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公开(公告)号：CN103236474A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310121433.8
申请日：2013-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种任意切割高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上形成半导体外延结构，该半导体外延结构包括衬底、N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层；步骤2：对所述半导体外延结构表面图形化形成多个重复的发光芯片单元，蚀刻所述半导体外延结构至衬底表面形成隔离槽，所述隔离槽将所述每个发光芯片子单元隔离；步骤3：在每个发光芯片子单元的侧壁形成绝缘介质层；步骤4：蒸镀金属，并图形化形成p和n电极以及互连线，互连线将发光芯片子单元电互连；步骤5：在发光芯片子单元之间形成划片沟槽；沿着划片沟槽将衬底和半导体外延结构分割成多个芯片单元，每个芯片单元包含不同数量的发光芯片子单元，所述芯片单元内的发光芯片子单元之间通过互连线串联。
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公开(公告)号：CN103165780A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310067946.5
申请日：2013-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；步骤3：在GaN外延片表面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N-GaN层，在N-GaN层的一侧形成台面；步骤4：在GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；步骤5：在P-GaN层上的ITO薄膜上光刻腐蚀出一凹槽；腐蚀掉多量子阱发光层和P-GaN层侧壁上的ITO薄膜，保留台面上的ITO薄膜；步骤6：在ITO薄膜上的凹槽内制作P电极，在台面上的ITO薄膜上制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103022280A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210548465.1
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种激光钻孔切割异形发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：将制备好的条状的发光二极管芯片阵列竖直固定；步骤2：将激光器的焦点聚焦在条状的发光二极管芯片阵列的侧表面；步骤3：移动条状的发光二极管芯片阵列，激光器对条状的芯片阵列的衬底进行斜向激光钻孔；步骤4：裂片，制备完成发光二极管单元。
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公开(公告)号：CN102969411A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210505932.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；用激光器在台面上打通孔；在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；在衬底背面蒸度N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102886609A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210309067.4
申请日：2012-08-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B23K26/36 , B23K26/067
Abstract: 一种应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法，包括：步骤1：将制备好的LED器件固定在水平移动平台上，并位于CCD成像设备的成像中心；步骤2：在飞秒激光器的激光光路上放置多个透镜，将激光分成多个焦点；步骤3：将多个焦点聚焦在LED器件衬底内部不同深度的部位；步骤4：横向和纵向移动水平移动平台，完成飞秒激光划片；步骤5：对LED器件进行裂片，得到单个LED器件。本发明可以达到不同光束同时切割蓝宝石衬底，实现一次切割、多处划痕的效果，从而实现对较厚蓝宝石衬底的低损伤切割，以达到发光二极管的器件分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551698A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210183724.9
申请日：2022-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，形成于所述衬底上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面。
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公开(公告)号：CN111048496B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811194251.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法，结构包括：倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中，倒装蓝光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、多量子阱发光层、P‑GaN层；红光OLED结构包括：在倒装蓝光LED芯片背面依次生长空穴传输层、掺杂红光掺杂剂的电子传输层、不掺杂掺杂剂的电子传输层和外层保护层。制备方法包括：制备倒装蓝光LED芯片；制备红光OLED结构；倒装LED红光器件倒装焊到电路板上。本发明采用倒装蓝光LED光致红光OLED发光的方法实现器件制备，该器件制备工艺简单，可以有效解决倒装红光LED器件制备工艺复杂、成品率低、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN109216588A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810999692.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本发明的倒装OLED器件制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可通过倒装焊方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与mini LED显示兼容。
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公开(公告)号：CN103579423B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310585931.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸镀二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸镀铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。
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公开(公告)号：CN104599990A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510017005.X
申请日：2015-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L33/62 , H01L2933/0066
Abstract: 一种共晶焊方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上表面制作线路；步骤2：将钢网图形与基板上表面线路对准，并固定钢网和基板；步骤3：将LED芯片摆放于基板上表面钢网的图形中；步骤4：对LED芯片加压；步骤5：对基板进行加热，完成共晶焊。本发明可以解决现有的高功率密度LED光源模块共晶效率低、芯片共晶精度低等缺陷。
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