭铁上底、外轭铁下底和外轭铁侧壁；永磁体，与所述外轭铁侧壁固定连接以产生磁吸力；内轭铁，位于所述外轭铁内部，与所述永磁体固定连接；所述内轭铁为空心的环形圆柱体结构，包括内轭铁上底、内轭铁下底和内轭铁侧壁；衔铁，位于所述外轭铁内部，从所述内轭铁的中心圆环处贯穿，包括衔铁上底、衔铁下底和衔铁侧壁；所述衔铁相对于所述内轭铁具有上下运动的空间；以及线圈骨架、线圈、连杆和弹簧；其中，所述外轭铁、内轭铁和衔铁均为导磁材料。
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公开(公告)号：CN101576432B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910072258.1
申请日：2009-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种所生成的冲击响应具有利用系统资源少、每次冲击下响应一致、可靠性高的振动台冲击响应生成方法。方法包括：分析振动台的力学模型，得到其理论传递函数；根据辨识波形图所示形式作为振动台输入信号，通过振动台控制驱动系统加载到振动台；进行系统辨识，根据得到的传递函数，在simulink中进行PID仿真计算，直至其生成符合国军标规定的波形复现法的冲击响应；将仿真结果应用到实际，开环控制即满足要求；也可以将PID参数应用到闭环控制中，最终生成符合国军标要求的冲击响应。本发明生成的冲击响应严格符合国军标要求，并具有利用系统资源少，每次冲击下响应一致，可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN101604352B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910158141.5
申请日：2009-07-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种永磁继电器等效磁路模型的建模方法，其包括以下步骤：判断永磁继电器中的永磁装配与充磁属于何种情况；根据情况对永磁进行三维磁场仿真，获得仿真结果；针对所述仿真结果进行后处理，获得永磁各截面磁感应强度的分布曲线；由永磁各截面磁感应强度的分布曲线的特点，对永磁进行分段得到各段永磁的起始工作点；根据各段永磁的起始工作点及回复线斜率，计算得到各段永磁的等效磁势与等效磁阻；针对永磁继电器的磁系统结构，结合所述各段永磁的等效磁势与等效磁阻，建立基于永磁分段的永磁继电器等效磁路模型；建模过程结束。本发明为永磁继电器进行可靠性设计提供有效的磁路计算方法。
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公开(公告)号：CN101815428A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010145561.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种励磁系统霍尔传感器的电磁干扰源及其安装面的确定方法，包括以下步骤：在励磁系统正常工作即干扰源存在的情况下，连接霍尔传感器信号线，但不固定到安装位置上，将霍尔传感器以多种放置位置接近干扰母线排，分别在上述不同位置情况下进行试验测试，并记录霍尔传感器检测到的干扰电流数值；比较对应上述放置位置情况的干扰电流数值，找到最大的干扰电流数值，则在该最大的干扰电流数值所对应的放置位置下，靠近干扰母线排的一侧即为霍尔传感器受干扰敏感部位，该部位应该远离干扰源；调整线路，重新安装霍尔传感器至合理安装位置，使霍尔传感器受干扰敏感部位远离干扰源。该方法能够快速有效地查找干扰源，提高屏蔽设计效率。
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