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公开(公告)号:CN107589127B
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201710548778.X
申请日:2017-07-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明涉及放射线成像系统。放射线成像系统包括像素阵列、扫描像素阵列的行的扫描电路和从像素阵列读取信号的读出电路。各像素包含生成与放射线对应的电信号的转换器和与转换器连接的晶体管。读出电路经由所述晶体管从转换器读取信号。系统执行图像捕获模式和调整所述晶体管的阈值电压的调整模式。在调整模式中,扫描电路向所述晶体管的栅极供给与图像捕获模式中的关断电压不同的关断电压。扫描电路在图像捕获模式中以至少一个行为单位扫描行,并且在调整模式中以至少两个行为单位扫描行。
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公开(公告)号:CN105030261B
公开(公告)日:2018-10-02
申请号:CN201510214273.0
申请日:2015-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
Abstract: 本发明涉及放射线成像装置和放射线成像系统。一种像素包括检测放射线的转换元件,以及该元件和信号线之间的开关。读出单元读出信号线上的信号。读出单元包括重置信号线的电势的重置单元。在其期间读出单元读出信号线上的信号的时间段包括第一时间段,在其期间信号线被重置,并且读出在开关不导通的状态下该信号线上的信号,以及第二时间段,在其期间信号线被重置,并且读出由于所述开关导通而产生的信号线上的信号。处理单元计算第二时间段和第一时间段中读出的信号之间的差。
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公开(公告)号:CN102565837B
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201110364185.0
申请日:2011-11-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2928 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14663 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了放射线检测装置和放射线检测系统。该放射线检测装置包括被配置用于将入射的放射线转换成可见光的闪烁体、光电转换单元和导电部件。光电转换单元包含布置于基板上的多个像素的二维阵列。各像素被配置用于将可见光转换成电信号。导电部件被供给固定电势。导电部件、基板、光电转换单元和闪烁体被依次从放射线检测装置的放射线入射侧到其相反侧设置。
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公开(公告)号:CN103367379A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310113530.2
申请日:2013-04-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0224 , G01T1/24 , H01L27/14658 , H01L27/14665 , H01L27/14687 , H01L31/18
Abstract: 本公开内容涉及放射线检测装置及其制造方法和放射线成像系统。一种包括光电转换元件的放射线检测装置的制造方法包括通过去除在半导体层之上形成的电极层的一部分来形成第二电极,该部分位于半导体层的端部上,所述光电转换元件包含位于基板之上的第一电极、位于第一电极上的半导体层和位于半导体层上的第二电极。所述方法包括形成绝缘层,使得绝缘层覆盖半导体层的未被第二电极覆盖的部分。所述方法还包括在绝缘层的至少一部分上形成第三电极,使得绝缘层被夹在第三电极与半导体层的所述端部之间。
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公开(公告)号:CN103006245A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201210347102.1
申请日:2012-09-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14663
Abstract: 本发明涉及放射线检测设备和包括该放射线检测设备的检测系统。一种检测设备包括:转换元件;晶体管,包括半导体层、第一栅极电极以及第二栅极电极,该半导体层包括第一沟道区和第二沟道区;与第一栅极电极连接的第一驱动布线;与第二栅极电极连接的第二驱动布线;第一导通电压供应单元,将第一导通电压供应给第一驱动布线;第二导通电压供应单元,将第二导通电压供应给第二驱动布线;以及选择单元,选择在第二驱动布线与第一导通电压供应单元之间的第一连接以及在第二驱动布线与第二导通电压供应单元之间的第二连接中的任何一个。
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公开(公告)号:CN102565843A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110296066.6
申请日:2011-09-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/243
Abstract: 本申请涉及检测装置和放射线检测系统。层叠型检测装置包含沿行方向和列方向以小的间隔布置的多个像素,并且具有允许高速驱动操作的小的信号线电容。各像素包含被配置为将放射线或光转换成电荷的转换元件和被设置在绝缘基板上的开关元件。驱动线被设置在绝缘基板上并与沿行方向布置的开关元件连接;并且,信号线与沿列方向布置的开关元件连接。各转换元件被设置在相应的开关元件之上。通过使用被嵌入位于驱动线的最上表面部分之下的绝缘层中的导电层来实现驱动线,该驱动线的最上表面部分位于开关元件的主电极的最上表面部分之下,该开关元件的主电极的最上表面部分位于转换元件之下。
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公开(公告)号:CN102446931A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110294278.0
申请日:2011-09-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/00
CPC classification number: G01T1/247 , G01T1/24 , H01L27/14663 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及一种检测装置和辐射检测系统。层叠型检测装置包括按具有行方向和列方向的矩阵布置的多个像素。各像素包括转换元件和开关元件,转换元件被构造为将辐射或光转换为电荷,开关元件被构造为输出与电荷对应的电信号。驱动线连接至按行方向布置的开关元件,信号线连接至按列方向布置的开关元件。在各像素中,转换元件设置在开关元件上方。信号线由嵌入在位于开关元件的主电极的最上表面部分下方的绝缘层中的导电层形成,开关元件位于驱动线的最上表面部分下方,驱动线位于转换元件下方。
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公开(公告)号:CN107615750B
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201680028597.8
申请日:2016-03-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/32 , A61B6/00 , G01T1/17 , G01T1/20 , G01T7/00 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
Abstract: 提供一种放射线成像装置。该装置包括被布置在图像感测区域中的像素、被配置为获得放射线照射信息的第一和第二检测元件、来自所述第一检测元件的信号要被输出到的第一信号线和来自所述第二检测元件的信号要被输出到的第二信号线、以及被配置为处理从所述第一和第二检测元件输出的信号的信号处理电路。所述第一和第二信号线被布置在所述图像感测区域中或被布置为与所述图像感测区域相邻,所述第一检测元件具有比所述第二检测元件大的、用于检测放射线的区域。所述信号处理电路基于来自所述第一和第二信号线的信号产生放射线照射信息。
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公开(公告)号:CN106061088A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610212513.8
申请日:2016-04-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/247 , G01N23/04 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14663 , H04N5/32 , H04N5/3696 , H04N5/378 , H05G1/28
Abstract: 公开了放射线成像装置和放射线成像系统。放射线成像装置包括:第一控制线,电连接到成像开关元件的控制电极;第二控制线,电连接到检测开关元件的控制电极;信号线,电连接到检测开关元件的主电极;电容线,与第一控制线和第二控制线不同,被布置成与信号线电容性耦合;驱动单元,电连接到第二控制线和电容线并且被配置为向检测开关元件和电容线施加电压;及控制单元,被配置为控制驱动单元在接通状态电压或关断状态电压被施加到检测开关元件的情况下向电容线施加具有与该电压的极性相反的极性的电压。
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公开(公告)号:CN103066083B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201210404438.7
申请日:2012-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14665
Abstract: 本发明提供一种检测设备和检测系统,检测设备包括:晶体管,其配置在基板上;转换元件,其配置在晶体管上并连接至晶体管;电容器,其与转换元件并联连接至晶体管,该电容器在基板和转换元件之间包括:连接至转换元件的欧姆接触部、连接至欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与半导体部和欧姆接触部相对的位置处的导电部;以及电势供给单元,用于向导电部选择性地供给第一电势以在半导体部中积累载荷子,以及向导电部选择性地供给第二电势以耗尽半导体部。由上述方式配置的检测设备能够控制像素的电容,从而实现高的信噪比。
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