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公开(公告)号：CN106449627A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610948352.9
申请日：2016-10-26
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/13 , Y02P70/521 , H01L25/167 , B82Y40/00 , H01G11/08 , H01G11/32 , H01G11/86 , H01L35/325 , H01L51/0021 , H01L51/441
Abstract: 本发明属于微型能量转化与储存器件技术领域，具体公开了一种钙钛矿太阳能电池集成器件及其制备方法，该集成器件包括从上至下依次设置的钙钛矿太阳能电池、温差发电片和超级电容器；钙钛矿太阳能电池包括从上至下依次设置的导电基底、光阳极、钙钛矿光敏层及碳对电极；温差发电片设置在所述钙钛矿太阳能电池与超级电容器之间，温差发电片与钙钛矿太阳能电池通过串联方式实现电性连接；超级电容器设置在温差发电片的冷面层上。本发明还公开了上述钙钛矿太阳能电池集成器件的制备方法。本发明的集成器件结构简单，光电转化效率高，且电能存储量大、存储和输出十分稳定，还具备制作方便，成本低廉，适合大面积工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN104627952A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510015009.4
申请日：2015-01-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性超疏水超疏油结构制备方法，该制备方法包括如下步骤：(1)制作柔性超疏水超疏油结构底层：在基底上旋涂一层负性光刻胶，不用掩膜进行曝光；(2)在步骤(1)曝光后的负性光刻胶上旋涂一层负性光刻胶，利用阵列图形掩膜进行曝光；(3)结构层光刻胶第二次曝光：采用跟步骤(2)对应的掩模进行套刻曝光；(4)显影：将上述步骤中曝光后的结构进行显影；(5)镀保护层膜：在步骤(4)中得到的结构表面形成一层保护膜；(6)剥离：将经过步骤(5)处理后得到的结构从基底上剥离，得到所述柔性超疏水超疏油结构。按照本发明的制备方法，工艺简单，成本低廉，对该柔性超疏水超疏油结构的普及应用具有极大的促进作用。
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公开(公告)号：CN120091508A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510201466.6
申请日：2025-02-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于金属‑导电聚苯胺的高厚径比盲孔金属化种子层的制备方法，包括以下步骤：S1：准备本征态聚苯胺材料，溶于酸溶液中，得到聚苯胺的酸溶液；将金属盐的酸溶液和聚苯胺的酸溶液混合，反应后得到混合酸液；对于带有盲孔的PCB板进行预处理；S2：将预处理后的PCB板浸入混合酸液中并进行超声冰水浴处理，取出后干燥，即可得到生长有种子层的PCB板，能够直接用于电镀。本发明通过在PCB板上原位形成金属颗粒掺杂聚苯胺的种子层，得到的具有种子层的PCB板可直接用于后续的铜电沉积(即，电镀铜)，能够解决现有技术中种子层沉积存在的沉积效率低、环境污染严重、工艺流程繁琐复杂等问题。
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公开(公告)号：CN118599652A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410799162.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于细胞标定分选相关技术领域，其公开了一种细胞标定与分选的无标记介电泳微流控芯片及其标定和分选方法，包括：第一入口、第二入口，第一出口以及第二出口，其中，第一入口与第一出口之间通过标定微流道连接，第一入口和第二入口与分选微流道的进口连接，第一出口和第二出口与分选微流道的出口连接；平板电极，所述标定微流道与分选微流道设于所述平板电极上方，且所述平板电极与所述标定微流道之间的夹角为70～100°，所述平板电极与所述分选微流道之间的夹角为30～60°。本申请可以在保证细胞活性的前提下实现细胞的标定和精确分选。
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公开(公告)号：CN112331740A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011163942.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种旋涂‑蒸发两步法的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于能量转化技术领域。太阳能电池的光吸收层为CsPbBr3无机钙钛矿层，其通过先旋涂PbBr2再蒸发CsBr的方法制备，具体为：先将CsBr加热升华成蒸气，该蒸气遇到PbBr2层后在PbBr2表面形成CsBr，并进行退火处理，PbBr2和CsBr相互扩散形成CsPbBr3无机钙钛矿层。本发明采用旋涂‑蒸发两步法制备的全无机钙钛矿作为光吸收层，解决了CsBr溶解度低的问题，并且避免了有毒溶剂甲醇的使用，并使得PbBr2和CsBr可以充分反应得到纯度更高的CsPbBr3无机钙钛矿层，无机钙钛矿具有更高的湿度和热稳定性，使得电池的制备能够在空气中制备，降低了对于生产设备的要求，有利于电池的大规模生产，且制备的电池稳定性好，电池性能衰减较慢。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111933650A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010715669.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：将石墨烯薄膜转移至衬底表面，采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列，得到石墨烯电极阵列；在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极，得到初始样品；将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装，得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤，大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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公开(公告)号：CN111916524A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010716183.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。本发明制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器，可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。
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公开(公告)号：CN110416333A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910625116.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)采用光刻套刻工艺和蒸发镀膜工艺在带有氮化硅绝缘层的硅基底上制备电极层；(2)在电极层上制备紫外探测薄膜，所述紫外探测薄膜是Mn掺杂CsPbBr3xCl3(1-x)紫外探测薄膜，其是通过在所述电极层上依次蒸镀PbCl2层、CsBr层、CsCl层和MnCl2层而形成的；其中，x为0.05～0.1；(3)采用滴涂方式在所述紫外探测薄膜上制备封装保护层，以将所述紫外探测薄膜进行封装，由此得到所述紫外光电探测器。本发明的成本更低且更易得，制备工艺更简单，光吸收系数更高，载流子传输更快速，适用性较强。
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公开(公告)号：CN107731939B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710867913.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , G02F1/1343 , G03F7/00 , G06F3/041 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于微钠制造相关技术领域，其公开了基于光衍射的柔性透明碳电极制备方法，该方法包括以下步骤：(1)提供基底，并在所述基底上旋涂一层负性的光刻胶；(2)将掩膜设置在所述光刻胶上，并进行曝光处理，所述掩膜上设置有网格图形，所述网格图形呈矩形，其四个角部分别连接有大尺寸图形；(3)采用显影液对曝光后得到的样品进行显影后，再进行清洗以得到光刻胶悬浮网格；(4)将步骤(3)得到的样品在保护气体氛围下进行热解，并进行剥离以得到独立的整片碳网格结构，即柔性透明碳电极。本发明通过一次曝光即可获得光刻胶悬浮网格，工艺简单，参数容易控制，成品率较高。
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公开(公告)号：CN109378384A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811133721.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件相关技术领域，其公开了一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜；(2)将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列，并在每个硫化钼薄膜块上制备金属对准标记；(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上；(4)在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极，并在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层；(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列，并进行封装，直至制备完成。本发明提高了质量，灵活性及稳定性较好，响应速度快。
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