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公开(公告)号：CN1203136A
公开(公告)日：1998-12-30
申请号：CN98102539.0
申请日：1998-06-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种含三种稀土元素的钨电极材料及其制备方法,材料中含有La2O3、Y2O3和CeO2三种稀土氧化物,每种稀土氧化物含量0.4～1.4%(重量),稀土氧化物的总含量2～2.2%(重量)。其制备方法采用两次氢气还原制成钨粉,经压型、1200℃预烧结,在90%熔断电流下垂熔烧结,后经旋锻加工成各种规格的电极,其中旋锻开坯温度1500～1550℃,中间经一次高温快速垂熔退火处理。该电极引弧性能好,使用寿命高于钍钨和铈钨。
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公开(公告)号：CN107342200B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN109360778A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811213293.6
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用步进电机辅助电化学浸润腐蚀制备单晶稀土六硼化物场发射单尖，通过调节步进电机的上下移动速率和位移，腐蚀电压和时间，使得单晶稀土六硼化物样品腐蚀和非腐蚀部位的腐蚀极化过电位产生明显差别，从而有效克服了电化学腐蚀制备单尖过程中样品与腐蚀液的手动浸润过程及腐蚀存在的杂散腐蚀现象，减小了单尖制备受人为影响的因素，提高了单尖形貌的均匀性和规则度以及制备的效率，进而改善和提高单尖阴极场发射性能，使得单晶稀土六硼化物场发射单尖作为电子源在扫描电镜、电子束光刻系统等真空电子设备领域具有广阔的运用前景。
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公开(公告)号：CN107342200A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN105695774A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610094747.7
申请日：2016-02-20
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C22C1/02 , B22F3/105 , B22F9/04 , B22F2009/043
Abstract: Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-yBy(A:Ag,Cu等，B:Si,Ge,Sn等；0≤x≤0.30，0≤y≤0.20)块体。步骤如下：首先，在经高效脱氧剂脱氧后的高纯氩气气体保护下，按化学计量比称取单质原料放入到准密封熔炼设备中将其熔炼成铸锭，然后将铸锭进行破碎。把破碎的铸锭装入硬质合金球磨罐中，采用机械球磨设备在高纯氩气气氛下进行球磨，然后将球磨后的粉料装载到石墨模具内，并置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结得到高致密度的块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，工艺参数易控制，可解决Mg元素易挥发和易氧化问题，并提高材料的致密度和可加工性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105525122A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610057670.6
申请日：2016-01-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1-xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0
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公开(公告)号：CN103700759B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210366280.9
申请日：2012-09-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法属于半导体热电材料制备技术领域。按化学计量比取Mg、Si、Sn单质原料高频感应熔炼成铸锭；将熔炼好的铸锭破碎装入下端开口的石英玻璃管内，然后竖直置于感应熔炼线圈中，快淬炉腔体抽真空后再冲入保护气体，感应熔炼使块体达到熔融态将熔体喷到铜棍上甩出，成带材，收集带材；将带材置于氩气保护气氛手套箱中研磨成粉，后放电等离子烧结成块体。本发明简单可行，工艺流程短，可以有效抑制Mg的氧化，工艺参数控制容易。样品中存在非晶/纳米晶的纳米复合结构，晶粒尺寸得到显著细化，晶粒尺寸分布可控，增加了电子和声子的散射，塞贝克系数大大上升，提高了材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN103194654B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310111654.7
申请日：2013-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种室温磁制冷材料及其制备工艺，磁制冷材料的化学通式（原子百分比）为：Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y)Al(z)，x的范围为：0.79～0.91；y的范围为:0.2～0.28；z的范围为：0.005～0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是：所制备的磁制冷材料，通过添加Al元素，形成间隙原子存在于Fe2P晶体结构相中，稳定了相结构，提高了材料的居里温度。同时，材料的转变温区基本不变、磁熵略有增加或基本不变，滞后略有减少，改善了材料的磁热效应，可应用于磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN102965562B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210437781.1
申请日：2012-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有巨磁热效应的磁制冷材料及其制备工艺。磁制冷材料的化学通式（原子百分比）为：Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z) Zn(z)，一种具有巨磁热效应的磁制冷材料，其特征在于：所涉及的磁制冷材料的化学通式为： Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z)Zn(z)，x的范围为：0.8~0.9；y的范围为:0.2~0.27；z的范围为：0.001～0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是：所制备的磁制冷材料，通过添加Zn元素，改善了材料的磁热效应，其磁熵变增大，滞后减小，可应用于磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN102528053A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110460411.5
申请日：2011-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高矫顽力锰铋磁粉的批量制备方法，属于永磁材料制备技术领域。现有制备锰铋磁粉的方法每次只能获得几十克的粉末，无法批量工业化生产，而且获得的锰铋相纯度一般不超过90％，常常有大量单质铋的存在。本发明选用金属锰和金属铋作为原料，通过煅烧、退火、球磨等工艺，制得具有高矫顽力的锰铋磁粉。通过本发明方法，可以批量制备公斤级的且室温矫顽力达到8000奥斯特以上的锰铋磁粉，且锰铋相的纯度超过90％。批量制备的磁粉仍然具有很好的高温磁性能，磁粉在25℃(室温)-200℃的温度范围内，其矫顽力随着温度的升高而增大。200℃时矫顽力可达19000奥斯特，因此磁粉十分有利于在较高的温度环境下使用。
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