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公开(公告)号：CN113594370B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN113594370A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN112820824A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110005175.1
申请日：2021-01-05
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了提供了一种钙钛矿忆阻器及其制备方法，包括自下而上排列的底电极、无铅钙钛矿层、聚合物保护层和顶电极层；其中，所述无铅钙钛矿层为无铅金属卤化物钙钛矿，所述无铅金属卤化物钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒结构。所述方法包括：在底电极上采用热动态旋涂法旋涂无铅金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，退火处理在底电极上形成无铅钙钛矿层；在无铅钙钛矿层上旋涂聚合物溶液，退火，在无铅钙钛矿层上形成聚合物保护层；在聚合物保护层上通过热蒸发制备顶电极，在聚合物保护层上形成顶电极层，得到钙钛矿忆阻器。本发明避免了毒性铅的使用，并且无铅钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒，覆盖率高，防止短路。
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公开(公告)号：CN113659039B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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公开(公告)号：CN113659039A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112563420A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011457667.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于日盲光电探测技术领域，具体涉及一种日盲紫外钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明日盲紫外钙钛矿光电探测器，沿光的进入方向，依次设置有滤光层、下转换发光窗口层、导电玻璃层、钙钛矿光敏层和金属电极层，所述下转换发光窗口层能够将日盲紫外光转化为荧光，所述钙钛矿光敏层能够将荧光转换为电信号。本发明将钙钛矿可见光探测器和下转化窗口层进行集成，日盲紫外光首先被下转换层薄膜吸收后转换为肉眼可见的荧光，再由钙钛矿可见光探测器捕获并转化为电信号导出，有效克服了传统钙钛矿材料的光谱响应限制，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114937708B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210578460.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于X射线探测器相关技术领域，其公开了一种全钙钛矿X射线间接探测器及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基体的一个表面上制备多个间隔设置的微通道，以得到微通道阵列结构，再将钙钛矿纳米晶量子点液体填充到微通道中，以得到钙钛矿微通道阵列；(2)在所述基体远离所述微通道阵列的表面上制备钙钛矿可见光敏层，并在所述钙钛矿微通道阵列上原位制备钙钛矿闪烁体，从而得到全钙钛矿X射线间接探测器。本发明顶层钙钛矿闪烁体吸收X射线完成荧光转换，同时引入微通道阵列结构设计以加强荧光轴向传输、抑制荧光横向串扰传输；底层钙钛矿可见光敏层薄膜吸收荧光完成光电转化。
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公开(公告)号：CN111986187A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010873329.4
申请日：2020-08-26
Applicant: 华中科技大学 , 北京卫星环境工程研究所
Abstract: 本发明属于缺陷检测相关技术领域，其公开了一种基于改进Tiny-YOLOv3网络的航天电子焊点缺陷检测方法，所述检测方法包括以下步骤：(1)利用Mobilenet网络增强Tiny_YOLOv3中用于特征提取的网络层，具体为使用轻量级网络Mobilenet替换Tiny_YOLOv3主干网络中的7层卷积与最大池化网络层，以得到改进的Tiny_YOLOv3网络；(2)将已知缺陷类型的焊点红外图像作为样本的训练数据集输入改进的Tiny_YOLOv3网络，以对改进的Tiny_YOLOv3网络进行训练和学习，继而得到改进的Tiny_YOLOv3网络模型；(3)将待测焊点样品的红外图像输入到改进的Tiny_YOLOv3网络模型，以完成焊点缺陷的检测。本发明有效提高了航天电子焊点缺陷检测准确率。
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公开(公告)号：CN115642161A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211347864.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/144 , H10K39/00 , H10K71/00 , H10K30/40 , H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/18 , G01T1/202
Abstract: 本发明属于微纳制造领域，公开了一种基于微喷印的全钙钛矿X射线探测器及其制备方法，该器件包括基底以及电学互联结构，电学互联结构中任意一对第一电极单元和第二电极单元的两个电极单元之间通过X射线检测单元相连；X射线检测单元包括自上而下设置的钙钛矿闪烁体层和钙钛矿可见光敏感层，能够实现对X射线的探测。本发明通过对器件的结构及组成进行改进，利用特定结构设计的电学互联结构引入呈阵列化分布的X射线检测单元，该X射线检测单元则通过集成两种不同的钙钛矿分别作为闪烁体与可见光敏层，匹配闪烁体荧光光谱和探测器敏感波段，能够提高X射线探测灵敏度。本发明器件尤其可以通过电流体微喷印技术制备。
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公开(公告)号：CN112331740B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011163942.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种旋涂‑蒸发两步法的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于能量转化技术领域。太阳能电池的光吸收层为CsPbBr3无机钙钛矿层，其通过先旋涂PbBr2再蒸发CsBr的方法制备，具体为：先将CsBr加热升华成蒸气，该蒸气遇到PbBr2层后在PbBr2表面形成CsBr，并进行退火处理，PbBr2和CsBr相互扩散形成CsPbBr3无机钙钛矿层。本发明采用旋涂‑蒸发两步法制备的全无机钙钛矿作为光吸收层，解决了CsBr溶解度低的问题，并且避免了有毒溶剂甲醇的使用，并使得PbBr2和CsBr可以充分反应得到纯度更高的CsPbBr3无机钙钛矿层，无机钙钛矿具有更高的湿度和热稳定性，使得电池的制备能够在空气中制备，降低了对于生产设备的要求，有利于电池的大规模生产，且制备的电池稳定性好，电池性能衰减较慢。
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