公开(公告)号：CN114447218A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202011231818.6

申请日：2020-11-06

Applicant: 苏州大学文正学院

Inventor： 李珂 ,  邵智斌

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在基底上形成硒化锌一维纳米结构；在硒化锌一维纳米结构的两端分别形成双电极层和单电极层，以获得单极性阻变存储器坯料，双电极层包括与硒化锌一维纳米结构接触的活性金属电极层；将单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。利用本发明的制备方法获得了具有低操作电压、快速阻变速度、单极性导电等特性的基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器。并且，通过选取弱酸性溶液并控制弱酸性溶液处理时间，从而进一步降低阻变存储器首次工作时所需的电成型电压，并进一步提高阻变存储器的稳定性。

公开(公告)号：CN114447218B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202011231818.6

申请日：2020-11-06

Applicant: 苏州大学文正学院

Inventor： 李珂 ,  邵智斌

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明提供了基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在基底上形成硒化锌一维纳米结构；在硒化锌一维纳米结构的两端分别形成双电极层和单电极层，以获得单极性阻变存储器坯料，双电极层包括与硒化锌一维纳米结构接触的活性金属电极层；将单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。利用本发明的制备方法获得了具有低操作电压、快速阻变速度、单极性导电等特性的基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器。并且，通过选取弱酸性溶液并控制弱酸性溶液处理时间，从而进一步降低阻变存储器首次工作时所需的电成型电压，并进一步提高阻变存储器的稳定性。

公开(公告)号：CN109956494B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201711408980.9

申请日：2017-12-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  揭建胜 ,  王金文 ,  邵智斌

IPC: C01G9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种少层结构ZnO二维纳米片及其制备方法。该制备方法包括：在ZnO前驱体溶液的表面构建单分子层的油相有机溶液；在一预设温度下进行反应，以在所述油相有机溶液和所述ZnO前驱体溶液的油液界面处生成少层结构ZnO二维纳米片。本发明利用油相有机溶液与ZnO前驱体溶液中的油性有机物之间的侨联作用，外延生长出少层结构ZnO二维纳米片。该方法操作非常简单，并且通过该方法获得的ZnO二维纳米片的微观结构具有类石墨烯结构的褶皱状。

公开(公告)号：CN109956494A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201711408980.9

申请日：2017-12-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  揭建胜 ,  王金文 ,  邵智斌

IPC: C01G9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种少层结构ZnO二维纳米片及其制备方法。该制备方法包括：在ZnO前驱体溶液的表面构建单分子层的油相有机溶液；在一预设温度下进行反应，以在所述油相有机溶液和所述ZnO前驱体溶液的油液界面处生成少层结构ZnO二维纳米片。本发明利用油相有机溶液与ZnO前驱体溶液中的油性有机物之间的侨联作用，外延生长出少层结构ZnO二维纳米片。该方法操作非常简单，并且通过该方法获得的ZnO二维纳米片的微观结构具有类石墨烯结构的褶皱状。

公开(公告)号：CN108031858A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711215931.3

申请日：2017-11-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 邵智斌 ,  张晓宏 ,  揭建胜 ,  张秀娟

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种表面形貌可控的钯纳米立方八面体的制备方法。该制备方法包括通过控制钯籽晶的生长速度来获得具有不同表面形貌的钯纳米立方八面体。所述钯籽晶是表面凹陷的钯纳米立方体。本发明制备方法可以得到三种典型形貌的钯纳米立方八面体，制备工艺简单，成熟可靠，易于控制。在水溶液中进行，避免引入有机溶剂污染源从而降低钯纳米催化剂的性能。通过籽晶诱导的两步过程，精确控制钯纳米立方八面体的表面形貌。

公开(公告)号：CN114613681A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202011420070.4

申请日：2020-12-08

Applicant: 苏州大学文正学院

Inventor： 李珂 ,  邵智斌 ,  王前 ,  裘欣

IPC: H01L21/423 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成基于II‑VI族半导体的一维纳米结构；在所述一维纳米结构的两端形成第一金属电极层和第二金属电极层，以获得存储器坯料；对所述存储器坯料进行电子辐照处理，以获得存储器。本发明的方案获得了具有大存储窗口、高开关比等特性的基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器，并且该制备方法省去了制备浮栅层、氧化物阻挡层以及隧穿层的工序，且该制备方法工艺简单。