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公开(公告)号：CN101888218B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010214611.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/48
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路，主要解决现有调制电路占用芯片面积比大，成本高的问题。其包括：一个3-dB lange耦合器(1)，两个模拟反射型衰减器(6，7)，和1个3-dB wilkinson功率合成器(10)，该3-dB lange耦合器的直通端口输出直接通过第一衰减器(6)移相后输出到功率合成器(7)的一个输入端；该3-dB lange耦合器的耦合端口输出直接通过第二衰减器(6)移相后输出到功率合成器(10)的另一个输入端，其中每个模拟反射型衰减器的砷化镓异质结双极晶体管，其集电极分别并联连接有电阻R3和R4，用以减小Vb＝0时的反射系数|Γ|，其发射极分别串联连接有电感L1和L2，用以抵消由于HBT器件的寄生效应。本发明可用于产生I-Q调制信号或者进行频率转换。
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公开(公告)号：CN101916608A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010220821.8
申请日：2010-07-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7)，放射性同位素源层的周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)由一条由水平指条和多条垂直指条组成，所有垂直指条位于水平指条的一侧，放射性同位素源层(3)位于垂直指条及垂直指条之间的外延层(5)上。本发明具有能量损失小，能量转换效率高的优点，可作为MEMS的片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN101916608B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010220821.8
申请日：2010-07-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7)，放射性同位素源层的周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)由一条由水平指条和多条垂直指条组成，所有垂直指条位于水平指条的一侧，放射性同位素源层(3)位于垂直指条及垂直指条之间的外延层(5)上。本发明具有能量损失小，能量转换效率高的优点，可作为MEMS的片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN101888218A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010214611.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/48
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路，主要解决现有调制电路占用芯片面积比大，成本高的问题。其包括：一个3-dB lange耦合器(1)，两个模拟反射型衰减器(6，7)，和1个3-dB wilkinson功率合成器(10)，该3-dB lange耦合器的直通端口输出直接通过第一衰减器(6)移相后输出到功率合成器(7)的一个输入端；该3-dB lange耦合器的耦合端口输出直接通过第二衰减器(6)移相后输出到功率合成器(10)的另一个输入端，其中每个模拟反射型衰减器的砷化镓异质结双极晶体管，其集电极分别并联连接有电阻R3和R4，用以减小Vb＝0时的反射系数|Γ|，其发射极分别串联连接有电感L1和L2，用以抵消由于HBT器件的寄生效应。本发明可用于产生I-Q调制信号或者进行频率转换。
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