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公开(公告)号:CN119653968A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411830977.6
申请日:2024-12-12
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法,所述有机薄膜晶体管包括:基底;位于基底上方的源极和漏极,所述源极和/或漏极为贱金属电极、贱金属氧化物电极、贱金属氮化物电极或贱金属碳化物电极;SAMs修饰层,至少位于源极和/或漏极上;有机半导体层,位于基底上方且至少部分覆盖于源极和/或漏极上的SAMs修饰层上;栅极,位于有机半导体层的上方或有机半导体层与基底之间。本发明通过在以贱金属材料制成的电极上制备SAMs修饰层,使其能够替代贵金属电极作为有机薄膜晶体管的源极和漏极,降低了成本,促进了有机薄膜晶体管的进一步发展。
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公开(公告)号:CN109956494B
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN201711408980.9
申请日:2017-12-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种少层结构ZnO二维纳米片及其制备方法。该制备方法包括:在ZnO前驱体溶液的表面构建单分子层的油相有机溶液;在一预设温度下进行反应,以在所述油相有机溶液和所述ZnO前驱体溶液的油液界面处生成少层结构ZnO二维纳米片。本发明利用油相有机溶液与ZnO前驱体溶液中的油性有机物之间的侨联作用,外延生长出少层结构ZnO二维纳米片。该方法操作非常简单,并且通过该方法获得的ZnO二维纳米片的微观结构具有类石墨烯结构的褶皱状。
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公开(公告)号:CN109956494A
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201711408980.9
申请日:2017-12-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种少层结构ZnO二维纳米片及其制备方法。该制备方法包括:在ZnO前驱体溶液的表面构建单分子层的油相有机溶液;在一预设温度下进行反应,以在所述油相有机溶液和所述ZnO前驱体溶液的油液界面处生成少层结构ZnO二维纳米片。本发明利用油相有机溶液与ZnO前驱体溶液中的油性有机物之间的侨联作用,外延生长出少层结构ZnO二维纳米片。该方法操作非常简单,并且通过该方法获得的ZnO二维纳米片的微观结构具有类石墨烯结构的褶皱状。
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