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公开(公告)号：CN113794451B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110920111.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路，通过确定工作频率区间并选择在工作频率区间的射频信号，在符合偏置条件的直流偏置电压下工作，产生负电阻对接收的射频信号进行负放大；将负阻放大模块放大的射频信号在选频模块，负阻放大模块、以及反馈模块之间形成的闭环回路中反馈，以维持负阻放大模块持续工作；对射频信号持续进行负阻放大并输出。本发明采用E类振荡器的设计原理，实现负阻特性的反射放大功能，功耗能够达到个位数的毫瓦级别，功耗低，利于应用于射频识别系前端；并且反射放大器电路结构简单，使用单个晶体管设计负阻放大，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成，更加方便适用于射频识别系统中。
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公开(公告)号：CN113794454B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110918828.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F3/19
Abstract: 本发明提供的一种基于交叉耦合负阻特性的单端输入低功耗反射放大器电路，通过射频输入模块输入的射频信号，谐振槽模块选择反射射频信号的工作频段；直流偏置供电模块给负阻抗模块提供直流偏置使其工作在负阻区域，负阻抗模块在负阻区域提供负阻抗与射频输入模块输入端口的阻抗失配产生高于1的反射系数，使得射频信号的反射能量增强，从而反射出去。本发明可以在较低功耗范围内提供较高的增益，对信号进行反射放大，从而提升射频识别技术的通信距离，并且减小版图的面积，使得集成度更高；同时由于本发明在负阻抗模块结构简单，并在晶体管栅极加入了独立的偏置，可以根据需求通过调整直流偏置来减少电路功耗。
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公开(公告)号：CN113794454A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110918828.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F3/19
Abstract: 本发明提供的一种基于交叉耦合负阻特性的单端输入低功耗反射放大器电路，通过射频输入模块输入的射频信号，谐振槽模块选择反射射频信号的工作频段；直流偏置供电模块给负阻抗模块提供直流偏置使其工作在负阻区域，负阻抗模块在负阻区域提供负阻抗与射频输入模块输入端口的阻抗失配产生高于1的反射系数，使得射频信号的反射能量增强，从而反射出去。本发明可以在较低功耗范围内提供较高的增益，对信号进行反射放大，从而提升射频识别技术的通信距离，并且减小版图的面积，使得集成度更高；同时由于本发明在负阻抗模块结构简单，并在晶体管栅极加入了独立的偏置，可以根据需求通过调整直流偏置来减少电路功耗。
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公开(公告)号：CN113794451A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110920111.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路，通过确定工作频率区间并选择在工作频率区间的射频信号，在符合偏置条件的直流偏置电压下工作，产生负电阻对接收的射频信号进行负放大；将负阻放大模块放大的射频信号在选频模块，负阻放大模块、以及反馈模块之间形成的闭环回路中反馈，以维持负阻放大模块持续工作；对射频信号持续进行负阻放大并输出。本发明采用E类振荡器的设计原理，实现负阻特性的反射放大功能，功耗能够达到个位数的毫瓦级别，功耗低，利于应用于射频识别系前端；并且反射放大器电路结构简单，使用单个晶体管设计负阻放大，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成，更加方便适用于射频识别系统中。
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