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公开(公告)号：CN102393501A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110311567.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。
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公开(公告)号：CN101984441A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010521026.2
申请日：2010-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种基于EDA技术的电子系统多目标可靠性容差设计方法。步骤包括：建立电子系统的Pspice仿真模型；根据电子系统所处的环境条件建立关键元器件可靠性退化模型；根据系统的可靠性指标或根据元器件实际所受应力情况来确定其约束条件；对目标函数进行灵敏度分析，找出影响目标函数的灵敏元器件；通过多元线性回归分析建立目标函数与参数容差之间的回归方程，找到所有满足特性指标的容差组合；建立基于质量损失的多目标容差优化函数。本发明通过对灵敏元件进行容差控制，减小因参数和噪声偏差导致的元器件应力的波动，在不改变系统参数及结构的情况下提高系统内部每个元器件的寿命，进而提高电子系统整体的可靠性，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN119886876A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411953187.7
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06Q10/0637 , G06Q10/20 , G06Q50/04 , G06F18/21
Abstract: 本发明公开了一种考虑性能退化预计误差的电子设备预防性维护策略开发方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1、开展电子设备性能退化预计验证试验；步骤S2、确定性能退化预计误差区间；步骤S3、构建维护成本模型；步骤S4、计算不同预计误差下维护成本；步骤S5、确定最优维护策略。本发明能够得到适用于所有性能退化预计误差的有效维护策略并降低维护成本。在三相逆变器应用案例中，本发明方法确定的维护策略与不考虑性能退化预计误差的维护策略相比，在获得最低维护成本的同时避免了故障发生。
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公开(公告)号：CN115203859B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210929175.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/23 , G06N3/126 , G06F111/06 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 一种磁保持极化继电器全寿命周期稳健参数寻优方法，涉及一种继电器稳健参数寻优方法。分析非线性各向异性永磁体的实际工作点，计算得到磁偶极子的矢量化信息和永磁体局部磁滞回线模型；建立虚拟样机模型；以吸反力配合特征和分断动能为内核，分析性能特征和质量一致性的形成机制，建立多目标稳健参数设计模型；改进差分进化算法；对多目标稳健参数设计模型进行迭代寻优，生产批次虚拟样机模型进行验证。充分考虑非线性各向异性永磁体充退磁过程中的局部磁滞效应，通过建立综合考虑磁保持极化继电器全寿命周期的多目标稳健参数设计模型，并通过改进的多目标差分进化算法进行寻优，提升综合性能，改善质量一致性。
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公开(公告)号：CN115130326B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210927848.3
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种平衡力继电器不确定性最大界自动分配方法，涉及一种继电器不确定性最大界分配方法。确定平衡力继电器的关键底层退化零部件及材料；试验采集关键底层退化零部件和材料的退化信息，建立退化模型；建立数字样机模型，分析退化对继电器质量参数的影响，考虑出厂筛选建立考虑退化的全寿命周期质量损失函数模型；构建制造工序极限能力约束下不确定性最大界自动分配加速步长函数模型；分析继电器当前设计状态质量参数波动与设计目标之间的偏差，建立不确定性最大界分配目标函数，对目标函数进行寻优，确定最优解集；抽样验证是否符合要求。有助于保证不确定性最大界的分配精度与效率，实现平衡力继电器全寿命周期质量一致性波动的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116087806A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310118111.1
申请日：2023-02-01
Applicant: 国网冀北电力有限公司计量中心 , 国家电网有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 威胜集团有限公司
Inventor： 李文文 , 袁瑞铭 , 于松民 , 巨汉基 , 易忠林 , 王晨 , 郭皎 , 韩迪 , 姜振宇 , 庞富宽 , 赵思翔 , 刘岩 , 高帅 , 鲁观娜 , 叶雪荣 , 妙红英 , 王艳芹 , 刘丽 , 郑小平 , 余红 , 王语凡
IPC: G01R31/387 , G01R1/04
Abstract: 本发明提供一种锂亚硫酰氯电池的电池容量检测装置、系统及方法，所述锂亚硫酰氯电池的电池容量检测装置包括：电源单元、切换单元、测试单元和控制单元，电源单元与切换单元相连，切换单元与测试单元相连，控制单元分别与切换单元和测试单元相连，测试单元与多个电池座相连，切换单元与每个电池座相连；电源单元用于为切换单元供电；切换单元用于基于控制单元的控制指令控制每个电池座与测试单元之间的第一测试回路、电压信号采集回路以及第二测试回路的通断；测试单元用于采集位于电池座上的锂亚硫酰氯电池的放电电压信号，并发送给控制单元。本发明实施例提供的锂亚硫酰氯电池的电池容量检测装置、系统及方法，提高了电池容量的检测效率。
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公开(公告)号：CN115203860A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210929187.8
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/18
Abstract: 一种考虑制造成本的极化继电器容差自动分配方法，涉及一种极化继电器容差分配方法。建立数字样机模型分析零部件容差变化与质量一致性提升和成本变化的潜在规律；按照加工方式的不同将制造过程进行统一化分解；设计不同容差组合的零部件和装配过程参数，试验获取零部件和装配过程的成本，筛选出最合适的容差‑成本函数，并使用最小二乘辨识确定模型参数；构建制造工序极限能力约束下不确定性最大界迭代模型；分析当前设计状态质量参数波动与设计目标之间的偏差，建立容差自动再分配目标函数，对目标函数进行寻优，确定最优解集；抽样验证是否符合设计要求。有助于在保证容差再分配精度与效率的同时，控制极化继电器制造成本的上升。
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公开(公告)号：CN114792053A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210459927.6
申请日：2022-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 一种基于初值‑速率相关退化模型的可靠性评估方法，涉及一种可靠性评估方法。对电子元器件产品开展退化试验，采集退化数据；针对产品的特征参数建立考虑初值与退化速率相关性的退化模型；建立退化模型对应的对数似然函数，确定退化模型中的时间尺度函数形式，并利用极大似然方法估计退化模型中的待定参数；将待定参数估计值代入可靠度函数解析式，得到可靠度函数实现对产品的可靠性评估。将性能参数初值与退化速率的相关性引入电子元器件产品的可靠性评估当中，能够有效提高评估结果的准确度。
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公开(公告)号：CN111626008B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010464342.4
申请日：2020-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明目的在于提供一种可用于电路系统的分层序贯测试性建模方法，属于电子产品测试性分析与设计领域。首先确定电路系统的故障集与可用物理测点集，并通过建立多信号流图模型确定其中故障信息传播路径；以故障信息传播路径为依据，构建故障至测点的最短路径矩阵；随后以信息熵为依据确立测点可用度排序；仿真获取各故障状态下测点电信号波形；以确定的优先级排序提取各测点的可用特征，并依次增补形成故障‑测试特征矩阵；对每次增补后的矩阵充足性进行验证，直至满足规定要求，给出所需的测试性模型。本发明解决了测试性建模中测点可用性评价和序贯增补建模终止时机的判定问题，为电路系统的测试性建模提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN111368454B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010192530.6
申请日：2020-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/39 , G06F113/18
Abstract: 一种基于裸片封装结构的SiC MOSFET SPICE模型建立方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过设计PCB测试电路获得开关振荡频率和实际波形后，利用ANSYS软件的STATIC STRUCTURE建模功能、Q3D寄生参数提取功能、Saber软件中ModelArchitect构建SiC MOSFET SPICE模型的功能等，快速准确地建立了模型。本发明根据实际振荡频率进行分析，得到的寄生参数较为准确。利用Saber软件建立了一种SiC MOSFET SPICE模型，采用实际振荡频率下从封装结构提取的寄生参数，提高了仿真模型的准确性。本发明建立的模型经过与实际测试的对比，显示出较好的准确性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。
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