放射线摄像装置及控制方法、放射线摄像系统及存储介质

    公开(公告)号:CN110623682B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN201910541977.7

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明公开一种放射线摄像装置及控制方法、放射线摄像系统及存储介质。提供了一种放射线摄像装置,包括:摄像单元,被配置为生成放射线图像;检测器,被配置为检测放射线以便监视入射剂量;处理器,包括放大器,并被配置为执行从所述摄像单元和所述检测器中读出信号、并基于读出信号而输出信号的处理;以及控制器,被配置为控制所述处理器。所述控制器促使所述处理器在放射线照射之前在第一电力消耗模式下操作并执行重置操作,以及根据指示放射线照射开始的开始信息,促使所述处理器在电力消耗高于所述第一电力消耗模式的第二电力消耗模式下操作,并促使所述处理器基于从所述检测器读出的信号开始输出用于监视入射剂量的信号。

    辐射检测装置和辐射检测系统

    公开(公告)号:CN104851897B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201510068263.0

    申请日:2015-02-10

    Abstract: 本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括:转换元件,包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极;切换元件,与第一电极电连接;以及第一绝缘层,分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数,以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2%。

    放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统

    公开(公告)号:CN102885632B

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201210250693.0

    申请日:2012-07-19

    Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统。该检测装置包括:驱动电路单元,在所述驱动电路单元中,为多个对应的驱动线提供了多个单元电路,每个单元电路包括第一电路和第二电路,所述第一电路根据启动信号将像素的开关元件的基于时钟信号中所包括的电压的导通电压供给驱动线,所述第二电路根据终止信号将所述开关元件的非导通电压供给驱动线;和控制单元,所述控制单元将所述时钟信号供给所述驱动电路单元。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路,所述多个单元电路中的每个还包括第三电路,所述第三电路根据所述控制电压继续将非导通电压供给对应的驱动线。

    检测器件制造方法、检测器件和检测系统

    公开(公告)号:CN102810547A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210168410.8

    申请日:2012-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中,所述检测器件包括排列在基板上的多个像素,并且还包括层间绝缘层,所述像素各自包括开关元件和转换元件,所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层,所述电极设置在所述开关元件之上,针对每个像素被隔离,并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成,所述层间绝缘层由有机材料制成,设置在所述开关元件与所述电极之间,并且覆盖所述开关元件,所述方法包括:形成绝缘构件,所述绝缘构件均由无机材料制成,并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层;和形成杂质半导体膜,所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极,并且变为所述杂质半导体层。

    放射线检测装置、放射线检测系统和该装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102590850A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210004896.1

    申请日:2012-01-10

    CPC classification number: G01T1/2018

    Abstract: 本发明涉及一种放射线检测装置、放射线检测系统和该装置的制造方法。放射线检测装置包括荧光体、多个光电转换元件和具有与荧光体相对的第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板。基板、光电转换元件和荧光体从放射线检测装置的放射线入射侧被依次布置,并且,第二表面包含多个凹陷和突起,所述多个凹陷布置于正交投影区域中,多个投影的光电转换元件的正交投影位于所述正交投影区域,部分所述突起位于所述正交投影区中,并且所述突起的所述部分以外的剩余部分位于所述正交投影区域之间。

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