公开(公告)号：CN117438470B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311397765.9

申请日：2023-10-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王志灏 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。

公开(公告)号：CN117438470A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311397765.9

申请日：2023-10-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王志灏 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。

公开(公告)号：CN117316770B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311317907.6

申请日：2023-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  王志灏 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第二掺杂区；其中，牺牲栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；在形成第二掺杂区之后，去除牺牲栅极，并在牺牲栅极去除的位置形成栅极。

公开(公告)号：CN117316770A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311317907.6

申请日：2023-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  王志灏 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第二掺杂区；其中，牺牲栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；在形成第二掺杂区之后，去除牺牲栅极，并在牺牲栅极去除的位置形成栅极。

公开(公告)号：CN118213401A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311369577.5

申请日：2023-10-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王志灏 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管，该方法包括：通过前道工艺，在衬底上形成一垂直晶体管；翻转衬底所在的晶圆，并对衬底进行减薄处理，直至达到预设厚度；在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构；在第一通孔内沉积金属材料，以形成第一有源结构对应的第一接触孔。通过本申请，可以使第一接触孔和第二接触孔分别设置在垂直晶体管的底部和顶部，有利于缩小第一有源结构的尺寸，进而达到缩小垂直晶体管尺寸的目标。