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公开(公告)号：CN104681374A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510093713.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射-接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。
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公开(公告)号：CN104658830A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094613.0
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一SiC纳米尖端结构，其制作在n型SiC衬底上表面，其与n型SiC衬底的材料相同；一AlN冷阴极薄膜，其制作在SiC纳米尖端结构的上表面；一电压源，其正极与AlN冷阴极薄膜连接，负极与n型金属电极连接；一金属阳极，其位于AlN冷阴极薄膜的上面，且不与AlN冷阴极薄膜接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极连接n型金属电极。本发明是利用负电子亲和势进行电子发射，进一步提高电子发射密度。
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公开(公告)号：CN104617487A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510012720.4
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型掺杂/p型重掺接触层，其中量子阱有源区中的阱层和垒层在相同的温度下生长；在p型掺杂/p型重掺接触层一侧采用光刻的方法刻蚀出脊型结构；在脊型结构的上表面制作一p型电极；在氮化镓同质衬底的下表面制作n型电极。本发明减少由于阱层和垒层生长温度不同导致的翘曲程度不同以及量子阱界面平整度的下降，从而增强量子阱内载流子的发光复合率，提高激光器的性能。
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公开(公告)号：CN102832272B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210319268.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。
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公开(公告)号：CN104538524A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410784663.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°-10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层，其生长在低温GaN缓冲层上，且其表面刻蚀有凹槽，使得该高温GaN层的表面为错开的台阶状形貌，其表面形成网格状结构；多个InGaN量子点，其分布生长在高温GaN层表面的网格状结构上；一GaN覆盖层，其生长在高温GaN层上，并覆盖多个InGaN量子点；多个InGaN量子点和GaN覆盖层，其依次重复生长在GaN覆盖层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104300366A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410563125.5
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，将P型接触层和P型限制层刻蚀成脊型；步骤3：在P型接触层的上表面制作P型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗；步骤5：在砷化镓衬底的背面制作N型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制作。本发明可以大大降低电子泄漏。
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公开(公告)号：CN104157759A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410412107.7
申请日：2014-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0075 , H01L33/06
Abstract: 一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法，其中高密度高均匀InGaN量子点结构，包括：一衬底；一窗口阵列，其制作在衬底上；一GaN纳米柱，其生长在窗口阵列的开孔处，并与衬底表面接触；一第一InGaN量子点，其生长在GaN纳米柱的顶端；一第一势垒层，其覆盖第一InGaN量子点的顶端；一第二InGaN量子点，其生长在第一势垒层上；一第二势垒层，其生长在第一势垒层上，将第二InGaN量子点包裹住；多个InGaN量子点和势垒层，其依次重复生长在第二势垒层上。本发明具有选择性生长所具有的高密度高均匀性和自组装生长所具有的无缺陷高质量的双重优点。
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公开(公告)号：CN103578986A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310566981.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/2056
Abstract: 本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以氢气为载气进行生长，所述GaN低温成核层的生长温度为550℃，反应室压强为200Torr，厚度为0.2～0.3μm；GaN高阻层的生长温度为1040℃，反应室压强为50Torr，厚度为2μm。本发明提出的上述高阻GaN薄膜是通过控制材料生长时的反应室压强，控制反应前驱物TMGa中碳原子的并入，从而在不单独添加碳源的情况下引入碳杂质得到受主能级，使背景载流子浓度得到补偿。
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公开(公告)号：CN102937585A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210461734.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种测量直接带隙半导体材料禁带宽度的装置和方法，该装置包括：光源、第一透镜、待测样品、源表、第二透镜、单色仪、探测器组件和计算机，该计算机控制单色仪、源表和探测器组件，实现源表对直接带隙半导体材料制成肖特基势垒探测器样品的不同反向偏置电压设定，得到不同偏置电压下肖特基势垒区域的光荧光光谱强度分布，在反向偏压U1、U2(U1＜U2)下的光荧光光谱强度分布分别为P1、P2，二者之差ΔP21＝P2-P1，曲线ΔP21的正数部分最大峰值对应的波长数值相对应的光子能量就是所测量的直接带隙半导体材料的禁带宽度Eg。利用本发明，测得的直接带隙半导体材料的禁带宽度精度高，显示非常直观。
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公开(公告)号：CN101872798B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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