公开(公告)号：CN102810548A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210175540.4

申请日：2012-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤吉健太郎 ,  望月千织 ,  渡边实 ,  大藤将人 ,  横山启吾 ,  川锅润 ,  和山弘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括在基板上的像素，每个像素包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，并且针对每个像素被隔离，所述开关元件和所述电极在形成于保护层和层间绝缘层中的接触孔中连接，所述保护层和所述层间绝缘层设置在所述开关元件与所述电极之间，所述方法包括：在所述层间绝缘层之上、在与所述层间绝缘层接触的电极之间形成绝缘构件；形成覆盖所述绝缘构件和所述电极的杂质半导体膜；以及形成覆盖所述保护层中所述电极的一部分的正交投影图像位于其中的区域的涂覆层，所述部分在所述接触孔内包括水平差。

公开(公告)号：CN101960571B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980107330.8

申请日：2009-03-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  清水久惠 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  高井康好 ,  川崎岳彦 ,  金子典夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633

Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。

公开(公告)号：CN101595564B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880003355.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  林享

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/3248 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323

Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。

公开(公告)号：CN101595564A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003355.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  林享

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/3248 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323

Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。