考虑性能退化预计误差的电子设备预防性维护策略开发方法

    公开(公告)号:CN119886876A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411953187.7

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种考虑性能退化预计误差的电子设备预防性维护策略开发方法,所述方法包括如下步骤:步骤S1、开展电子设备性能退化预计验证试验;步骤S2、确定性能退化预计误差区间;步骤S3、构建维护成本模型;步骤S4、计算不同预计误差下维护成本;步骤S5、确定最优维护策略。本发明能够得到适用于所有性能退化预计误差的有效维护策略并降低维护成本。在三相逆变器应用案例中,本发明方法确定的维护策略与不考虑性能退化预计误差的维护策略相比,在获得最低维护成本的同时避免了故障发生。

    一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置

    公开(公告)号:CN118091349B

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202311854187.7

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置,涉及功率半导体器件测试技术领域。运动单元采用三轴运动模组并设置承载平台,控制单元包括PLC控制器以及交流伺服驱动器,测试单元包括分析仪及与其测试端连接并引向外部的测试探针,测试探针随三轴运动模组位移以改变位置,PLC控制程序控制三轴运动模组的动作,上位机程序连接分析仪实现功率半导体器件的性能参数测试,同时连接PLC控制程序发送控制指令,上位机程序中电压/电流扫描范围、测试步长和扫描范围偏差的计算具有自适应能力。能够完成批量功率半导体器件的参数测试工作,自动化程度高。

    一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置

    公开(公告)号:CN118091349A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202311854187.7

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置,涉及功率半导体器件测试技术领域。运动单元采用三轴运动模组并设置承载平台,控制单元包括PLC控制器以及交流伺服驱动器,测试单元包括分析仪及与其测试端连接并引向外部的测试探针,测试探针随三轴运动模组位移以改变位置,PLC控制程序控制三轴运动模组的动作,上位机程序连接分析仪实现功率半导体器件的性能参数测试,同时连接PLC控制程序发送控制指令,上位机程序中电压/电流扫描范围、测试步长和扫描范围偏差的计算具有自适应能力。能够完成批量功率半导体器件的参数测试工作,自动化程度高。

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