一种室温磁制冷材料及其制备工艺

    公开(公告)号:CN103194654B

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201310111654.7

    申请日:2013-04-01

    Abstract: 本发明涉及一种室温磁制冷材料及其制备工艺,磁制冷材料的化学通式(原子百分比)为:Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y)Al(z),x的范围为:0.79~0.91;y的范围为:0.2~0.28;z的范围为:0.005~0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是:所制备的磁制冷材料,通过添加Al元素,形成间隙原子存在于Fe2P晶体结构相中,稳定了相结构,提高了材料的居里温度。同时,材料的转变温区基本不变、磁熵略有增加或基本不变,滞后略有减少,改善了材料的磁热效应,可应用于磁制冷技术中。

    一种具有巨磁热效应的磁制冷材料及其制备工艺

    公开(公告)号:CN102965562B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201210437781.1

    申请日:2012-11-05

    Abstract: 本发明涉及一种具有巨磁热效应的磁制冷材料及其制备工艺。磁制冷材料的化学通式(原子百分比)为:Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z) Zn(z),一种具有巨磁热效应的磁制冷材料,其特征在于:所涉及的磁制冷材料的化学通式为: Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z)Zn(z),x的范围为:0.8~0.9;y的范围为:0.2~0.27;z的范围为:0.001~0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是:所制备的磁制冷材料,通过添加Zn元素,改善了材料的磁热效应,其磁熵变增大,滞后减小,可应用于磁制冷技术中。

    一种从Mn5Ge3表面制备具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线的方法

    公开(公告)号:CN110052603B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201910419931.8

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 一种从Mn5Ge3表面制备具有Sn@MnOx核壳结构微/纳米线的方法,涉及金属纳米材料制备领域,实现微/纳米线直径和长度尺寸的可控制备。该方法以片状锰,铁,赤磷,锗颗粒,锡球为原料,通过高温烧结、酸腐蚀和一定温度下存放等过程,制备出直径和长度可控的具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线。本发明首次制备出具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线,其中β‑Sn微/纳米线作为“核”,超薄非晶态MnOX纳米片作为“壳”层,完全把Sn包裹住,形成Sn@MnOx微/纳米线异质结构。本发明不仅丰富了成熟的纳米结构形态库,扩大对纳米级晶体生长的理解,在制备纳米线基传感器元件方面具有潜在的应用价值。

    一种宽温域内具有正值和负值大拓扑霍尔效应的磁性材料

    公开(公告)号:CN114959403A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210505550.3

    申请日:2022-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种宽温域内具有正值和负值大拓扑霍尔效应的磁性材料,化学式为LaxNd1‑xMn2Ge2(0<x<1)。该系列磁性材料在包括室温在内的宽温域中具有大拓扑霍尔效应,且其值随温度的降低由正值变为负值,这使其有可能成为一种具有小尺寸和高密度斯格明子的磁性材料,同时其斯格明子磁畴结构的自旋方向可能随温度的变化而发生翻转,这预示着随温度的变化可形成不同的磁存储单元;此外,随着La/Nd比值的减小,其居里温度、自旋重取向温度等磁转变温度会随之升高,导致不同磁存储单元的工作温区随之变化,可以据此进行工作温区的调控。因此,该系列磁性材料是理想的磁存储和信息转换等自旋电子学器件的候选材料。

    一种从Mn5Ge3表面制备具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线的方法

    公开(公告)号:CN110052603A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201910419931.8

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 一种从Mn5Ge3表面制备具有Sn@MnOx核壳结构微/纳米线的方法,涉及金属纳米材料制备领域,实现微/纳米线直径和长度尺寸的可控制备。该方法以片状锰,铁,赤磷,锗颗粒,锡球为原料,通过高温烧结、酸腐蚀和一定温度下存放等过程,制备出直径和长度可控的具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线。本发明首次制备出具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线,其中β-Sn微/纳米线作为“核”,超薄非晶态MnOX纳米片作为“壳”层,完全把Sn包裹住,形成Sn@MnOx微/纳米线异质结构。本发明不仅丰富了成熟的纳米结构形态库,扩大对纳米级晶体生长的理解,在制备纳米线基传感器元件方面具有潜在的应用价值。

    一种室温磁制冷材料及其制备工艺

    公开(公告)号:CN103194654A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310111654.7

    申请日:2013-04-01

    Abstract: 本发明涉及一种室温磁制冷材料及其制备工艺,磁制冷材料的化学通式(原子百分比)为:Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y)Al(z),x的范围为:0.79~0.91;y的范围为:0.2~0.28;z的范围为:0.005~0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是:所制备的磁制冷材料,通过添加Al元素,形成间隙原子存在于Fe2P晶体结构相中,稳定了相结构,提高了材料的居里温度。同时,材料的转变温区基本不变、磁熵略有增加或基本不变,滞后略有减少,改善了材料的磁热效应,可应用于磁制冷技术中。

    一种具有巨磁热效应的磁制冷材料及其制备工艺

    公开(公告)号:CN102965562A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210437781.1

    申请日:2012-11-05

    Abstract: 本发明涉及一种具有巨磁热效应的磁制冷材料及其制备工艺。磁制冷材料的化学通式(原子百分比)为:Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z) Zn(z),一种具有巨磁热效应的磁制冷材料,其特征在于:所涉及的磁制冷材料的化学通式为: Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z)Zn(z),x的范围为:0.8~0.9;y的范围为:0.2~0.27;z的范围为:0.001~0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是:所制备的磁制冷材料,通过添加Zn元素,改善了材料的磁热效应,其磁熵变增大,滞后减小,可应用于磁制冷技术中。

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