公开(公告)号：CN1127804A

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：CN95101275.4

申请日：1995-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  童玉珍 ,  党小忠 ,  金泗轩

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提出了一种用于生长GaN及其有关化合物单晶薄膜的装置及方法。同轴双管分流器把NH3气与III族有机源分别输运，可方便地调整它们的混合点，使两种气体快速混合并层流扩展，最大限度地减小气相副反应；气流压缩型MOVPE反应系统，可获得高质量均匀的GaN及其有关化合物单晶薄膜，。提高材料的利用效率达6-7倍。可用于GaN-based兰光LED和LD的生产和研究，亦可用于GaN高温，大功率电子器件等方面的应用研究。

公开(公告)号：CN1037283C

公开(公告)日：1998-02-04

申请号：CN95101275.4

申请日：1995-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  童玉珍 ,  党小忠 ,  金泗轩

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提出了一种用于生长氮化镓(GaN)及其有关化合物单晶薄膜的方法及其装置。同轴双管分流器把NH3气与Ⅲ族有机源分别输运，可方便地调整它们的混合点，使两种气体快速混合并层流扩展，最大限度地减小气相副反应；气流压缩型MOVPE反应系统，解决了热浮力问题，可获得高质量均匀的氮化镓(GaN)及其有关化合物单晶薄膜，可用于氮化镓(GaN)-based兰光LED和LD的生产和研究。