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公开(公告)号：CN118674058A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410261390.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06N7/08
Abstract: 公开了一种包括混沌逻辑装置的混沌计算机的操作方法、一种利用自旋孤立子的混沌计算方法和一种混沌计算机。该操作方法包括：基于对应于第一逻辑运算的第一初始状态设置第一初始值；将设置的第一初始值施加到混沌逻辑装置；基于第一输入数据设置要施加到混沌逻辑装置的第一输入值；将第一输入值施加至混沌逻辑装置；产生混沌信号，以使混沌逻辑装置在混沌模式下操作；将混沌信号施加到混沌逻辑装置；测量来自基于第一输入值和混沌信号操作的混沌逻辑装置的第一输出值；以及基于第一输出值产生第一输出数据。混沌逻辑装置包括被配置为其中形成有自旋孤立子的磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN112510145B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010939718.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：在基板上的磁隧道结图案；第一导电图案，在基板和磁隧道结图案之间；下接触插塞，在第一导电图案和基板之间并设置在磁隧道结图案的相应侧；以及分别在下接触插塞上的第二导电图案。第二导电图案将下接触插塞连接到第一导电图案。第二导电图案包括铁磁材料。
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公开(公告)号：CN110718568B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910618600.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：包括单元区和外围电路区的基板；第一层间绝缘层，覆盖基板的单元区和外围电路区；在第一层间绝缘层中的互连线；外围导线和外围导电接触，在外围电路区上的第一层间绝缘层上，外围导电接触在外围导线与互连线中的相应一条互连线之间；底电极接触，在单元区上的第一层间绝缘层上并且连接到互连线中的相应一条互连线；以及在底电极接触上的数据存储图案，其中外围导线处于底电极接触的顶表面与底电极接触的底表面之间的高度处。
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公开(公告)号：CN109256377B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201810769672.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。
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公开(公告)号：CN109285857B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810691309.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107123661B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710073127.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元在第一导电线和第二导电线之间，并且在第一导电线和第二导电线交叠的区域处。第二存储单元在第二导电线和第三导电线之间，并且在第二导电线和第三导电线交叠的区域处。每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案。每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。第二存储单元中的至少一个从最靠近的一个第一存储单元偏移。
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公开(公告)号：CN108735252B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201810263505.5
申请日：2018-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括至少一个参考单元和多个存储器单元。操作存储器设备的方法可以包括检测存储器设备的温度并根据温度检测的结果控制施加到至少一个参考单元的第一读取信号的电平。该方法还可以包括将通过将第一读取信号施加到至少一个参考单元而感测到的第一感测值与通过将第二读取信号施加到多个存储器单元当中的所选择的存储器单元而感测到的第二感测值进行比较。
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公开(公告)号：CN107017275B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201610900391.1
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了磁存储装置。一种磁存储装置包括：基板；在基板上的着陆焊盘；第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案，设置在基板上并且当从平面图观看时与着陆焊盘间隔开；以及互连结构，将第二磁隧道结图案的顶表面电连接到着陆焊盘。当从平面图观看时，着陆焊盘和第一磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离，并且着陆焊盘和第二磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离。
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