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公开(公告)号：CN108147810A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711361153.9
申请日：2017-12-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/626 , C04B41/88
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法。所述的制备方法工艺步骤：将玻璃陶瓷原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的玻璃液体；将熔融玻璃液快速倒入去离子水中，得到玻璃碎渣；将玻璃碎渣球磨、烘干后，制得粉体；将粉体烧结，制得MLCC电容陶瓷。本发明MLCC电容陶瓷制备方法，制备周期短，工艺简单，烧结温度低，得到的粉体成分均匀。
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公开(公告)号：CN105364078A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510796590.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: B22F1/0062 , B22F1/0085 , B22F3/22 , H01F1/26
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽技术领域，公开了一种具有良好导磁功能的软磁合金涂层的制备方法。所述软磁合金涂层的制备方法包括的步骤为：软磁合金粉末分级、软磁合金粉末热处理、配料、制模和固化。所制备的软磁合金涂层在直流磁场下具有较好的初始磁导率，可应用于低频磁场屏蔽领域，而且制备涂层工艺简单，较易加工，适用于任何形状的屏蔽产品。
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公开(公告)号：CN103898574A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210567719.4
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种电镀Fe-Ni合金磁屏蔽材料及其制备方法，该磁屏蔽材料为包括若干层Cu薄膜/或Ni薄膜和若干层Fe-Ni合金镀层的复合屏蔽薄膜材料，其中，所述Fe-Ni合金镀层中镍含量为50％～85％。该磁屏蔽材料具有较高的饱和磁化强度、低的剩余磁化强度和矫顽力，在低频磁场和静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。其制备方法包括以下步骤：(1)对基体表面进行清洁；(2)在基体上沉积Cu薄膜/或Ni薄膜；(3)将基体放入电镀液中电镀Fe-Ni合金镀层；(4)将镀有Fe-Ni合金镀层的基体置于电阻炉中，快速升温至300℃，在氢气保护下保温4h，最后在氢气气氛下随炉冷却进行低温退火处理；(5)重复步骤(2)～(4)得到所需的Fe-Ni合金磁屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN103849835A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210500682.3
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种带有保护层的Zr-Co-Re薄膜吸气剂及其制备方法，本发明吸气剂由吸气层和保护层组成，吸气层的主要成分为Zr、Co以及稀土元素La、Ce、Pr、Nd中的一种或几种，保护层的主要成分为Ni。本发明使用脉冲激光沉积镀膜方法制备，在绒面单晶硅上沉积含有保护层和吸气层的双层结构薄膜吸气剂。绒面衬底能增大吸气薄膜有效面积，从而提高吸气速率和吸气量。吸气层表面镀有Ni保护层，Ni对氢具有解离功能，能够提高氢的吸附量，并且保护层能够阻碍氧的吸附，降低激活温度。本发明可在180~350℃烘烤的过程中实现激活，烘烤后吸气剂在室温条件下具有良好的吸气性能，可用于高真空微电子器件中，消除内部残余气体。
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公开(公告)号：CN102558718B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010588330.9
申请日：2010-12-07
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法，该薄膜由钛酸钡和聚偏氟乙烯构成，钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量比为1.5～5.0∶1，薄膜的厚度小于50μm。在100Hz～1MHz的频率范围内，该薄膜的相对介电常数可达70以上，介电损耗低于5×10-2。本发明采用BaTiO3陶瓷与PVDF聚合物相复合，来制备介电常数较高、介电损耗较低的介电薄膜材料。采用固相反应法或化学共沉淀法制备钛酸钡陶瓷粉体，然后再采用高温干燥凝胶法或溶剂致相分离凝胶法制备得到陶瓷颗粒分布均匀、厚度可控、具有较高的介电常数和较低的介电损耗的钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜。该介电薄膜特别适用于电容器、铁电存储器等电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103182297A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110447870.X
申请日：2011-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种高吸气性能的薄膜吸气剂及制备方法。该薄膜吸气剂是在金属、硅片、陶瓷、玻璃基片或密封器件内壁沉积一层气体吸收层或是由气体吸收层与调节层构成的双层结构薄膜，气体吸收层为Zr和Co与选自Y、La、Ce、Pr、Nd中的至少一种材料形成的多元合金，调节层为Ti、Zr、Y、Hf、Mn、Cu、Cr、Al、Fe、Pt、Ru中的一种或多种组分形成的合金。制备方法是采用射频磁控溅射法来沉积气体吸收层和调节层薄膜。本发明的薄膜吸气剂在250～350℃之间激活，吸气速率高，吸气容量大，解决了附着力差、制备效率低与激活时易中毒问题，能够满足微电子机械系统(MEMS)、平板显示器(OLED/FED/LCD)、太阳能绝热板、氢敏感微电子器件的高可靠性与长寿命所需的真空工作环境的设计要求。
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公开(公告)号：CN103172277A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110439421.0
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于真空气密封装技术领域的一种光学玻璃与可伐合金之间的气密封接技术。本发明采用Pb系焊料为钎焊材料，经一定温度下的高温处理，最终实现对光学玻璃与可伐合金两种异质材料之间的焊接，从而获得可伐合金管壳上封接大面积光学窗口的封装结构件。该技术封接的光学窗口结构具有良好的机械强度和气密性能，封接工艺简单，成品率高。本发明光学玻璃与可伐合金的气密封接技术适用于光学设备制造及光学器件真空气密封装领域。
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公开(公告)号：CN102103918B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200910241997.9
申请日：2009-12-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种低频吸波材料，该低频吸波材料是由60vol.％-75vol.％的FeCo合金粉和25-40vol.％的酚醛树脂粉末混合后，热压成型而制成，其中，FeCo合金粉的平均粒度为0.25μm～0.35μm，并在该FeCo合金粉上包覆厚度为25nm～35nm的氧化铝层。该低频吸波材料的方法方法包括：(1)制备平均粒度为0.25μm～0.35μm的FeCo合金粉；(2)用化学法在FeCo合金粉上包覆氧化铝粉体，在该FeCo合金粉上包覆的氧化铝层厚度为25nm～35nm；(3)、将步骤(2)中得到的包覆氧化铝层的FeCo合金粉和酚醛树脂粉末在球磨机上进行湿混，湿混后经烘干，热压成型而制成。此材料在1-4GHz具有较高的磁导率和磁损耗，1.1～2mm厚的材料在1-4GHz频段范围内最高有-16dB的微波吸收性能。
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公开(公告)号：CN102446627A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010503094.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种金属化薄膜电容器，采用双向拉伸聚丙烯薄膜作为介质层，所述的薄膜的厚度为7.5～7.8μm，该薄膜的单面蒸镀锌铝电极，并在该面的宽度方向上的一边留边，留边以外的基条部分蒸镀有锌铝电极，将两卷上述薄膜的留边部分分别放在宽度方向上的不同的一侧上进行卷绕，卷绕成薄膜电容器。该薄膜的宽度为134.6～135.4mm，单边留边宽度为2.1～2.9mm，其在留边上的蒸镀方阻为2～5Ω/□，其在留边以外的基条部分的蒸镀方阻为10～15Ω/□。该电容量为240±5％μF和比能密度达500J/L，在100Hz条件下，其损耗角正切小于8×10-3、工作电压7000V、万次充放电电容损失量＜5％和放电电流达1380～1530A，放电时间约1～1.5ms。
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公开(公告)号：CN101230450B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710120872.1
申请日：2007-08-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法，采用溅射法在经过标准RCA清洗过程后的Si片沉积100nm厚的Pt，随后将镀铂的Si片在管式炉中200-500℃退火1小时作为衬底，随后对满足化学剂量比(Ba+Sr＝1)的BST陶瓷靶预溅射24小时，随后在Ar∶O2＝1.5-1，总压10-100mTorr，衬底温度为550-700℃，靶和基片的距离为40-80mm的条件下，采用射频溅射法沉积220nm厚的BST介电陶瓷薄膜，溅射完毕后，在总压为2×103-5×104Pa的氧气气氛下缓慢冷却到室温。本发明制备的介电陶瓷薄膜，在直流电场下具有近50％的可调性，介电常数达680以上，介电损耗为1.5％，室温下，450kV/cm的场强时漏电流仅为10-8A/cm2数量级。
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