-
公开(公告)号：CN102194885B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110122724.X
申请日：2011-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件的反型层电子迁移率低和减小导通电阻与提高击穿电压之间的矛盾问题。其特点是在传统VDMOS器件结构的SiO2隔离介质(2)和P-层(7A)之间引入厚度为0.1μm、氮离子掺杂浓度为5×1015cm-3的N-隐埋沟道层(3)，在P+层(7B)和N-外延层(10)之间引入厚度为0.5～0.6μm、氮离子掺杂浓度为5×1016～1×1017cm-3的N型电流扩散层(8)，并将P阱分为P-层(7A)和P+层(7B)两层，其中P-层(7A)的厚度为0.5μm、铝离子掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3，P+层(7B)的厚度为0.2μm，铝离子掺杂浓度为3×1018cm-3。本发明器件具有反型层电子迁移率高、开关反应速度快和功耗低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能模块以及混合燃料电动车。
-
公开(公告)号：CN102254065B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110179933.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双极型晶体管参数提取方法及其等效电路。该方法先对双极型晶体管进行直流测试和S参数测试，然后应用ADS软件和origin软件进行曲线拟合，得到双极型晶体管的参数。基于双极型晶体管参数提取方法所建立的等效电路包括三个电感、五个电容、六个电阻和本征模块BJT，本征模块BJT包括两个电阻、三个电荷控件、三个电流控件。本发明的方法可用于建立适用于不同情况电路的双极型晶体管等效电路，同时还可用于建立适用于高频电路的双极型晶体管等效电路。基于本发明方法建立的双极型晶体管等效电路能反映双极型晶体管一组工作点的器件特性，可用于不同情况的电路仿真；本发明的等效电路能反映双极型晶体管的高频特性，可用于高频电路仿真。
-
公开(公告)号：CN102227000B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110169285.8
申请日：2011-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO2氧化物介质(2)、源极(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、JFET区(7)、N-外延层(9)、N+衬底(10)和漏极(11)，其中：N-外延层(9)的两侧，且在P阱(6)的正下方设有厚度为0.5～5μm，铝离子掺杂浓度为5×1015～1×1016cm-3的P-基(8)，以使P阱(6)和JFET区(7)拐点处的电场分布能更加均匀，提高器件的击穿电压。本发明器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快和功耗低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能发电模块以及混合燃料电动车。
-
公开(公告)号：CN101888218B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010214611.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/48
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路，主要解决现有调制电路占用芯片面积比大，成本高的问题。其包括：一个3-dB lange耦合器(1)，两个模拟反射型衰减器(6，7)，和1个3-dB wilkinson功率合成器(10)，该3-dB lange耦合器的直通端口输出直接通过第一衰减器(6)移相后输出到功率合成器(7)的一个输入端；该3-dB lange耦合器的耦合端口输出直接通过第二衰减器(6)移相后输出到功率合成器(10)的另一个输入端，其中每个模拟反射型衰减器的砷化镓异质结双极晶体管，其集电极分别并联连接有电阻R3和R4，用以减小Vb＝0时的反射系数|Γ|，其发射极分别串联连接有电感L1和L2，用以抵消由于HBT器件的寄生效应。本发明可用于产生I-Q调制信号或者进行频率转换。
-
公开(公告)号：CN102502592A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110293631.3
申请日：2011-10-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在4H/6H-SiC碳面外延生长晶圆级石墨烯的方法，主要解决现有在4H/6H-SiC碳面外延生长石墨烯时，产生的石墨烯面积太小、均匀性不高的问题。其方法是，对4H/6H-SiC碳面进行清洁处理，以去除表面有机残余物和离子污染物；通入氢气，对4H/6H-SiC碳面分别进行氢刻蚀，以去除表面划痕，形成规则的台阶状条纹；通入硅烷去除氢刻蚀在表面带来的氧化物；在通入氩气流2mbar压力环境下，通过加热，使得硅原子升华，碳原子以sp2方式在衬底表面重构形成外延石墨烯。使用本发明的工艺方法所制备的石墨烯具有较大的面积和良好的均匀性，可应用于晶圆级外延石墨烯材料的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101325093A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810150436.3
申请日：2008-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/08
Abstract: 本发明公开了一种微型核电池，主要解决制作核电池易于SiC工艺实现的问题。该微型核电池是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其中，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(4)，该肖特基接触层的外边缘圆周上设有SiO2钝化层(5)和键合层(7)。该肖特基接触层(4)和肖特基接触电极(6)的形成采用同一工艺，即在SiO2钝化层(5)的中间位置采用湿法腐蚀出肖特基接触窗口，并在该窗口上及窗口周边的SiO2钝化层上淀积厚度为5～20nm的Ni或Pt或Au，剥离后分别形成肖特基接触层(4)和肖特基电极(6)。本发明具有工艺简单，转换效率高的优点，可用于将同位素放射的核能直接转换为电能。
-
公开(公告)号：CN113946991B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111007778.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F30/39 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于GRNN模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对GRNN神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
-
公开(公告)号：CN113644138B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110686636.6
申请日：2021-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/329 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供第一衬底，并在第一衬底的一侧表面制备SiO2隔离区，得到第一衬底结构；获取第二衬底，第二衬底包括预先生长得到的单层MoS2；利用外延层转印技术，将单层MoS2转移至第一表面；图形化所述单层MoS2，形成单层MoS2沟道层；在第一表面淀积形成第一电极和第二电极，使第二电极与SiO2隔离区及单层MoS2沟道层直接接触，获得制作完成的单层MoS2‑Si基隧穿二极管。本发明提供的单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法能够降低界面缺陷密度，进而抑制陷阱辅助隧穿，并从工艺角度改善器件的亚阈值摆幅。
-
公开(公告)号：CN115455883A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210949799.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种基于BP神经网络建立接地共面波导可缩放模型的方法，该方法包括：生成包括接地共面波导器件的尺寸参数的多组输入参数、与多组输入参数对应的多组电学特性真实参数；根据多组输入参数和多组器件电学特性真实参数，确定训练集和测试集；采用训练集训练初始模型，得到训练后的模型；初始模型包含第一隐藏层和第二隐藏层；第一隐藏层包括第一数量的神经元；第二隐藏层包括第二数量的神经元；神经元的激活函数为双曲正切S型函数；采用测试集测试训练后的模型，得到预训练的模型。本发明可以提高建模效率，而且生成的模型对接地共面波导器件的电学特性参数的预测准确性高，能实现模型可输入的尺寸参数的可缩放性。
-
公开(公告)号：CN113794454A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110918828.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F3/19
Abstract: 本发明提供的一种基于交叉耦合负阻特性的单端输入低功耗反射放大器电路，通过射频输入模块输入的射频信号，谐振槽模块选择反射射频信号的工作频段；直流偏置供电模块给负阻抗模块提供直流偏置使其工作在负阻区域，负阻抗模块在负阻区域提供负阻抗与射频输入模块输入端口的阻抗失配产生高于1的反射系数，使得射频信号的反射能量增强，从而反射出去。本发明可以在较低功耗范围内提供较高的增益，对信号进行反射放大，从而提升射频识别技术的通信距离，并且减小版图的面积，使得集成度更高；同时由于本发明在负阻抗模块结构简单，并在晶体管栅极加入了独立的偏置，可以根据需求通过调整直流偏置来减少电路功耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.029 seconds)
