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公开(公告)号：CN109306521A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811019797.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 电传导型Ca12Al14O32:2e-电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3粉末与Al2O3粉末以27:15的物质的量比混合均匀，并且于1450℃进行化学反应合成Ca12Al14O33与Ca3Al2O6共晶前驱体，此前驱体中Ca12Al14O33与Ca3Al2O6的物质的量比为2：1；将共晶前躯体与金属Al单质粉末混匀后，在Ar气环境下进行机械合金化，时间为15min；将机械合金化后的粉末原位反应合成电传导型Ca12Al14O32:2e-电子化合物；该制备方法5分钟内就制得电子浓度达到理论最大值2.3×1021cm-3，相对密度达到99.8％的多晶Ca12Al14O32:2e-电子化合物块体材料，且该方法简单高效，制备周期极短，成本低，易于实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN107793144A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711142934.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B2235/3208 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/96
Abstract: 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法属于半导体材料技术领域。本发明采用放电等离子烧结技术原位反应合成导电型[(Ca1-xMx)24Al28O64]4+(O2-)2-y(e-)2y块体材料。[(Ca1-xMx)24Al28O64]4+(O2-)2进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，预压成形，然后加入活性金属粉末，置于放电等离子烧结设备中，反应条件为：活性金属粉末与[(Ca1-xMx)24Al28O64]4+(O2-)2粉末的质量比为1:2～1:5，烧结温度800～1400℃，反应室真空度不高于10Pa，压力40MPa，反应5～15min。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
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公开(公告)号：CN107338472A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710505203.X
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 新型氧化物半导体多晶块体的制备方法属于氧化物半导体材料技术领域。本发明以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料，采用熔融反应-放电等离子烧结(SPS)-活性金属还原相结合的方法制备出高纯度的氧化物半导体[Cs24Al28O64]4+·[2(1-X)O2-]·4Xe-多晶块体，该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控电子浓度，从而实现新型氧化物半导体电输运特性的可控，且该方法简单易于实现工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342200B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN107342200A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN107793144B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201711142934.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法属于半导体材料技术领域。本发明采用放电等离子烧结技术原位反应合成导电型[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2‑y(e‑)2y块体材料。[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，预压成形，然后加入活性金属粉末，置于放电等离子烧结设备中，反应条件为：活性金属粉末与[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2粉末的质量比为1:2～1:5，烧结温度800～1400℃，反应室真空度不高于10Pa，压力40MPa，反应5～15min。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
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公开(公告)号：CN109306521B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811019797.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3粉末与Al2O3粉末以27:15的物质的量比混合均匀，并且于1450℃进行化学反应合成Ca12Al14O33与Ca3Al2O6共晶前驱体，此前驱体中Ca12Al14O33与Ca3Al2O6的物质的量比为2：1；将共晶前躯体与金属Al单质粉末混匀后，在Ar气环境下进行机械合金化，时间为15min；将机械合金化后的粉末原位反应合成电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物；该制备方法5分钟内就制得电子浓度达到理论最大值2.3×1021cm‑3，相对密度达到99.8％的多晶Ca12Al14O32:2e‑电子化合物块体材料，且该方法简单高效，制备周期极短，成本低，易于实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN107338472B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710505203.X
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 新型氧化物半导体多晶块体的制备方法属于氧化物半导体材料技术领域。本发明以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料，采用熔融反应‑放电等离子烧结(SPS)‑活性金属还原相结合的方法制备出高纯度的氧化物半导体[Cs24Al28O64]4+·[2(1‑X)O2‑]·4Xe‑多晶块体，该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控电子浓度，从而实现新型氧化物半导体电输运特性的可控，且该方法简单易于实现工业化生产。
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