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公开(公告)号：CN105296924B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510794985.4
申请日：2015-11-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。本发明提供的高c轴取向AlN薄膜制备方法包括如下步骤：将二硫化钼旋涂于柔性衬底上得到二硫化钼覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述二硫化钼覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应溅射的工作气体为氮气和氩气的混合气体；所述反应溅射的靶材为铝靶。本发明采用二硫化钼做缓冲层有效地缓解了衬底层与AlN层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题，使得本发明制备的AlN薄膜中的应力比较低得到的氮化铝薄膜具有高c轴取向、高压电系数d33和低的表面粗糙度，可应用于柔性电子等领域。
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公开(公告)号：CN106498395A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610898631.9
申请日：2016-10-14
Applicant: 清华大学
IPC: C23C28/04
CPC classification number: C23C28/042 , C23C14/0036
Abstract: 本发明公开了高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)在衬底表面制备二硫化钼涂层，得到二硫化钼覆盖的衬底；(2)在所述二硫化钼覆盖的衬底上沉积氧化锌，得到氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底；(3)利用反应溅射，在所述氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底上沉积氮化铝薄膜，即可得到所述a面氮化铝薄膜。由于采用二硫化钼衬底和氧化锌缓冲层，本发明制备得到的a面氮化铝薄膜，扫描其(1120)面摇摆曲线半高宽可低于1°，具有低的螺型和刃型位错密度，a面氮化铝晶体质量有明显提高；有效地缓解了氮化铝层与衬底层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题；可用于制备高频、大功率、高机电耦合系数的SAW器件。
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公开(公告)号：CN106011759A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510801540.4
申请日：2015-11-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。所述高c轴取向AlN薄膜的制备方法包括如下步骤：将石墨烯旋涂于衬底上得到石墨烯覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述石墨烯覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应溅射的工作气体为氮气和氩气的混合气体；所述反应溅射的靶材为铝靶。本发明方法采用石墨烯作缓冲层有效地缓解了衬底层与AlN层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题，使得本发明制备的AlN薄膜中的应力比较低。本发明择优取向的AlN压电薄膜可用于制备高频、大功率、高机电耦合系数的SAW器件，产品可靠性强、成品率高且成本低。本发明制备方法操作简单，成本低廉，易于实施，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN103199189A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210004182.0
申请日：2012-01-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/18
Abstract: 本发明公开了一种共掺杂ZnO薄膜。所述ZnO薄膜由a类元素、b类元素和ZnO组成；所述a类元素为Mg和Ga中至少一种；所述b类元素为V、Cr、Fe和Mn中至少一种；所述a类元素的原子百分数为1％～3.4％，所述b类元素的原子百分数为1％～2％，Zn的原子百分数为44.6％～48％，余量为O。本发明提供的ZnO薄膜的压电系数提高到50pC/N以上，同时对可见光的透过率达到90％。
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公开(公告)号：CN102522241A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110412822.7
申请日：2011-12-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种CuCr合金触头材料及其制备方法。该方法包括如下步骤：(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜；(2)启动Cr组元的沉积，并保持Cr组元的相对沉积速率梯度增长，在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a；所述Cr组元的相对沉积速率为Cr组元的沉积速率与Cu组元的沉积速率的比值，所述Cr组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cr质量；所述Cu组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cu质量；(3)保持Cr组元的相对沉积速率不变，在所述CuCr合金膜a上继续沉积CuCr合金膜b，然后在真空条件下经原位退火即得。本发明采用物理气相沉积的方法制备了高强度、高导电、高耐电弧侵蚀的CuCr合金触头材料，同时该方法可以节约能源和原材料的消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214674A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110155407.8
申请日：2011-06-10
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器。所述阻变存储器由SOI基片、沉积于所述SOI基片上的底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述上电极相互垂直设置。本发明所提供的阻变存储器直接在商业SOI材料上进行刻蚀和沉积，底电极选用的是低电阻的p型硅，与传统CMOS工艺的兼容性非常高，能够在不改变现有工艺条件的情况下开发出高密度的非易失性存储器，具有成本低等特点。
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公开(公告)号：CN101533891A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910081636.2
申请日：2009-04-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了新材料与微电子技术交叉领域一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅电介质层、钛粘附层、铂底电极层、第一氧化锌电介质层、钨纳米晶电荷存储层、第二氧化锌电介质层以及顶电极材料层，通过在氧化锌电介质中包埋钨纳米晶作为电荷存储层，利用钨纳米晶对电子的捕获/释放作用实现器件高低阻值之间的转变。本发明的结构提高了非易失性存储单元的编程/擦除速度，降低了编程/擦除电压，提高了数据保持特性以及编程/擦除耐受性等存储性能；制备方法简便，并兼容于传统CMOS硅平面工艺。
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公开(公告)号：CN101118948A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710121299.6
申请日：2007-09-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于新材料领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜材料。具有压电常数d33＝55－110pC/N和高的电阻率ρ＞1011Ω·cm的ZnO薄膜材料。本发明使用V掺杂对ZnO体系进行掺杂改性，由于掺杂后ZnO薄膜产生了铁电性，因而使得压电性能大幅度提高；此外c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数c变小，并且平均等效原子电荷数变大也都使得压电性比掺杂前有所提高。由于V4+或V5+离子的3d层具有很多空能态，能够俘获薄膜中的自由电子，获得结构简单、成本低廉。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出大的压电常数和高的电阻率。
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公开(公告)号：CN1645744A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410096819.9
申请日：2004-12-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明公开了属于声表面波器件制造技术的一种金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。是在金刚石薄膜(或单晶)表面先光刻显影SAW器件图形，在图形的部位用离子注入方法注入第IIIA族元素或第VA族之一的元素，然后，在注入离子后的金刚石表面沉积多晶ZnO薄膜，最后，去除光刻胶，得到换能器图形。此方法通过注入离子使金刚石表面电阻率大大降低，导电能力极大增强，从而替代原有的沉积导电薄膜。不需要沉积Al薄膜，也不需要刻蚀过程。因此，操作大大简化，同时器件的抗功率承受力也极大增强。本方法不需要沉积导电薄膜，也不需要刻蚀过程，因而制备工艺大大简化。
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公开(公告)号：CN113098419A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110371349.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件，属于电子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底，部分刻蚀压电薄膜和顶电极。所述顶电极为叉指电极，对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表面波器件具有两种模态，分别为准瑞利波模态和准西沙瓦波模态，其中准瑞利波模态具有低频高机电耦合系数的特点，可以实现声表面波器件低频小型化的需要；准西沙瓦波模态具有高频，高机电耦合系数的特点，适合制备高频大带宽声表面波器件。本发明的声表面波器件为多层复合结构，容易制备和批量生产，对实际应用具有重要意义。
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