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公开(公告)号：CN118352310A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410178652.8
申请日：2024-02-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H05K1/18
Abstract: 本申请为堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备，提供一种堆叠叉板晶体管的电源轨的连接方法、堆叠叉板晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一半导体结构上形成第一电源轨；在第一电源轨上形成第一介电壁结构；去除第二牺牲层，并在第一源极结构中形成与第一电源轨连接的第一金属连通结构；在第二半导体结构和第三半导体结构上形成第一金属互连层；将第二半导体结构和第三半导体结构进行倒片；去除衬底和浅沟槽牺牲层的一部分，直至暴露出一对有源结构的第二部分；在一对有源结构的第二部分之间形成第二介电壁结构；在第四半导体结构和第五半导体结构上形成第二金属互连层。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。
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公开(公告)号：CN118352304A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410298794.8
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构和背面层间介质层；依次对背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构、背面有源结构、正面源漏结构、正面有源结构和正面栅极结构进行光刻，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介电材料，以形成介质叉板结构；形成背面金属互连层；正面晶体管和背面晶体管自对准。通过本申请，可以简化工艺流程。
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公开(公告)号：CN118352296A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410305045.3
申请日：2024-03-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第二有源结构相比于第一有源结构靠近半导体衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一源漏结构；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二源漏结构；在形成第一源漏结构和/或第二源漏结构之前，形成隔离层；隔离层位于堆叠晶体管的源漏区域内，且隔离层用于电学隔离位于源漏区域内的第一源漏结构和第二源漏结构。
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公开(公告)号：CN117116858B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310987549.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分；在衬底上形成浅沟槽隔离层，以覆盖第二部分；在浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层；基于所述第一部分，形成底层晶体管；倒片并刻蚀衬底以及浅沟槽隔离层，以暴露刻蚀阻挡层以及第二部分；基于第二部分形成顶层晶体管。底层晶体管的第一栅极结构与顶层晶体管的第二栅极结构位于刻蚀阻挡层相对的两侧。
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公开(公告)号：CN118073279A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410178542.1
申请日：2024-02-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L23/528 , H01L23/48 , H05K1/18
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118016592A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410120680.4
申请日：2024-01-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L27/085
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：对第一正面栅极结构、第一背面栅极结构、第三正面栅极结构和第三背面栅极结构进行栅极切断，以形成第一栅极切断凹槽和第二栅极切断凹槽，以及对第二背面栅极结构进行栅极切断，以形成第三栅极切断凹槽；在第一栅极切断凹槽、第二栅极切断凹槽和第三栅极切断凹槽中填充绝缘材料，以形成第一栅极切断结构、第二栅极切断结构和第三栅极切断结构；对第二栅极切断结构对应于第三背面栅极结构的部分进行光刻，以形成第四栅极切断结构和第一凹槽；在第一凹槽中填充金属材料，以形成栅极互连金属。通过本申请，可以实现半导体结构中的电学互连的灵活设计。
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公开(公告)号：CN117438470B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311397765.9
申请日：2023-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。
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公开(公告)号：CN117995778A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410069577.1
申请日：2024-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/74
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括用于制备第一晶体管的第一有源结构和用于制备第二晶体管的第二有源结构；基于有源结构，形成第一浅沟槽隔离层、第二浅沟槽隔离层和第三浅沟槽隔离层；去除第一浅沟槽隔离层或第三浅沟槽隔离层，以暴露第二浅沟槽隔离层；在第二浅沟槽隔离层上刻蚀出第一凹槽；通过在第一凹槽中沉积金属材料，形成埋层结构；埋层结构与第一晶体管的金属通孔和/或第二晶体管的金属通孔连接。通过本申请，可以在半导体结构内部实现信号线的互连。
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公开(公告)号：CN117334693B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311319773.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/02 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体制备方法、半导体结构和芯片。该方法包括：在第一衬底上形成第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管与第一衬底之间形成有BDI层；对第一衬底所在的晶圆进行倒片；去除第一衬底，以暴露出BDI层；去除BDI层中与第一晶体管对应的部分，以暴露出第一晶体管的第一外延结构，其中，第一外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极；在第一外延结构上形成第二外延结构，其中，第一外延结构和第二外延结构构成静电放电路径。通过本申请的方案，能够为具有BDI层的GAA晶体管提供ESD保护。
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公开(公告)号：CN117525009A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311648227.2
申请日：2023-12-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/467 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种功率射频器件的近结嵌入式微气道结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明采用高热导率材料制备器件的上表面均热结构和衬底层，实现了双面均热/散热，有效增加了器件的均热/散热能力，同时将微气道热沉直接引入器件的近结区域，显著增强了近结区域的散热能力，同时填充高导热系数气体，提高对流换热系数。因此本发明解决了器件上表面难以集成热沉的应用难题，实现嵌入式近结点均热/散热效果。
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