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公开(公告)号：CN110554045A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910767044.X
申请日：2019-08-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全自动镜片缺陷检测系统，属于镜片缺陷检测领域，其包括箱体组件、净化装置、夹持装置、清洗装置、干燥装置、缺陷检测装置，净化装置分别位于箱体组件的两侧位置，夹持装置位于箱体组件整体的上部分，干燥装置位于清洗装置一侧，缺陷检测装置位于干燥装置一侧，箱体组件用作整个全自动镜片缺陷检测系统的安装框架，还用于提供工作空间以及无尘环境，净化装置用于净化工作空间以得到无尘环境，夹持装置用于夹持待检测的镜片至设定位置，清洗装置用于清洗待检测的镜片，干燥装置用于干燥清洗过的待检测镜片，缺陷检测装置用于检测镜片是否存在缺陷。本发明系统能够高效地、自动地、标准统一地进行镜片缺陷检测。
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公开(公告)号：CN111933650A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010715669.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：将石墨烯薄膜转移至衬底表面，采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列，得到石墨烯电极阵列；在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极，得到初始样品；将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装，得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤，大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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公开(公告)号：CN111916524A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010716183.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。本发明制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器，可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。
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公开(公告)号：CN110148649A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910280764.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，并具体公开了一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件及其制备方法。该方法包括在基底上制备金属层，然后在金属层上制备绝缘层；制备连续硫化钼薄膜，并将连续硫化钼薄膜转移至绝缘层的表面；制备金属纳米方体，并在金属纳米方体的表面制备SiO2层；将含有SiO2层的金属纳米方体涂覆在连续硫化钼薄膜的表面，最后进行封装得到金属纳米方体增强硫化钼光探测器件。本发明将金属纳米方体制备于连续硫化钼薄膜的表面，使金属纳米方体与金属层相互配合，能够增强局域电磁场的强度并显著提高硫化钼薄膜的光吸收率，同时通过控制金属纳米方体的尺寸、制备材料和分布密度等参数，能够提高局域电磁场强度和光吸收率。
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公开(公告)号：CN109378384A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811133721.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件相关技术领域，其公开了一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜；(2)将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列，并在每个硫化钼薄膜块上制备金属对准标记；(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上；(4)在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极，并在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层；(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列，并进行封装，直至制备完成。本发明提高了质量，灵活性及稳定性较好，响应速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111933650B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010715669.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：将石墨烯薄膜转移至衬底表面，采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列，得到石墨烯电极阵列；在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极，得到初始样品；将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装，得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤，大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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公开(公告)号：CN111916524B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010716183.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。本发明制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器，可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。
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公开(公告)号：CN109378267B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811132392.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了硫化钼薄膜及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上旋涂光刻胶并通过光刻来得到光刻胶图形；(2)采用镀膜工艺在该基底上沉积一层钼源薄膜，该钼源薄膜覆盖该光刻胶图形；(3)去除该基底上的光刻胶及覆盖该光刻胶的钼源薄膜以得到图形化钼源薄膜；(4)将该基底放入高温气氛炉内，并在该图形化钼源薄膜的上方放置衬底，同时该高温气氛炉逐渐升温，待该高温气氛炉内的温度达到钼源升华温度后向该高温气氛炉内通入硫源气体；接着，该高温气氛炉进一步加热到预定温度后保温预定时间，并将制得的硫化钼薄膜自该高温气氛炉内取出。本发明提高了硫化钼薄膜的质量，灵活性较好，效率较高。
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公开(公告)号：CN109378384B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201811133721.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件相关技术领域，其公开了一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜；(2)将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列，并在每个硫化钼薄膜块上制备金属对准标记；(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上；(4)在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极，并在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层；(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列，并进行封装，直至制备完成。本发明提高了质量，灵活性及稳定性较好，响应速度快。
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公开(公告)号：CN112229905A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010933600.9
申请日：2020-09-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N29/036 , C23C14/30 , C23C14/10 , C23C14/02 , C23C14/58 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/06 , C23C28/00 , C23C16/56
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种高选择性体声波谐振氢气传感器及其制备方法，所述氢气传感器包括氢气敏感层、氢气选择层及体声波谐振器，所述氢气敏感层设置在所述体声波谐振器上，所述氢气选择层设置在所述体声波谐振器上，且其与所述体声波谐振器之间形成收容空间，所述氢气敏感层收容在所述收容空间内；其中，所述氢气选择层为一层或者多层只允许氢气分子通过的薄膜。本发明实现了对氢气的选择性吸附，提高了检测的准确性，且所述氢气传感器的结构简单，对氢气检测选择性强，灵敏度高，响应快，且能与集成电路工艺兼容，可实现微型化，产品化，可以应用于复杂气氛环境中氢气的高灵敏检测。
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