-
公开(公告)号：CN105324510A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035394.2
申请日：2014-06-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L51/50 , H05B33/26 , C22F1/00 , C22F1/14
CPC classification number: H01B1/02 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L23/53247 , H01L51/5218 , H01L2924/0002 , Y10T428/12896 , H01L2924/00
Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Zn高于2.0原子且3.5原子％以下中的至少一种。上述Ag合金膜，也可以还含有Bi 0.01～1.0原子％。
-
公开(公告)号：CN102265323B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
-
公开(公告)号：CN101971294B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980108416.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
-
公开(公告)号：CN101691657B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265323A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
-
公开(公告)号：CN102077323A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125535.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/28525 , H01L21/76843 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。
-
公开(公告)号：CN101971294A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108416.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
-
公开(公告)号：CN101919060A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200980101632.4
申请日：2009-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C22C21/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/458
Abstract: 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。
-
公开(公告)号：CN101353779A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al－Ni－La－Si体系Al－基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni－La－Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.038 seconds)
