-
公开(公告)号：CN100552083C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200580027617.1
申请日：2005-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种使用在真空处理装置的处理容器内的遮护体，其目的在于提供一种具有加热单元、采用通过简单的结构可以实现薄型化的遮护体的真空处理装置。因此，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：处理容器、对上述处理容器的处理空间进行排气的排气单元、保持被处理基板的保持台、以及设置在上述处理容器内部的遮护体，上述遮护体包括在上述处理容器内部的被减压的处理空间内露出的外壁结构、形成在上述外壁结构的内部与上述处理空间隔绝的内部空间、以及设置在上述内部空间内对上述外壁结构进行加热的加热单元，上述内部空间与上述真空处理容器的外部连通，上述加热单元形成在上述内部空间内以片状延伸的形式。
-
公开(公告)号：CN101006196A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580027617.1
申请日：2005-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种使用在真空处理装置的处理容器内的遮护体，其目的在于提供一种具有加热单元、采用通过简单的结构可以实现薄型化的遮护体的真空处理装置。因此，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：处理容器、对上述处理容器的处理空间进行排气的排气单元、保持被处理基板的保持台、以及设置在上述处理容器内部的遮护体，上述遮护体包括在上述处理容器内部的被减压的处理空间内露出的外壁结构、形成在上述外壁结构的内部与上述处理空间隔绝的内部空间、以及设置在上述内部空间内对上述外壁结构进行加热的加热单元，上述内部空间与上述真空处理容器的外部连通，上述加热单元形成在上述内部空间内以片状延伸的形式。
-
公开(公告)号：CN101322224B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200780000456.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67126 , C23C16/4412 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32834 , H01L21/67017 , Y10T137/85978
Abstract: 本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，并且能够通过滑动式的阀体(94)改变阀口(98)的开口区域面积的压力控制阀(88)；和与压力控制阀连接的排气系统(90)，偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内。
-
公开(公告)号：CN1902737A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480040080.8
申请日：2004-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4411 , H01J37/32522 , H01L21/67069
Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN107615446A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029129.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 处理系统具备1个以上的处理单元(20)。各处理单元(20)具有多个处理腔室(22)和公用模块(30)。各处理腔室(22)使用所供给的处理气体来对被处理体进行处理。公用模块(30)包括对向多个处理腔室(22)分别供给的处理气体的流量进行控制的流量控制部(31)。多个处理腔室(22)在上下方向重叠地配置。公用模块(30)配置于多个处理腔室(22)中的、在上下方向相邻的两个处理腔室(22)之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101313390A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043791.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 本发明提供一种微波导入装置，具备：产生规定频率的微波的微波发生器、将上述微波转换为规定振动模式的模式转换器、朝向规定空间而设置的平面天线构件、连结上述模式转换器和上述平面天线构件并传播上述微波的同轴波导管，其特征是，上述同轴波导管的中心导体形成为筒状，上述中心导体的内径(D1)在第一规定值以上，上述同轴波导管的外侧导体也形成为筒状，上述外侧导体的内径的半径(r1)与上述中心导体的外径的半径(r2)之比(r1/r2)被维持为第二规定值，上述外侧导体的内径(D2)在第三规定值以下。
-
公开(公告)号：CN1875467A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
-
公开(公告)号：CN101313390B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680043791.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 本发明提供一种微波导入装置，具备：产生规定频率的微波的微波发生器、将上述微波转换为规定振动模式的模式转换器、朝向规定空间而设置的平面天线构件、连结上述模式转换器和上述平面天线构件并传播上述微波的同轴波导管，其特征是，上述同轴波导管的中心导体形成为筒状，上述中心导体的内径(D1)在第一规定值以上，上述同轴波导管的外侧导体也形成为筒状，上述外侧导体的内径的半径(r1)与上述中心导体的外径的半径(r2)之比(r1/r2)被维持为第二规定值，上述外侧导体的内径(D2)在第三规定值以下。
-
公开(公告)号：CN100449708C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580009363.0
申请日：2005-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的课题在于提高基板处理装置的清洗效率。因此，使用基板处理装置，其包括：在内部保持被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给用于处理的气体的气体供给单元；设置在所述处理容器内的保持所述被处理基板的保持台；和将所述处理容器内的空间分为第一空间和第二空间的遮挡板，包括对所述第一空间进行排气的第一排气路径，和对所述第二空间进行排气的第二排气路径。
-
公开(公告)号：CN101322224A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200780000456.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67126 , C23C16/4412 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32834 , H01L21/67017 , Y10T137/85978
Abstract: 本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，并且能够通过滑动式的阀体(94)改变阀口(98)的开口区域面积的压力控制阀(88)；和与压力控制阀连接的排气系统(90)，偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.017 seconds)
