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公开(公告)号：CN101499411A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910001993.3
申请日：2009-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68728 , H01L21/68735
Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。
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公开(公告)号：CN101499411B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910001993.3
申请日：2009-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68728 , H01L21/68735
Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622692A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006209.1
申请日：2008-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。
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公开(公告)号：CN102132387A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132951.1
申请日：2009-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , Y10T137/7837
Abstract: 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。
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公开(公告)号：CN101622692B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880006209.1
申请日：2008-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。
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公开(公告)号：CN101533762B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910127011.5
申请日：2009-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F16K3/00
CPC classification number: H01L21/67126 , Y10S251/90 , Y10S414/135
Abstract: 本发明提供一种闸阀和半导体制造装置，该闸阀能防止因密封构件的老化所导致的密封性的降低和颗粒的产生，能保持半导体制造装置的运转率。该闸阀(20)设在半导体制造装置的进行工艺处理的处理单元(10)和输送被实施工艺处理的晶圆的输送室(8)之间，其包括：处理单元(10)侧的闸阀(20a)、设置在处理单元(10)侧闸阀(20a)中的O型密封圈(34a)、输送室(8)侧的闸阀(20b)、设置在输送室(8)侧闸阀(20b)中的O型密封圈(34b)、以及位于处理单元(10)侧闸阀(20a)和输送室(8)侧闸阀(20b)之间的隔热件(30)。
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公开(公告)号：CN101533762A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127011.5
申请日：2009-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F16K3/00
CPC classification number: H01L21/67126 , Y10S251/90 , Y10S414/135
Abstract: 本发明提供一种闸阀和半导体制造装置，该闸阀能防止因密封构件的老化所导致的密封性的降低和颗粒的产生，能保持半导体制造装置的运转率。该闸阀(20)设在半导体制造装置的进行工艺处理的处理单元(10)和输送被实施工艺处理的晶圆的输送室(8)之间，其包括：处理单元(10)侧的闸阀(20a)、设置在处理单元(10)侧闸阀(20a)中的O型密封圈(34a)、输送室(8)侧的闸阀(20b)、设置在输送室(8)侧闸阀(20b)中的O型密封圈(34b)、以及位于处理单元(10)侧闸阀(20a)和输送室(8)侧闸阀(20b)之间的隔热件(30)。
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