公开(公告)号：CN110782923B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN201910623371.8

申请日：2019-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿景 ,  金兑炫 ,  徐宣揆 ,  全相仲

IPC: G11C5/14

Abstract: 提供了存储器设备和驱动写入电流的方法。存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元，该存储器单元被配置为基于第一写入电流存储第一数据；写入驱动器，被配置为基于控制值输出第一写入电流；以及电流控制器，包括副本存储器单元，电流控制器被配置为基于存储在副本存储器单元中的第二数据的状态生成控制值，其中基于控制值调节第一写入电流的强度。

公开(公告)号：CN110782923A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910623371.8

申请日：2019-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿景 ,  金兑炫 ,  徐宣揆 ,  全相仲

IPC: G11C5/14

Abstract: 提供了存储器设备和驱动写入电流的方法。存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元，该存储器单元被配置为基于第一写入电流存储第一数据；写入驱动器，被配置为基于控制值输出第一写入电流；以及电流控制器，包括副本存储器单元，电流控制器被配置为基于存储在副本存储器单元中的第二数据的状态生成控制值，其中基于控制值调节第一写入电流的强度。

公开(公告)号：CN107017275B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201610900391.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐辅永 ,  徐宣揆 ,  高宽协 ,  李龙圭

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本公开提供了磁存储装置。一种磁存储装置包括：基板；在基板上的着陆焊盘；第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案，设置在基板上并且当从平面图观看时与着陆焊盘间隔开；以及互连结构，将第二磁隧道结图案的顶表面电连接到着陆焊盘。当从平面图观看时，着陆焊盘和第一磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离，并且着陆焊盘和第二磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离。

公开(公告)号：CN107017275A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610900391.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐辅永 ,  徐宣揆 ,  高宽协 ,  李龙圭

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本公开提供了磁存储装置。一种磁存储装置包括：基板；在基板上的着陆焊盘；第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案，设置在基板上并且当从平面图观看时与着陆焊盘间隔开；以及互连结构，将第二磁隧道结图案的顶表面电连接到着陆焊盘。当从平面图观看时，着陆焊盘和第一磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离，并且着陆焊盘和第二磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离。