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公开(公告)号：CN112695385B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011411368.9
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法，该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合，先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工，高效获得阵列结构的雏形，后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时，对雏形进行高质量表面处理进而使尖锥曲率半径减小，最终制得形貌均匀、尖锥曲率半径小、表面质量优的阴极发射体阵列结构。本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中，充分结合激光、机械和电化学技术的优点，实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备。
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公开(公告)号：CN107338472A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710505203.X
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 新型氧化物半导体多晶块体的制备方法属于氧化物半导体材料技术领域。本发明以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料，采用熔融反应-放电等离子烧结(SPS)-活性金属还原相结合的方法制备出高纯度的氧化物半导体[Cs24Al28O64]4+·[2(1-X)O2-]·4Xe-多晶块体，该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控电子浓度，从而实现新型氧化物半导体电输运特性的可控，且该方法简单易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN107342200B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN109360778A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811213293.6
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用步进电机辅助电化学浸润腐蚀制备单晶稀土六硼化物场发射单尖，通过调节步进电机的上下移动速率和位移，腐蚀电压和时间，使得单晶稀土六硼化物样品腐蚀和非腐蚀部位的腐蚀极化过电位产生明显差别，从而有效克服了电化学腐蚀制备单尖过程中样品与腐蚀液的手动浸润过程及腐蚀存在的杂散腐蚀现象，减小了单尖制备受人为影响的因素，提高了单尖形貌的均匀性和规则度以及制备的效率，进而改善和提高单尖阴极场发射性能，使得单晶稀土六硼化物场发射单尖作为电子源在扫描电镜、电子束光刻系统等真空电子设备领域具有广阔的运用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342200A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN112695385A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011411368.9
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法，该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合，先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工，高效获得阵列结构的雏形，后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时，对雏形进行高质量表面处理进而使尖锥曲率半径减小，最终制得形貌均匀、尖锥曲率半径小、表面质量优的阴极发射体阵列结构。本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中，充分结合激光、机械和电化学技术的优点，实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备。
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公开(公告)号：CN109360778B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811213293.6
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用步进电机辅助电化学浸润腐蚀制备单晶稀土六硼化物场发射单尖，通过调节步进电机的上下移动速率和位移，腐蚀电压和时间，使得单晶稀土六硼化物样品腐蚀和非腐蚀部位的腐蚀极化过电位产生明显差别，从而有效克服了电化学腐蚀制备单尖过程中样品与腐蚀液的手动浸润过程及腐蚀存在的杂散腐蚀现象，减小了单尖制备受人为影响的因素，提高了单尖形貌的均匀性和规则度以及制备的效率，进而改善和提高单尖阴极场发射性能，使得单晶稀土六硼化物场发射单尖作为电子源在扫描电镜、电子束光刻系统等真空电子设备领域具有广阔的运用前景。
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公开(公告)号：CN110817916A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911153049.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01F7/16
Abstract: 一种导电性钙铝石化合物低温快速合成方法属于半导体材料技术领域。本发明将可溶性盐CaX2、AlX3和C6H8O7、C4H6O2放入磁力搅拌器中70℃，1h得到无色透明的溶液，再将此溶液加热200℃、1h蒸干后得到钙、铝金属络合物；将其研磨成粉末后，装入石墨模具中，预压成形，置于放电等离子烧结设备中，合成导电型[Ca24Al28O64]4+4e-块体材料；反应条件为：烧结温度700～1200℃，反应室气压小于20Pa，成型接触压强15Pa，反应时间15min，随炉冷却脱模得到钙铝石型导电化合物[Ca24Al28O64]4+4e-块体材料。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，还原彻底，温度低，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
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公开(公告)号：CN107338472B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710505203.X
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 新型氧化物半导体多晶块体的制备方法属于氧化物半导体材料技术领域。本发明以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料，采用熔融反应‑放电等离子烧结(SPS)‑活性金属还原相结合的方法制备出高纯度的氧化物半导体[Cs24Al28O64]4+·[2(1‑X)O2‑]·4Xe‑多晶块体，该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控电子浓度，从而实现新型氧化物半导体电输运特性的可控，且该方法简单易于实现工业化生产。
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