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公开(公告)号：CN1127804A
公开(公告)日：1996-07-31
申请号：CN95101275.4
申请日：1995-01-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种用于生长GaN及其有关化合物单晶薄膜的装置及方法。同轴双管分流器把NH3气与III族有机源分别输运，可方便地调整它们的混合点，使两种气体快速混合并层流扩展，最大限度地减小气相副反应；气流压缩型MOVPE反应系统，可获得高质量均匀的GaN及其有关化合物单晶薄膜，。提高材料的利用效率达6-7倍。可用于GaN-based兰光LED和LD的生产和研究，亦可用于GaN高温，大功率电子器件等方面的应用研究。
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公开(公告)号：CN115579280B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211239724.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明利用层状结构的二维晶体分离层和厚膜分离层结合原位刻蚀和高温退火等方法制备低位错密度的GaN厚膜，二维晶体分离层和厚膜分离层作为二维晶体掩膜能够防止在GaN厚膜中引入热失配应力，提高GaN单晶衬底的晶体质量，位错密度低，且具有良好的尺寸扩展能力；基板能够重复利用，工艺简单，节能环保；利用多层二维晶体掩膜实现多块GaN单晶衬底的单次原位制备与分离，能够提高产率并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113946089B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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公开(公告)号：CN110911274B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201911021081.2
申请日：2019-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公布了一种III族氮化物外延薄膜及其选区生长方法，在图形化衬底的图形上方以转移的碳纳米管作为位错截止层，利用有周期性的碳纳米管阵列制备具有空间结构的复合衬底，通过一次生长完成微米图形诱导位错弯曲的过程和纳米多孔层实现位错截止的过程，有效降低位错，从而获得高质量III族氮化物外延薄膜。本发明工序简单、成本低廉，兼容性高，非常便于产业化应用。
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公开(公告)号：CN111430218B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910019649.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法，其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔，将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料，生长过程中，金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触，一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层，促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离，得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底，另一方面，金属助溶剂与氮形成中间体，该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长，应用于钠流法技术制备时，改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题，提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115012040B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210947857.9
申请日：2022-08-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用单晶二维材料制备大尺寸氮化物体单晶的方法。本发明利用拼接多晶氮化物基元得到载体氮化物基板，在其上下表面转移的二维材料上制备单晶扩展层与单晶截止层，通过构建高温高压温度梯度场诱导从单晶AlN诱导体到整个氮化物结构的单晶化过程，能够制备出厘米级厚度百微米直径以上的大尺寸氮化物体单晶，并制备GaN或AlN等不同氮化物体单晶，通过超高质量的单晶AlN诱导体诱导重结晶，能够得到极高晶体质量的氮化物体单晶，工艺难度小并适于批量生产；本发明适用于氮化物半导体单晶衬底制备产业，氮化物体单晶切割后，能够作为衬底用于制造高性能的发光器件和电子器件，在激光照明、射频通讯等领域具有重要应用。
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公开(公告)号：CN113584580B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN114318307A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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公开(公告)号：CN109904285B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910179765.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN112542533A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011380972.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。
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