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公开(公告)号：CN119050116A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411165869.1
申请日：2024-08-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开一种堆叠互补场效应晶体管(Complementary Field‑Effect Transistor，CFET)及其逻辑器件，包括纳米线，源极半导体，漏极半导体，沟道半导体，栅极结构和绝缘隔离介质。纳米线上分布有多个环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管，通过分别对其进行n型掺杂或p型掺杂形成堆叠互补场效应晶体管CFET结构，通过不同的电学连接，进而组成CMOS反相器等逻辑器件。本发明旨在提供一种由新的3D结构的堆叠互补场效应晶体管及其形成的逻辑器件。
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公开(公告)号：CN117673112A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311285316.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/15 , H01L27/144 , H01L25/16 , H10B80/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的微/纳米结构多功能3D堆叠集成器件，包括至少一种非微/纳米器件和至少一种微/纳米结构器件，所述微/纳米器件和非微/纳米器件通过SOI技术集成生长。本发明可以解决微/纳米小型化器件与其他器件集成的技术瓶颈，使得单个芯片就可以实现微/纳米器件与其他相关器件高度集成。同时，本发明无需通过多个芯片堆叠校准，并且仅使用同一个衬底实现多种微/纳米器件与多种其他器件垂直堆叠。
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公开(公告)号：CN119133226A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411216765.9
申请日：2024-09-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , H01L27/085 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种高度集成的晶体管，其包括位于衬底上的柱状主干结构，以及从所述柱状主干结构上外延生长的一个或多个分支结构；柱状主干和分支结构组成树状结构；单个分支结构或多个分支结构组成一个晶体管。现存普通晶体管所占衬底面积2.8um2(宽1.14um长2.44um)，基于本发明，在相同面积下，集成度可以至少提高到144(4个树状结构，每个树状结构36个分支)通过改变树状结构的间距和分支层数，不断提高集成度。基于集成度和器件排布优化，可实现无需额外布线，实现3D空间不同器件连接的空间布局。本发明通过分支结构进行环栅场效应晶体管的制造，减少环栅场效应晶体管的制造步骤和难点，解决单一Ⅲ‑Ⅴ族材料制作的晶体管优缺点过于明显、综合性能较差的现象。
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公开(公告)号：CN118692908A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410811133.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 本发明针对现有技术的不足，结合干法刻蚀、湿法腐蚀的优点，提供一种衬底的制备方法，以获得生长基底完整、图案化孔洞标准、可重复使用的衬底。所述衬底包括基底层和位于基底上的掩膜层，所述掩膜层具有竖直方向的通孔；基底层表面完整，通孔直径标准，且在100nm以内，可用于无缺陷/低缺陷纳米线的外延生长。
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公开(公告)号：CN117038696A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311008754.7
申请日：2023-08-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多级分支纳米线发光器件及其制备方法，包括至少一个生长于CMOS器件的有源区或硅衬底上的树状结构纳米线，所述树状结构纳米线包括主干纳米线和连接在所述主干纳米线上的至少一个分支纳米线，所述分支纳米线含有多个发光区。解决像素颗粒小型化方面的技术瓶颈，使得单个芯片就可以减轻VR画面严重的颗粒感、栅格、亮度对比度不够高等严重影响画面真实感的问题。因此，采用本发明技术的半导体制造的显示设备具有超高像素密度、体积小、重量轻、功耗低、发光亮度高、便携性大、色温稳定、使用寿命长、全彩/单色均可实现等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117558847A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311275133.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种微/纳米结构半导体，在衬底规定出微/纳米结构半导体区域，在微/纳米结构半导体区域制备微/纳米结构；所述微/纳米结构半导体的控制方式为控制芯片独立控制单个微/纳米结构半导体区域的微/纳米结构；所述控制芯片与微/纳米结构半导体的连接方式为同一片晶圆上的内部连接或不同一片晶圆的外部连接。所述微/纳米结构半导体区域划分一个区域或多个区域阵列，并通过沟槽、氮化物、氧化物、玻璃材料、有机物等绝缘材料或结构进行隔离；所述微/纳米结构半导体区域制备有单个微/纳米结构或多个微/纳米结构阵列；所述微/纳米结构至少有两个端点电极；所述端点电极至少包含一个独立控制。
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公开(公告)号：CN117393544A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311392355.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/552 , H01L23/528 , H01L27/15 , H01L33/44 , H01L33/36 , H01L33/00 , B81B7/04 , B81C1/00 , B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种具有导电屏蔽结构的微/纳米器件及其制备方法，所述微/纳米器件包括至少一个微/纳米器件单元和导线堆叠部，所述导线堆叠部包括：导线层、导线隔离层、导线屏蔽层和覆盖层；其中，所述导线层形成于导线隔离层内，所述导线屏蔽层接地。本发明所提出的具有导电屏蔽结构的微/纳米器件，克服了器件尺寸在微/纳米级别时，连接控制元件和驱动电路的导线间电信号串扰的难题。
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公开(公告)号：CN117276305A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311428075.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提出一种纳米线发光器件及其制备方法，将至少包含一个发光区的纳米线集成于Si(100)衬底，形成高精度纳米线发光器件，克服了不能自组装形成异质的[100]纳米线的技术偏见，解决硅基集成纳米线发光阵列的技术瓶颈，使得单个芯片就可以实现图像显示。基于本发明形成的纳米线发光器件，无需巨量转移技术，无需额外的引线或焊点进行阵列与电路的连接，突破器件与电路集成问题的同时，还具有超高像素点、亮度高、对比度高、体积小、功耗低、独立驱动、利于便携式使用等优点。
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公开(公告)号：CN119050144A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411165873.8
申请日：2024-08-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/10 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开一种环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管，包括衬底，源极半导体，漏极半导体，沟道半导体，栅极结构。源极半导体和漏极半导体通过隔离介质连接，形成源/漏极，沟道半导体环绕包裹源极半导体和漏极半导体和隔离介质，形成环绕柱状沟道结构，栅极结构环绕包裹柱状沟道。本发明旨在通过全新的沟道结构设计，实现在相同沟道长度下，晶体管得以进一步微缩，从而减小器件寄生电容和寄生电阻，减少信号传播延迟，有助于提高器件的速度和性能，提高芯片的单片集成密度，同时降低芯片功耗。
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公开(公告)号：CN118263276A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311711218.3
申请日：2023-12-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种全彩纳米线阵列及其制备方法，所述全彩纳米线阵列中每根纳米线的发光区沿纳米线生长方向径向排列；所述纳米线阵列中的纳米线基于生长参数控制，同步生长出不同发光颜色。本发明的全彩纳米线阵列及其制备方法，通过同步生长颜色覆盖红绿蓝三基色，实现了全彩范围并可调整整体色调偏向，解决了像元颗粒小型化、量子效率低和同步生长全彩像元的技术瓶颈。
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