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公开(公告)号：CN100440449C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号：CN101295186A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810089941.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , CKD株式会社
CPC classification number: G05D23/19
Abstract: 一种温度控制装置，通过在配置于被控对象附近的调温部(11)使流体循环来预期地控制被控对象的温度，其包括：加热流体并使流体在调温部(11)循环的加热通路(40)；冷却流体并使流体在调温部(11)循环的冷却通路(20)；使流体在调温部(11)循环而不通过加热通路(40)及冷却通路(20)的旁通路(30)；以及对来自加热通路(40)、冷却通路(20)、旁通路(30)通过对它们进行汇流的汇流部(12)向调温部(11)输出流体的流量比进行调节的调节装置(44，24，34)。调节装置(44，24，34)位于加热通路(40)，冷却通路(20)，旁通路(30)的各下游侧且设置在汇流部(12)的上游侧。
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公开(公告)号：CN100395873C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN02824576.8
申请日：2002-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32623 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083
Abstract: 一种蚀刻方法，该蚀刻方法用于在半导体晶片等的被蚀刻体(212)的表面，形成具有毫米数量级的开口尺寸(R)的凹部(220)。在该方法中，首先在被蚀刻体(212)的表面上形成具有与凹部(220)相对应的开口部分的掩模(214)。接着，形成有掩模(214)的被处理体(212)设置于等离子体用的处理容器内，采用等离子体在处理容器内进行蚀刻。在本发明中，掩模(214)的材料采用与被蚀刻体(212)相同的材料，比如硅(Si)。由此，上述那样的凹部(220)按照实质上底面(222)不形成副沟槽形状(周缘部的深度大于中间部的，经蚀刻的形状)的方式形成。
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公开(公告)号：CN1732558A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107612.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32522 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32688 , H01J2237/3341
Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10－16cm2以上的电离促进气体。
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公开(公告)号：CN1240113C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02129896.3
申请日：2002-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极21和下部电极5之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片W，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据在上部电极周围设置的屏蔽环55的使用状态，改变作为上述稀释气体所使用的氦气和氩气的混合比来使用，使得过程控制容易、蚀刻率的面内均匀性优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1669121A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816319.5
申请日：2003-07-07
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/16 , G03F7/20
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/50 , H01J37/3174 , H01J2237/31788 , H01J2237/31794
Abstract: 本发明为具备具有各自形成预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模。所述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，在使带电粒子从该单元一侧照射时，将该带电粒子束透过至该单元另一侧。由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写所述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形。此外，在所述掩模部上，所述多个单元的一部分或全部可以更换。
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公开(公告)号：CN1477681A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02129896.3
申请日：2002-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极21和下部电极5之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片W，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据在上部电极周围设置的屏蔽环55的使用状态，改变作为上述稀释气体所使用的氦气和氩气的混合比来使用，使得过程控制容易、蚀刻率的面内均匀性优良。
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公开(公告)号：CN118969705A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411021692.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32 , C04B37/02
Abstract: 本发明提供一种部件的形成方法和等离子体处理装置，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN118315271A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410438791.X
申请日：2019-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和系统。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在供给高频电力的步骤的执行过程中，对基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压。接着，为了生成负离子而停止对下部电极进行的负极性的直流电压的施加和高频电力的供给。接着，为了将负离子供给到基片，在停止了高频电力的供给的状态下，对下部电极施加正极性的直流电压。由此，能够实现使基片的正电荷量减少和提高蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN118098921A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410266702.8
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内的载置台，其用于支承基片，包括静电吸盘和下部电极；高频电源，其供给用于激发供给到腔室的气体的高频；一个以上的直流电源，其产生施加到载置台的具有负极性的偏置用的直流电压；切换单元，其能够停止对载置台施加直流电压；和控制切换单元的控制器，控制器控制切换单元，以使得作为偏置用，仅将来自一个以上的直流电源的负极性的直流电压周期性地施加到载置台，在将规定施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到载置台的时间所占的比例。
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