公开(公告)号：CN109956494B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201711408980.9

申请日：2017-12-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  揭建胜 ,  王金文 ,  邵智斌

IPC: C01G9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种少层结构ZnO二维纳米片及其制备方法。该制备方法包括：在ZnO前驱体溶液的表面构建单分子层的油相有机溶液；在一预设温度下进行反应，以在所述油相有机溶液和所述ZnO前驱体溶液的油液界面处生成少层结构ZnO二维纳米片。本发明利用油相有机溶液与ZnO前驱体溶液中的油性有机物之间的侨联作用，外延生长出少层结构ZnO二维纳米片。该方法操作非常简单，并且通过该方法获得的ZnO二维纳米片的微观结构具有类石墨烯结构的褶皱状。

公开(公告)号：CN112881478A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110077097.6

申请日：2021-01-20

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  张丙昌 ,  黄思益

IPC: G01N27/12 ,  G01L1/18 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  G01P5/02

Abstract: 本发明涉及一种基于硅微/纳米线的微型化双功能气流传感器及其制备方法，微型化双功能气流传感器包括基底层，所述基底层设有沟道区；传感部件，传感部件包括硅微/纳米线，所述硅微/纳米线包括两个端部及位于两个端部之间的中间部，两个所述端部分别位于沟道区的两侧；两个端部分别连接有金属电极，金属电极连接有引线；封装层，其用于将端部封装于基底层上，中间部及引线裸露于所述封装层外。本发明利用单根硅微/纳米线形成导电回路进行气流传感，除了具有对流速检测能力外还具有对气体种类的传感能力，其制备工艺简单、成本低且拥有高灵敏度和超快响应性，当基底层为柔性高分子时器件可穿戴。

公开(公告)号：CN112352335A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201880090236.5

申请日：2018-05-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 赵宇 ,  戴高乐 ,  钱玉敏 ,  张晓宏

IPC: H01M4/60 ,  H01M4/02

Abstract: 提供了基于低聚物的有机电池材料、阴极活性材料、包含这样的材料的阴极和二次电池、以及用于制备这样的材料的方法。

公开(公告)号：CN111739954A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010623146.7

申请日：2020-06-30

Applicant: 苏州大学 ,  嘉兴尚能光伏材料科技有限公司

Inventor： 苏晓东 ,  邹帅 ,  张晓宏

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种晶硅太阳能电池及其制备方法，所述晶硅太阳能电池包括：晶硅，包括N型半导体层和P型半导体层，所述晶硅包括相对设置的第一表面和第二表面；介质层，位于晶硅的第一表面上，所述介质层的表面形成有纳米陷光结构；第一电极，与晶硅中的N型半导体层电性连接；第二电极，与晶硅中的P型半导体层电性连接。现有技术中的黑硅电池片的纳米陷光结构制备于晶硅表面，制备工艺对电池片的电学性能有很大影响；而本发明纳米陷光结构制备于介质层表面，可以最大限度避免制备纳米陷光结构工艺对电池片电学性能的影响，同时大幅降低电池表面的反射率，从而提高电池片的光电转换效率。

公开(公告)号：CN111697088A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010427147.4

申请日：2020-05-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 揭建胜 ,  张晓宏 ,  丁可

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/06

Abstract: 本发明提供了一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池。该制备方法包括：提供一非抛光的硅基底和一具有预设图案的灰度图；按照预设图案设定待显示在硅基底上的像素点阵列，每个像素点由待刻蚀在硅基底上的绒面结构所形成的待刻蚀区和未刻蚀绒面结构的未刻蚀区按照预定比例组成；根据硅基底和绒面结构的光学参数确定像素点的尺寸以及确定将待刻蚀区和未刻蚀区中哪个区域作为像素点的中心区域；获得灰度图的灰度值与像素点的中心区域边长之间的关系；将灰度图的灰度矩阵按照转换关系转换为待显示在硅基底上的像素点阵列组成的结构图形；利用结构图形制作获得光刻掩模板；利用光刻掩模板按照图案化工艺在硅基底上刻蚀出与灰度图对应的图案。

公开(公告)号：CN111662238A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010554644.0

申请日：2020-06-17

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  陈嘉雄 ,  张祥 ,  王凯

IPC: C07D241/46 ,  C07D265/38 ,  C07D279/22 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种式(I)所示的化合物，其结构式如下： 其中，X选自氧原子、硫原子或苯亚胺基。以上化合物具有热活化荧光性能，该化合物中的电子受体片段仅由碳氢原子组成，能够用于制备具有低电压驱动和较高外量子效率的有机电致发光器件。

公开(公告)号：CN111303150A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010144536.6

申请日：2020-03-04

Applicant: 苏州大学 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 张晓宏 ,  王凯 ,  范孝春 ,  安达千波矢 ,  土屋阳一 ,  田中正树

IPC: C07D471/16 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一类新型高效窄半峰宽的聚集态发光材料——氮杂三角烯衍生物，其制备方法以及在电子器件中的用途，本发明还涉及所述电子器件本身。特别是，本发明所涉及的氮杂三角烯衍生物在稀溶液中表现出弱的单体荧光发射，而其在聚集态下表现出不同于单体荧光特征的明显红移的发光光谱，且具有极高的荧光量子产率及高效的热激活延迟荧光的性质。因此以该类氮杂三角烯作为荧光染料制备成的电子器件具有高效率以及高色纯度的优点。

公开(公告)号：CN111192959A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010019450.0

申请日：2020-01-08

Applicant: 苏州大学

Inventor： 揭建胜 ,  张秀娟 ,  张晓宏 ,  吴晓峰

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管。该方法包括如下步骤：在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体。本发明实施例通过在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体，从而从源头上避免了少数载流子(电子)的注入。

公开(公告)号：CN111170942A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010050120.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  郝丰燕 ,  王凯

IPC: C07D219/02 ,  C07D401/10 ,  C07D409/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种式(1)所示的手性化合物，并基于该手性化合物制备了一种手性TADF有机发光材料，其包括式(2)所示的化合物。本发明还公开了上述手性TADF有机发光材料在有机电致圆偏振发光器件中的应用。本发明简化了手性TADF有机发光材料的设计与合成，可大规模制备。本发明的手性TADF有机发光材料具有高的荧光量子产率和手性偏振光的性质，可作为荧光掺杂染料而用于制备高效的有机电致圆偏振发光器件。

公开(公告)号：CN110734432A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201810801606.3

申请日：2018-07-20

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  史益忠 ,  郑才俊

IPC: C07D413/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一类新型的基于含氮杂环取代三嗪衍生物，其具有高的荧光量子产率和热激活延迟荧光的性质。因此以该类衍生物作为荧光掺杂染料的有机电致发光器件具有低工作电压，高效率以及高荧光量子产率的优点。