公开(公告)号：CN117497608A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311610401.4

申请日：2023-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  王昱翔 ,  吴恒 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了基于金刚石上硅的围栅晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域。本发明采用金刚石上硅(SOD)衬底制备围栅晶体管，包括由上到下层叠的器件层、金刚石均热层和硅衬底，在所述金刚石均热层中设置p阱或n阱，与其上方器件层中的围栅晶体管的n型或p型沟道形成反偏结；所述硅衬底在背面具有微通道热沉结构。SOD衬底相较于SOI衬底具有更好的均热效果，并解决了寄生衬底漏电和寄生电容问题；同时金刚石具有优异的抗腐蚀能力，可作为刻蚀阻挡层用于器件结构成型，简化工艺流程；衬底背面形成基于液体冷却的微通道热沉能够更好散热。将本发明的围栅晶体管作为高性能逻辑器件应用于芯片中，能够提升计算频率，增加稳定性和寿命。

公开(公告)号：CN117525009A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311648227.2

申请日：2023-12-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  孙梓轩 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/467 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种功率射频器件的近结嵌入式微气道结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明采用高热导率材料制备器件的上表面均热结构和衬底层，实现了双面均热/散热，有效增加了器件的均热/散热能力，同时将微气道热沉直接引入器件的近结区域，显著增强了近结区域的散热能力，同时填充高导热系数气体，提高对流换热系数。因此本发明解决了器件上表面难以集成热沉的应用难题，实现嵌入式近结点均热/散热效果。

公开(公告)号：CN106126452B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201610437689.3

申请日：2016-06-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢广明 ,  王伟 ,  周阳 ,  程哲 ,  王子剑 ,  王晨 ,  范瑞峰

IPC: G06F13/362

Abstract: 本发明提出了一种基于IIC协议的Linux操作系统与裸机通信的方法，包括：对采用Linux系统的多个硬件和裸机同时挂载在总线上，包括:配置一个主机设备和多个从机设备，每个从机设备与至少一个外接设备相连，其中，所述主机设备采用Linux系统，从机设备为裸机，所述主机设备、所述从机设备和所述外接设备之间采用IIC协议进行通信；步骤S2，在建立上述通信连接后，所述主机设备对至少一个从机设备进行数据读取和/或写入操作。本发明通过采用IIC协议可以实现Linux操作系统主机设备和从机设备之间的高效有效传输。

公开(公告)号：CN118039495A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410156919.3

申请日：2024-02-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  孙梓轩 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开一种氮化镓器件和金刚石衬底的键合方法，属于半导体技术领域。本发明首先在金刚石衬底上制备硅薄膜，利用高温退火，碳原子和硅原子之间反应形成了厚度在纳米量级的大面积的碳化硅薄膜，再使用表面活化键合技术将氮化镓器件与金刚石‑纳米立方碳化硅衬底常温键合。采用本发明可形成高强度的键合界面，不需要中间层，大大提高键合效率，完成大面积键合，有利于获得高的界面热导，且将氮化镓器件常温键合到金刚石上有利于均热。

公开(公告)号：CN118028975A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410156918.9

申请日：2024-02-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  孙梓轩 ,  王润声 ,  黄如

IPC: C30B29/04 ,  C30B29/40 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开一种单晶金刚石衬底上制备氮化镓外延片的方法，属于半导体技术领域。本发明在金刚石衬底上制备硅薄膜，高温退火后，硅薄膜变为碳化硅薄膜，在碳化硅薄膜上进一步生长出高质量氮化铝缓冲薄膜层，并在缓冲层基础上生长氮化镓外延层。采用本发明制备出的氮化镓外延片具备优异的性能，且具有更为出色的散热性能。

公开(公告)号：CN106126452A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610437689.3

申请日：2016-06-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢广明 ,  王伟 ,  周阳 ,  程哲 ,  王子剑 ,  王晨 ,  范瑞峰

IPC: G06F13/362

Abstract: 本发明提出了一种基于IIC协议的Linux操作系统与裸机通信的方法，包括：对采用Linux系统的多个硬件和裸机同时挂载在总线上，包括:配置一个主机设备和多个从机设备，每个从机设备与至少一个外接设备相连，其中，所述主机设备采用Linux系统，从机设备为裸机，所述主机设备、所述从机设备和所述外接设备之间采用IIC协议进行通信；步骤S2，在建立上述通信连接后，所述主机设备对至少一个从机设备进行数据读取和/或写入操作。本发明通过采用IIC协议可以实现Linux操作系统主机设备和从机设备之间的高效有效传输。