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公开(公告)号：CN103700759B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210366280.9
申请日：2012-09-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法属于半导体热电材料制备技术领域。按化学计量比取Mg、Si、Sn单质原料高频感应熔炼成铸锭；将熔炼好的铸锭破碎装入下端开口的石英玻璃管内，然后竖直置于感应熔炼线圈中，快淬炉腔体抽真空后再冲入保护气体，感应熔炼使块体达到熔融态将熔体喷到铜棍上甩出，成带材，收集带材；将带材置于氩气保护气氛手套箱中研磨成粉，后放电等离子烧结成块体。本发明简单可行，工艺流程短，可以有效抑制Mg的氧化，工艺参数控制容易。样品中存在非晶/纳米晶的纳米复合结构，晶粒尺寸得到显著细化，晶粒尺寸分布可控，增加了电子和声子的散射，塞贝克系数大大上升，提高了材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN102515116A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110385352.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 高纯碲纳米粉末制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯碲块为阳极，金属钨为阴极，在高纯氩气压力为0.05～0.3MPa的气氛中，反应电流30～50A，阳极与阴极间电压为30～50V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的碲纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的碲纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。
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公开(公告)号：CN103700759A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210366280.9
申请日：2012-09-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法属于半导体热电材料制备技术领域。按化学计量比取Mg、Si、Sn单质原料高频感应熔炼成铸锭；将熔炼好的铸锭破碎装入下端开口的石英玻璃管内，然后竖直置于感应熔炼线圈中，快淬炉腔体抽真空后再冲入保护气体，感应熔炼使块体达到熔融态将熔体喷到铜棍上甩出，成带材，收集带材；将带材置于氩气保护气氛手套箱中研磨成粉，后放电等离子烧结成块体。本发明简单可行，工艺流程短，可以有效抑制Mg的氧化，工艺参数控制容易。样品中存在非晶/纳米晶的纳米复合结构，晶粒尺寸得到显著细化，晶粒尺寸分布可控，增加了电子和声子的散射，塞贝克系数大大上升，提高了材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN103332658A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310253676.7
申请日：2013-06-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高纯硒纳米粉末的制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯硒块为阳极，金属钨为阴极，在氩气压力为0.1～0.5MPa的气氛中，反应电流40～80A，阳极与阴极间电压为40～60V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的硒纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的硒纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。
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