公开(公告)号：CN1799127B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200480014926.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石桥清隆 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置。

公开(公告)号：CN102473629A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080035809.8

申请日：2010-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赵建平 ,  陈立 ,  麦里特·法克 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间的比例)的惰性和处理气体的气体，可以形成双区或多区等离子体，其中，一种气体可以被高度限制到等离子体产生区域附近并且另一种气体可以由于相异重力引起的扩散而从上述气体极大地分离，并且被限制到相比于上述气体更加接近晶片处理区域。

公开(公告)号：CN102292798A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005296.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀込正弘 ,  黑鸟讬也 ,  小林保男 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：对绝缘层进行退火，和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层。绝缘层包括氟碳化合物(CFx)膜。在退火步骤之后，用高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：CN101416284B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200780012546.7

申请日：2007-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  小谷光司 ,  田中宏治

IPC: H01L21/3065 ,  B01J4/00 ,  B01J19/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52

CPC classification number: F17D1/04 ,  C23C16/45502 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/1825 ,  Y10T137/0368

Abstract: 本发明提供一种处理装置及处理方法，该处理装置(40)具有：在内部设有用于载置被处理体的载置台的处理容器(42)、具有用于排出处理容器(42)内的气体介质的真空泵(70、72)与压力控制阀(68)的排气系统(64)、具有设于处理容器(42)内的气体喷射孔(102)的气体喷射部件(98)，向气体喷射部件(98)供给处理气体的气体供给部件(100)。由控制部件(114)控制整个装置(40)。控制部件(114)控制排气系统(64)和气体供给部件(100)，在开始规定的处理时，由排气系统(64)排出处理容器(42)内的气体介质，并且在短时间供给比规定流量大的流量的处理气体，然后，供给规定流量的处理气体。

公开(公告)号：CN101002509B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580024959.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  北川淳一 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供了一种等离子处理单元，包括：处理容器，其顶部开口，并且其中能产生真空；平台，其设置在所述处理容器中，用于在其上设置将被处理的物体；上板，其由电介质制成，所述上板密封地装配在所述开口中，并允许微波从其中穿过；平面天线元件，其设置在所述上板上或上方，所述平面天线元件具有多个微波辐射孔，以向所述处理容器内部辐射用于等离子发生的微波；慢波元件，其设置在所述平面天线元件上或上方，用于缩短微波的波长；和微波干扰抑制部，其设置在所述上板的下表面上，所述微波干扰抑制部将所述下表面分成多个同心区域，并在所述区域间抑制微波干扰。

公开(公告)号：CN100552083C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200580027617.1

申请日：2005-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明涉及一种使用在真空处理装置的处理容器内的遮护体，其目的在于提供一种具有加热单元、采用通过简单的结构可以实现薄型化的遮护体的真空处理装置。因此，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：处理容器、对上述处理容器的处理空间进行排气的排气单元、保持被处理基板的保持台、以及设置在上述处理容器内部的遮护体，上述遮护体包括在上述处理容器内部的被减压的处理空间内露出的外壁结构、形成在上述外壁结构的内部与上述处理空间隔绝的内部空间、以及设置在上述内部空间内对上述外壁结构进行加热的加热单元，上述内部空间与上述真空处理容器的外部连通，上述加热单元形成在上述内部空间内以片状延伸的形式。

公开(公告)号：CN101529563A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038770.3

申请日：2007-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久 ,  井口敦智 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。

公开(公告)号：CN101499411A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910001993.3

申请日：2009-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久 ,  西本伸也 ,  河本慎二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68728 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。

公开(公告)号：CN101316946A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044543.7

申请日：2006-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  西哲也 ,  野泽俊久

IPC: C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，具有处理空间、载置台、顶板、平面天线构件和同轴波导管；该处理空间的顶部有开口，内部可被抽真空；该载置台设置在上述处理空间内，用于载置被处理体；该顶板气密地安装在上述顶部的开口处，由透过微波的电介体形成；该平面天线构件设置在上述顶板的上表面，用于向上述处理空间内导入微波；该同轴波导管具有与上述平面天线构件的中心部连接的中心导体，用于供给微波；其特征在于，以贯通上述中心导体、上述平面天线构件的中心部和上述顶板的中心部的方式形成气体通路，在上述顶板的中心区域的上表面侧设置用于衰减该顶板的中心部的电场强度的衰减电场用凹部。

公开(公告)号：CN101300667A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680040765.1

申请日：2006-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  西哲也

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供蚀刻方法以及蚀刻装置，该蚀刻方法用于蚀刻形成在被处理体表面的被加工层，其特征在于，该蚀刻方法具有：保护膜形成工序，在上述被处理体表面均匀形成保护层；掩膜形成工序，通过在上述保护层上形成规定的蚀刻用凹部来形成图案化的蚀刻掩膜；抗等离子膜形成工序，包括上述蚀刻用凹部的底部以及侧面在内，在上述蚀刻掩膜的整个表面形成抗等离子膜；底部抗等离子膜除去工序，除去形成在上述蚀刻用凹部底部的上述抗等离子膜；蚀刻工序，在上述底部抗等离子膜除去工序之后将上述蚀刻掩膜作为掩膜对上述被加工层进行蚀刻。