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公开(公告)号：CN110616462B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga‑Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
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公开(公告)号：CN111155163B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN111430245A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910019641.4
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/492 , C04B41/51
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基板的金属化方法，包括如下步骤：首先，根据预设的导电线路参数在陶瓷基板表面进行图案化处理以在陶瓷基板表面形成有预设深度与宽度的线路图案；然后，在经过图案化处理的陶瓷基板表面制备过渡金属层和加厚金属层；之后，将陶瓷基板表面的非线路图案部分的金属层除去，以得到填充于陶瓷基板内的导电金属线路，进行表面处理后，最终得到平整光滑的高精度陶瓷线路板；本发明通过预先在陶瓷基板上制备预设深度和宽度的线路图案，将线路图案深入到陶瓷基板内部，可高精度控制金属化过程中的导电金属线路的宽度与厚度，从而得到高精细化导电金属线路，同时，本发明的导电金属线路填充于陶瓷基板的线路图案内也提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN111430218B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910019649.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法，其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔，将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料，生长过程中，金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触，一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层，促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离，得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底，另一方面，金属助溶剂与氮形成中间体，该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长，应用于钠流法技术制备时，改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题，提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111155163A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN109738458A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910162017.X
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G01N21/91
Abstract: 本发明涉及一种表面微裂纹检测方法，包括以下步骤：首先，对基材进行加工并去除基材表面的异物；然后，将加工后的基材放入含有环保型染料的溶液中进行染色；接着，将染色后基材表面的环保型染料溶液擦拭去除并干燥；最后，将表面处理干净的基材放置在强光下进行观察，本发明通过染料染色的方式预先在基材表面进行染色处理，使裂纹与基材之间有明显的颜色差异，再在强光下对基材表面进行观察检测，检测更加快捷、准确，彻底改变了现有的裂纹检测方法，并且通过采用环保型染料替代现有的渗透液和显示液，更加环保安全，染色过程中无有毒气体释放，同时，本发明的微裂纹检测方法操作简单、无需使用复杂的设备与仪器，有效降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN111430218A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910019649.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法，其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔，将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料，生长过程中，金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触，一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层，促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离，得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底，另一方面，金属助溶剂与氮形成中间体，该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长，应用于钠流法技术制备时，改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题，提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。
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公开(公告)号：CN110760926A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911155967.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种制备高质量GaN单晶衬底的方法，本发明通过将金属镓与金属催化剂分离，使氮气优先在金属催化剂作用下解离，不但能提高熔体中氮的含量，提高源材料的利用率与GaN单晶的生长速率，同时，也有效抑制了熔体界面GaN多晶的产生，并通过微流通道阻止杂质的间入，从而得到高质量的GaN单晶材料，是一种实现高质量GaN单晶衬底量产的有效方法。
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公开(公告)号：CN110616462A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga-Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
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