公开(公告)号：CN110911274B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201911021081.2

申请日：2019-10-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  李孟达 ,  王昆 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公布了一种III族氮化物外延薄膜及其选区生长方法，在图形化衬底的图形上方以转移的碳纳米管作为位错截止层，利用有周期性的碳纳米管阵列制备具有空间结构的复合衬底，通过一次生长完成微米图形诱导位错弯曲的过程和纳米多孔层实现位错截止的过程，有效降低位错，从而获得高质量III族氮化物外延薄膜。本发明工序简单、成本低廉，兼容性高，非常便于产业化应用。

公开(公告)号：CN110911274A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911021081.2

申请日：2019-10-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  李孟达 ,  王昆 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公布了一种III族氮化物外延薄膜及其选区生长方法，在图形化衬底的图形上方以转移的碳纳米管作为位错截止层，利用有周期性的碳纳米管阵列制备具有空间结构的复合衬底，通过一次生长完成微米图形诱导位错弯曲的过程和纳米多孔层实现位错截止的过程，有效降低位错，从而获得高质量III族氮化物外延薄膜。本发明工序简单、成本低廉，兼容性高，非常便于产业化应用。