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公开(公告)号：CN115128849B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210731098.2
申请日：2022-06-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种光波复振幅调制器件，至少包括第一调制层、第二调制层和位于两者之间的隔热层，经第一调制像素单元调制后的光束经一个唯一的隔热像素单元投射且仅投射到唯一的第二调制像素单元。通过设置一个唯一的隔热像素单元进行精准投射，实现了两个复振幅调制像素的前后两级调制。两级动态复振幅调制是一条各方面性能最佳且结构大大简化的理想技术路径，打破了振幅相位调制级数低、相互干扰、制备工艺复杂等诸多桎梏，可分别实现独立且多阶的振幅调调制和相位调制的复振幅完整信息重构，振幅和相位调制过程时空分离，从而提高分辨率、振幅分布均匀性、精度和信噪比等性能、以完成图像的动态切换和重构图像质量的提升。
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公开(公告)号：CN119167845A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411226664.X
申请日：2024-09-03
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明提出了一种建立时间裕量的修调方法及装置、电子设备、存储介质，包括对建立时间裕量的一步修复与一步调整，每步基于不同类别的时序路径，首先收集所有建立时间违例的时序路径，修复其建立时间违例，保证数字电路的功能正确性，然后收集建立时间裕量过大的时序路径，调整其建立时间裕量，防止建立时间修复过量，同时降低数字电路的功耗和面积。本发明对每种类别的每一步修调进行具体详细的规定，形成可代码化的修调流程，便于通过存储设备和处理器实现自动化修调，有效提高了修复效率。修调方法中每一步方案的修调程度较小，可以减少反复修调的可能性，提高修调的精确性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119050144A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411165873.8
申请日：2024-08-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/10 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开一种环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管，包括衬底，源极半导体，漏极半导体，沟道半导体，栅极结构。源极半导体和漏极半导体通过隔离介质连接，形成源/漏极，沟道半导体环绕包裹源极半导体和漏极半导体和隔离介质，形成环绕柱状沟道结构，栅极结构环绕包裹柱状沟道。本发明旨在通过全新的沟道结构设计，实现在相同沟道长度下，晶体管得以进一步微缩，从而减小器件寄生电容和寄生电阻，减少信号传播延迟，有助于提高器件的速度和性能，提高芯片的单片集成密度，同时降低芯片功耗。
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公开(公告)号：CN118854448A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411365933.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法，在衬底上生长有主枝纳米线，该方法包括：将沉积新的Ⅲ族金属催化液滴附在主枝纳米线表面，驱动催化液在主枝纳米线表面从能量高的方向转移到更低表面能的方向，通过控制生长环境，使得分枝纳米线沿着能量更低的方向生长。还提供一种Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线，由上述的生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法得到。可以在不引入应力和缺陷的技术上可以获得分枝纳米线，这不仅解决的了分枝纳米线生长过程中引入缺陷导致的载流子损失的问题，还可以通过控制生长条件精确控制次级纳米线生长的位置、密度。并且，生长出来的纳米线形状规则，便于与其他分枝纳米线连接形成三维结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118627444A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410560687.8
申请日：2024-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/006 , G06N7/01 , H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的阻抗匹配电路生成方法，可用于射频电路的阻抗匹配。本发明将复杂的射频电路阻抗匹配问题转化为单位圆内的路径寻优问题，并将本需依赖EDA工具仿真获取的网络评价指标转换为坐标轴上两点的距离。本发明无需预设初始拓扑结构，通过贝叶斯优化算法、粒子群算法等迭代搜索寻优算法，在smith圆图上，从原射频端口阻抗向目标射频端口阻抗逼近，生成匹配网络的拓扑结构及参数。此方法能够高效生成匹配网络的拓扑结构，并获取最佳参数，以实现迅速、准确的阻抗匹配。相较于以往繁琐的人工计算和设计工作，本方法极大提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN118432623A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410459502.4
申请日：2024-04-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H03M7/30 , G06F18/22 , G06F18/214 , G06N7/02
Abstract: 本发明涉及一种压缩率精确值计算方法。一种压缩率精确值计算方法，包括如下步骤：（1）对数据包中的n个数据块进行排序以获得其序列号N(i)；（2）根据访问频数缩减量S(i)，获得压缩的优先级P(i)；（3）基于采集的数据块原始压缩率C0(i)，资源占用率R(i)，数据保持率O(i)，获得压缩质量Q(i)；（4）通过压缩质量Q(i)和阈值Q0，对数据块进行筛选获得m个样本数据块。本申请通过序列号、访问频数缩减量、优先级和压缩率、资源占用率，通过模糊集合和隶属度函数的处理，实现了对数据块压缩情况的全面评估。由于综合考虑了数据块的多个关键因素，并通过模糊化处理消除了对具体参数的依赖性，因此计算结果更为准确。
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公开(公告)号：CN118263276A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311711218.3
申请日：2023-12-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种全彩纳米线阵列及其制备方法，所述全彩纳米线阵列中每根纳米线的发光区沿纳米线生长方向径向排列；所述纳米线阵列中的纳米线基于生长参数控制，同步生长出不同发光颜色。本发明的全彩纳米线阵列及其制备方法，通过同步生长颜色覆盖红绿蓝三基色，实现了全彩范围并可调整整体色调偏向，解决了像元颗粒小型化、量子效率低和同步生长全彩像元的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN116149545B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211532326.X
申请日：2022-12-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种存储类内存(Storage Class Memory，SCM)的损耗均衡方法，包括根据数据的损耗力区分数据的数据类型，根据存储单元的损耗度区分存储单元的单元类型，并通过数据的数据类型与存储单元的单元类型调整数据的存储位置。本发明提供的损耗均衡方法适用于存储类内存的存储设备，能极大提高存储设备的寿命，为基于存储类内存的存储系统大规模商业化应用奠定了坚实基础。
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公开(公告)号：CN117894869A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410055845.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种纳米线阵列器件及其制备方法，所述纳米线阵列器件由衬底、半导体纳米线阵列和金属纳米线组成。所述半导体纳米线阵列生长于衬底上，所述金属纳米线与半导体纳米线顶部区域或外壳相连接，与半导体纳米线形成肖特基接触，并形成金属纳米线网络。本发明所提出的纳米线阵列器件，克服了纳米线阵列器件制备困难、暗电流水平难以改善、探测效率低下的难题。其制备工艺简单、可重复、稳定性高，在光电器件、光伏器件、柔性器件、图像传感、医学成像、环境检测领域具有广阔的应用前景。
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