-
公开(公告)号：CN117894754A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410177747.8
申请日：2024-02-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构，鳍状结构包括第一部分和第二部分；基于第一部分，形成第一半导体结构；在第一半导体结构的单扩散隔离区域内形成第一单扩散隔断结构；对第一半导体结构进行倒片并去除半导体衬底，以暴露鳍状结构的第二部分；基于第二部分，形成第二半导体结构；在第二半导体结构的单扩散隔离区域内形成第二单扩散隔断结构；其中，第一单扩散隔断结构和第二单扩散隔断结构中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一半导体结构上的第一金属互连层和位于第二半导体结构上的第二金属互连层连接。
-
公开(公告)号：CN117855144A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311694452.X
申请日：2023-12-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L23/538 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。
-
公开(公告)号：CN117476466A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311452213.3
申请日：2023-11-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，该方法包括：在衬底上依次沉积牺牲层以及叠层，叠层由第一半导体材料层和第二半导体材料层交替层叠形成的；刻蚀牺牲层和叠层，以形成鳍状结构；在鳍状结构的两端，外延生长源极结构和漏极结构；刻蚀牺牲层，以在叠层、源极结构、漏极结构与衬底之间形成底层间隙；在底层间隙处填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。本申请实施例提供的底部介质隔离的制备方法，可以改善源漏外延的生长质量，对沟道提供更好的应力。
-
公开(公告)号：CN117438470A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311397765.9
申请日：2023-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。
-
公开(公告)号：CN117116942A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310986859.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/48
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，有源结构的第一部分对应的第一有源区与衬底之间形成有隔离结构；对衬底所在的晶圆进行倒片处理；在隔离结构中形成通孔，以暴露有源结构的第一部分对应的第一有源区和/或第一接触金属；对通孔进行金属化处理；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，其中，有源结构的第二部分对应的第二接触金属与第一有源区和/或第一接触金属通过通孔互连。通过本申请的方案，能够实现堆叠晶体管中上下层晶体管的源漏互连。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119997596A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124629.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：去除第二伪栅结构，以暴露第二有源结构和栅极隔离层；在第一半导体单元中的第二有源结构、栅极隔离层之上涂覆光刻胶，并通过光刻工艺，至少去除第二半导体单元中的栅极隔离层；依次去除第一伪栅结构和光刻胶，以暴露第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，以及第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构；基于第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，形成第一栅极结构和第二栅极结构，以及同时基于第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构，形成第三栅极结构和第四栅极结构。
-
公开(公告)号：CN119153404B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411135779.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分靠近衬底；刻蚀源漏区域内的有源结构，并在第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构，源漏区域包括第一源漏区域和第二源漏区域，第一源漏区域与第一部分对应，第二源漏区域与第二部分对应；基于第二源漏区域，形成第一晶体管的第一源漏结构和第一源漏金属；对第一晶体管进行倒片并去除衬底；通过材料的选择性刻蚀填充结构，以暴露第一源漏区域；基于第一源漏区域，形成第二晶体管的第二源漏结构和第二源漏金属。本申请可以实现正背面晶体管的完全自对准。
-
公开(公告)号：CN117995776B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410057642.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 北京大学
IPC: H10D84/03 , H10D84/83 , H10D62/10 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于第一有源结构和第二有源结构之间；形成间隔设置在第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹第二有源结构的第一浅槽隔离结构；去除刻蚀后的中间牺牲层，以形成第一间隙；在第一间隙中填充绝缘材料，以形成中间介质隔离层，中间介质隔离层用于隔离第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构和第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管。通过本申请，可以实现第一有源结构和第二有源结构之间的电学隔离。
-
公开(公告)号：CN118073279B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410178542.1
申请日：2024-02-09
Applicant: 北京大学
IPC: H10D84/03 , H10D84/83 , H01L23/528 , H01L23/48 , H05K1/18
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。
-
公开(公告)号：CN118352341B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410298110.4
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积金属材料，形成第一金属结构；在第一金属结构上形成第一金属互连层；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层直至暴露第一金属结构，形成第二凹槽，并在第二凹槽内沉积金属材料，形成第二金属结构；在第二金属结构上形成第二金属互连层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
125
records
(took 0.024 seconds)
