公开(公告)号：CN105525122B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610057670.6

申请日：2016-01-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  郑亮 ,  刘洪亮 ,  李松浩 ,  周子群 ,  张久兴 ,  刘燕琴

IPC: C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C23/00 ,  B22F3/105 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1-xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0

公开(公告)号：CN105695774A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610094747.7

申请日：2016-02-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  周子群 ,  刘洪亮 ,  李松浩 ,  郑亮 ,  张久兴 ,  刘燕琴

IPC: C22C1/02 ,  B22F9/04 ,  B22F3/105

CPC classification number: C22C1/02 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/043

Abstract: Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-yBy(A:Ag,Cu等，B:Si,Ge,Sn等；0≤x≤0.30，0≤y≤0.20)块体。步骤如下：首先，在经高效脱氧剂脱氧后的高纯氩气气体保护下，按化学计量比称取单质原料放入到准密封熔炼设备中将其熔炼成铸锭，然后将铸锭进行破碎。把破碎的铸锭装入硬质合金球磨罐中，采用机械球磨设备在高纯氩气气氛下进行球磨，然后将球磨后的粉料装载到石墨模具内，并置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结得到高致密度的块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，工艺参数易控制，可解决Mg元素易挥发和易氧化问题，并提高材料的致密度和可加工性。

公开(公告)号：CN105525122A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610057670.6

申请日：2016-01-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  郑亮 ,  刘洪亮 ,  李松浩 ,  周子群 ,  张久兴 ,  刘燕琴

IPC: C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C23/00 ,  B22F3/105 ,  H01L35/34

CPC classification number: C22C1/05 ,  B22F3/105 ,  C22C1/10 ,  C22C23/00 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1-xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0

公开(公告)号：CN103601207A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310557794.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  梁超龙 ,  张繁星 ,  郑亮 ,  王杨 ,  刘洪亮 ,  李松浩 ,  张久兴

IPC: C01B35/04

Abstract: 高纯高致密YbB6多晶块体阴极材料的制备方法属于稀土六硼化物多晶阴极材料技术领域。目前，通常采用热压烧结法制备YbB6多晶块体，而热压烧结法的烧结温度高(1900-2100℃)，对模具要求高，且烧结相不纯，限制了YbB6多晶块体的应用。本发明方法烧结温度低、时间短，工艺简单，所制备的YbB6多晶块体阴极材料致密度高，相对密度最高可达98％以上，维氏硬度最高可达2670Kg／mm2，经X射线衍射分析为单一六硼化物相。

公开(公告)号：CN105895795B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201610258544.7

申请日：2016-04-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  李松浩 ,  刘洪亮 ,  郑亮 ,  周子群 ,  刘燕琴

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/12 ,  C01G19/00

Abstract: 一种新型热电材料——硒化锡(SeSn)基复合材料粉体的合成及其烧结块体的制备方法，属新型半导体热电材料制备技术领域。本发明采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法分别制备了石墨烯复合SnSe基热电材料，大幅提高了SnSe基块体材料的热电性能。本发明方法工艺时间短，简便容易实现；机械合金化的方法，可避免长时间熔炼导致Sn元素挥发损耗，有利于成分控制，有效防止最终产品成分偏离设计成分，也有利于成分调控优化SnSe基材料成分优化热电性能；通过复合石墨烯，可以有效地提高SnSe基块体材料的热电性能，对SnSe基热电材料的实际应用具有指导意义。

公开(公告)号：CN105895795A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610258544.7

申请日：2016-04-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  李松浩 ,  刘洪亮 ,  郑亮 ,  周子群 ,  刘燕琴

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/12 ,  C01G19/00

CPC classification number: H01L35/34 ,  C01G19/00 ,  H01L35/16

Abstract: 一种新型热电材料——硒化锡(SeSn)基复合材料粉体的合成及其烧结块体的制备方法，属新型半导体热电材料制备技术领域。本发明采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法分别制备了石墨烯复合SnSe基热电材料，大幅提高了SnSe基块体材料的热电性能。本发明方法工艺时间短，简便容易实现；机械合金化的方法，可避免长时间熔炼导致Sn元素挥发损耗，有利于成分控制，有效防止最终产品成分偏离设计成分，也有利于成分调控优化SnSe基材料成分优化热电性能；通过复合石墨烯，可以有效地提高SnSe基块体材料的热电性能，对SnSe基热电材料的实际应用具有指导意义。