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发明公开
磁电阻传感器自由层及宽量程磁电阻传感器审中-实审

公开(公告)号：CN119104958A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411121859.8

申请日：2024-08-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陈伟斌 , 程志渊

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及一种磁电阻传感器自由层，至少包括：偏置层、感测层和耦合层；偏置层、感测层在耦合层的作用下形成铁磁耦合或反铁磁耦合。本发明还涉及一种磁电阻传感器，包括：铁磁耦合的自由层、固定层和反铁磁耦合的自由层，通过自由层调控和双自由层设计，有效扩大了磁电阻传感器的线性响应区域。

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