公开(公告)号：CN1732558A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107612.0

申请日：2003-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 本田昌伸 ,  松山升一郎 ,  永关一也 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/3341

Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10－16cm2以上的电离促进气体。

公开(公告)号：CN1732558B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200380107612.0

申请日：2003-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 本田昌伸 ,  松山升一郎 ,  永关一也 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/3341

Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10-16cm2以上的电离促进气体。

公开(公告)号：CN111095496A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201980004301.2

申请日：2019-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴 ,  松山升一郎 ,  内田阳平

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的一例示性实施方式所涉及的静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。

公开(公告)号：CN112736008A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011141246.2

申请日：2020-10-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山升一郎

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种对吸附力的降低进行抑制的吸附方法、载置台及等离子体处理装置。该吸附方法用于在具有静电卡盘的载置台上对被吸附物进行吸附，所述被吸附物为基板或边缘环之中的至少一者，该吸附方法包括：在所述静电卡盘上放置所述被吸附物的步骤；以及向所述静电卡盘的电极，施加相位彼此不同的2相以上的n相的交流电压的步骤，其中，所述n相的交流电压基于自偏置电压施加。

公开(公告)号：CN100495654C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200480003417.8

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。

公开(公告)号：CN101477944B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810170271.6

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。

公开(公告)号：CN1745463A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003417.8

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。

公开(公告)号：CN101477944A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810170271.6

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。