公开(公告)号：CN1674443B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510056000.4

申请日：2005-03-24

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 永田恭一

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/018521 ,  H03K19/0013

Abstract: 独立的控制信号被传输到驱动器控制单元和输出晶体管的每一个，以便防止驱动器控制单元和输出晶体管在同时工作并且减小直通电流。因为晶体管比率可以被容易地选择，因此增加了设计灵活性程度，并取得速度方面的改善。

公开(公告)号：CN1767053B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200510099973.6

申请日：2005-09-12

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 高井康浩

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40622 ,  G11C29/14

Abstract: 一种半导体存储装置，具有进行如下控制的电路：把缺陷单元的刷新周期设得比正常单元的刷新周期短，在输入的控制信号为某第1值时，在对与刷新指令对应而生成的第1地址的单元进行刷新时，在根据在刷新冗长ROM中预先程序化了的信息，预定的规定比特的值与所述第1地址不同的第2地址被判断为缺陷单元的场合，对所述第2地址的单元也进行刷新，在输入的控制信号为第2值时，与刷新指令对应而生成的第1地址的单元不进行刷新，在根据预先程序化了的信息，预定的规定比特的值与所述第1地址不同的第2地址被判断为缺陷单元的场合，只对所述第2地址进行刷新。

公开(公告)号：CN1239306B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN99107997.3

申请日：1999-06-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 松原靖

IPC: G11C11/40 ,  G11C11/407

CPC classification number: G11C7/1072 ,  G11C7/22

Abstract: 一种同步半导体存储器，包括第一初始电路、第二初始电路和第三初始电路。第一初始电路接收外部时钟信号CLK并与参考电压比较，比较结果被放大并输出为信号φ1；第二初始电路接收时钟允许控制信号CKE，并与参考电压比较，比较结果被放大并输出为信号φ2；第三初始电路接收外部时钟信号CLK，将CLK与参考电压比较，放大并输出比较结果φ8。另外还包括第一控制电路，它接收φ1信号并产生随CLK同步变化的具有恒定脉宽的周期信号φ3。

公开(公告)号：CN1527322B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410007494.2

申请日：2004-03-05

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 江户幸子

IPC: G11C11/34 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C7/222 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22 ,  G11C2207/2254

Abstract: 一种同步型半导体存储设备包括：存储单元阵列(13)，其中存储单元排列在矩阵中；行地址解码器(12)，其响应于字激活信号，基于行地址来激活在所述存储单元阵列中的字线中的一个；列解码器(11)，其基于列地址来激活在所述存储单元阵列中的位线对中的一对；和检测放大器电路(14)，其响应于检测放大器激活信号，来放大在该已激活位线对上的电压差。该同步型半导体存储设备进一步包括：时钟数据存储部分(31)，其存储表示外部时钟信号的频率或周期的时钟数据；和控制部分(21)，其基于行地址选通信号来产生字激活信号，并响应于与外部时钟信号同步的内部时钟信号、基于时钟数据和行地址选通信号，来产生检测放大器激活信号。

公开(公告)号：CN100595930C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200610149326.6

申请日：2006-11-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 佐藤誉 ,  中井洁

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种非易失半导体存储器件包括：多个下电极，其以矩阵的方式布置；多个记录层图案，其每个布置在下电极上，并且包含相变材料；以及层间绝缘膜，其提供在下电极和记录层图案之间，并且具有多个孔，用于暴露下电极的一部分。下电极和记录层图案在每个孔中连接。孔在X方向上相互平行地延伸。记录层图案在Y方向上相互平行地延伸。这样一来，与形成独立的孔相比，能够以更高的准确度形成孔。因此，能够获得高热效率，同时有效防止不良连接等的发生。

公开(公告)号：CN100595917C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200610079485.3

申请日：2006-05-09

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 柴田佳世子 ,  池田博明

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC classification number: G11C11/407 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/535 ,  H01L23/544 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

Abstract: 披露了包括多个半导体芯片和多个直通线组的半导体器件。直通线组中的每一个都由唯一数目的直通线组成。和直通线组相关的数目彼此互质。当对于每个直通线组选择直通线中的一个时，通过多个直通线组的选择的直通线的组合，指定半导体芯片中的一个。

公开(公告)号：CN101653056A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011291.7

申请日：2008-02-13

Applicant: 日本电气株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 今里雅治 ,  小野雅康 ,  山崎直人

IPC: H05K9/00 ,  H05K1/02 ,  H05K7/20 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K1/0216 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/10204 ,  H05K2201/1056

Abstract: 流过散热板的噪声电流对印刷板的地有效地放电，以减小从散热板生成的时钟信号谐波噪声的水平。一种电子器件安装设备设置有：印刷板(1)；一个或多个电子器件(2，3)，其安装在印刷板(1)上并且根据时钟信号来操作；以及散热装置，其设置为与印刷板(1)一起夹有电子器件(2，3)。散热装置(5)通过连接单元(6)和多个电介质部件(12)与印刷板(1)的地连接，电介质部件(12)与电子器件(2，3)独立并且被设置在印刷板(1)的除了电子器件(2，3)被安装在其上的那些部分以外的部分与散热装置(5)之间。

公开(公告)号：CN100543995C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610075163.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 相宗史记

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L27/10888

Abstract: 一种具有在由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的各个预定位置中提供的升高的源/漏结构的半导体装置，其中升高的源/漏结构的上端部的形状沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像基本上与由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状一致，并且升高的源/漏结构的沿平行于半导体硅基板的平面剖开的横截面沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像的至少之一大于由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状。

公开(公告)号：CN100541855C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200610143924.2

申请日：2006-11-02

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 浅野勇 ,  佐藤夏树 ,  泰勒·A·劳里 ,  盖·C·威克 ,  沃洛季米尔·丘巴蒂耶 ,  斯蒂芬·J·赫金斯

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。

公开(公告)号：CN100492696C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200610151788.1

申请日：2006-09-07

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 浅野勇 ,  佐藤夏树 ,  中井洁

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。