-
公开(公告)号：CN102280157A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110181205.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)由多个相同的正方形网格组成，正方形网格由多个横向矩形条和多个纵向矩形条分割而成，整个网格电极的外围留有多个引脚；同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明能量转换效率高，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
-
公开(公告)号：CN102324930A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110122835.0
申请日：2011-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器，主要解决现有技术工作频率低、相位噪声高的问题。它包括一个2/3双模分频器、一个异步除4分频器、一个模式选择逻辑电路。2/3双模分频器由两个嵌入与非门的D触发器构成，除4分频器由两异步连接的D触发器构成，模式选择逻辑电路由一个三输入或非门和一个非门构成。该预分频器路中的所有晶体管均采用异质结材料为InGaP/GaAs的GaAs单异质结双极晶体管。本发明在模式控制信号的控制下能实现8分频或9分频功能，具有工作频率高、相位噪声低、工作速度快和优良的高低温特性及较好的抗辐照性能，可应用在高频段收发系统中的频率合成器中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102324913A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110182612.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预置电路用于对外部电路输入的预置信号进行采样并输出，第一锁存器、第二锁存器和预置电路的电流信号输入端与选择电路连接，该选择电路用于选择工作电路；所述单元电路中所有晶体管均采用异质结双极晶体管。本发明在选择信号的控制下能实现触发器功能或预置功能，具有工作速度快、相位噪声低以及工作频率高等优点，可应用于高速程序分频器中。
-
公开(公告)号：CN102280157B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110181205.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)由多个相同的正方形网格组成，正方形网格由多个横向矩形条和多个纵向矩形条分割而成，整个网格电极的外围留有多个引脚；同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明能量转换效率高，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
-
公开(公告)号：CN102254065A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110179933.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双极型晶体管参数提取方法及其等效电路。该方法先对双极型晶体管进行直流测试和S参数测试，然后应用ADS软件和origin软件进行曲线拟合，得到双极型晶体管的参数。基于双极型晶体管参数提取方法所建立的等效电路包括三个电感、五个电容、六个电阻和本征模块BJT，本征模块BJT包括两个电阻、三个电荷控件、三个电流控件。本发明的方法可用于建立适用于不同情况电路的双极型晶体管等效电路，同时还可用于建立适用于高频电路的双极型晶体管等效电路。基于本发明方法建立的双极型晶体管等效电路能反映双极型晶体管一组工作点的器件特性，可用于不同情况的电路仿真；本发明的等效电路能反映双极型晶体管的高频特性，可用于高频电路仿真。
-
公开(公告)号：CN102324913B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110182612.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预置电路用于对外部电路输入的预置信号进行采样并输出，第一锁存器、第二锁存器和预置电路的电流信号输入端与选择电路连接，该选择电路用于选择工作电路；所述单元电路中所有晶体管均采用异质结双极晶体管。本发明在选择信号的控制下能实现触发器功能或预置功能，具有工作速度快、相位噪声低以及工作频率高等优点，可应用于高速程序分频器中。
-
公开(公告)号：CN102254065B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110179933.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双极型晶体管参数提取方法及其等效电路。该方法先对双极型晶体管进行直流测试和S参数测试，然后应用ADS软件和origin软件进行曲线拟合，得到双极型晶体管的参数。基于双极型晶体管参数提取方法所建立的等效电路包括三个电感、五个电容、六个电阻和本征模块BJT，本征模块BJT包括两个电阻、三个电荷控件、三个电流控件。本发明的方法可用于建立适用于不同情况电路的双极型晶体管等效电路，同时还可用于建立适用于高频电路的双极型晶体管等效电路。基于本发明方法建立的双极型晶体管等效电路能反映双极型晶体管一组工作点的器件特性，可用于不同情况的电路仿真；本发明的等效电路能反映双极型晶体管的高频特性，可用于高频电路仿真。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
